MC74VHC00D - ON Semiconductor - Datasheet.Directory

Quad 2-Input NAND Gate

The MC74VHC00 is an advanced high speed CMOS 2–input

NAND gate fabricated with silicon gate CMOS technology. It

achieves high speed operation similar to equivalent Bipolar Schottky

TTL while maintaining CMOS low power dissipation.

The internal circuit is composed of three stages, including a buffer

output which provides high noise immunity and stable output. The

inputs tolerate voltages up to 7 V, allowing the interface of 5V systems

to 3V systems.

•High Speed: tPD = 3.7ns (Typ) at VCC = 5V

•Low Power Dissipation: ICC = 2µA (Max) at TA = 25°C

•High Noise Immunity: VNIH = VNIL = 28% VCC

•Power Down Protection Provided on Inputs

•Balanced Propagation Delays

•Designed for 2V to 5.5V Operating Range

•Low Noise: VOLP = 0.8V (Max)

•Pin and Function Compatible with Other Standard Logic Families

•Latchup Performance Exceeds 300mA

•ESD Performance: HBM > 2000V; Machine Model > 200V

•Chip Complexity: 32 FETs or 8 Equivalent Gates

3Y1

1

A1

Figure 1. LOGIC DIAGRAM

2

B1

6Y2

4

A2

5

B2

8Y3

9

A3

10

B3

11 Y4

12

A4

13

B4

Y = AB

Figure 2. Pinout: 14–Lead Packages

(Top View)

1314 12 11 10 9 8

21 34567

VCC B4 A4 Y4 B3 A3 Y3

A1 B1 Y1 A2 B2 Y2 GND

ON Semiconductor

 Semiconductor Components Industries, LLC, 2001

March, 2001 – Rev. 3 1Publication Order Number:

MC74VHC00/D

MC74VHC00

L

H

L

H

L

H

FUNCTION TABLE

Inputs Output

AB

H

L

Y

D SUFFIX

14–LEAD SOIC PACKAGE

CASE 751A–03

DT SUFFIX

14–LEAD TSSOP PACKAGE

CASE 948G–01

ORDERING INFORMATION

MC74VHCXXD

MC74VHCXXDT

MC74VHCXXM

SOIC

TSSOP

SOIC EIAJ

M SUFFIX

14–LEAD SOIC EIAJ PACKAGE

CASE 965–01

MC74VHC00

http://onsemi.com

2

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

MAXIMUM RATINGS*

ÎÎÎÎ

Symbol

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

Parameter

ÎÎÎÎÎ

Value

ÎÎÎ

Unit

ÎÎÎÎ

VCC

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

DC Supply Voltage

ÎÎÎÎÎ

– 0.5 to + 7.0

ÎÎÎ

V

ÎÎÎÎ

Vin

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

DC Input Voltage

ÎÎÎÎÎ

– 0.5 to + 7.0

ÎÎÎ

V

ÎÎÎÎ

Vout

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

DC Output Voltage

ÎÎÎÎÎ

– 0.5 to VCC + 0.5

ÎÎÎ

V

ÎÎÎÎ

IIK

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

Input Diode Current

ÎÎÎÎÎ

– 20

ÎÎÎ

mA

ÎÎÎÎ

IOK

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

Output Diode Current

ÎÎÎÎÎ

±20

ÎÎÎ

mA

ÎÎÎÎ

Iout

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

DC Output Current, per Pin

ÎÎÎÎÎ

±25

ÎÎÎ

mA

ÎÎÎÎ

ICC

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

DC Supply Current, VCC and GND Pins

ÎÎÎÎÎ

±50

ÎÎÎ

mA

ÎÎÎÎ

Î

ÎÎ

Î

ÎÎÎÎ

PD

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

Î

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

Î

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

Power Dissipation in Still Air, SOIC Packages†

TSSOP Package†

ÎÎÎÎÎ

Î

ÎÎÎ

Î

ÎÎÎÎÎ

500

450

ÎÎÎ

Î

ÎÎÎ

mW

ÎÎÎÎ

Tstg

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

Storage Temperature

ÎÎÎÎÎ

– 65 to + 150

ÎÎÎ

C

* Absolute maximum continuous ratings are those values beyond which damage to the device

may occur. Exposure to these conditions or conditions beyond those indicated may

adversely affect device reliability. Functional operation under absolute–maximum–rated

conditions is not implied.

†Derating — SOIC Packages: – 7 mW/C from 65 to 125C

TSSOP Package: – 6.1 mW/C from 65 to 125C

RECOMMENDED OPERATING CONDITIONS

ÎÎÎÎ

Symbol

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

Parameter

ÎÎÎ

Min

ÎÎ

Max

ÎÎÎ

Unit

ÎÎÎÎ

VCC

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

DC Supply Voltage

ÎÎÎ

2.0

ÎÎ

5.5

ÎÎÎ

V

ÎÎÎÎ

Vin

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

DC Input Voltage

ÎÎÎ

0

ÎÎ

5.5

ÎÎÎ

V

ÎÎÎÎ

Vout

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

DC Output Voltage

ÎÎÎ

0

ÎÎ

VCC

ÎÎÎ

V

ÎÎÎÎ

TA

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

Operating Temperature, All Package Types

ÎÎÎ

– 40

ÎÎ

+ 85

ÎÎÎ

C

ÎÎÎÎ

Î

ÎÎ

Î

ÎÎÎÎ

tr, tf

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

Î

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

Î

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

Input Rise and Fall Time VCC = 3.3V ±0.3V

VCC =5.0V ±0.5V

ÎÎÎ

Î

ÎÎÎ

0

ÎÎ

100

20

ÎÎÎ

Î

ÎÎÎ

ns/V

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎ

VCC

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

TA = 25°C

ÎÎÎÎÎÎÎ

TA = – 40 to 85°C

ÎÎ

ÎÎÎÎ

Symbol

ÎÎÎÎÎÎÎ

Parameter

ÎÎÎÎÎÎÎ

Test Conditions

ÎÎÎ

V

CC

V

ÎÎÎÎ

Min

ÎÎÎ

Typ

ÎÎÎÎ

Max

ÎÎÎÎ

Min

ÎÎÎÎ

Max

ÎÎ

Unit

ÎÎÎÎ

Î

ÎÎ

Î

ÎÎÎÎ

VIH

ÎÎÎÎÎÎÎ

Î

ÎÎÎÎÎ

Î

ÎÎÎÎÎÎÎ

High–Level Input

Voltage

ÎÎÎÎÎÎÎ

Î

ÎÎÎÎÎ

Î

ÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎ

Î

ÎÎÎ

2.0

3.0 to

5.5

ÎÎÎÎ

Î

ÎÎ

Î

ÎÎÎÎ

1.50

VCC x 0. 7

ÎÎÎ

Î

ÎÎÎ

ÎÎÎÎ

Î

ÎÎ

Î

ÎÎÎÎ

Î

ÎÎ

Î

ÎÎÎÎ

1.50

VCC x 0. 7

ÎÎÎÎ

Î

ÎÎ

Î

ÎÎÎÎ

ÎÎ

V

ÎÎÎÎ

Î

ÎÎ

Î

ÎÎÎÎ

VIL

ÎÎÎÎÎÎÎ

Î

ÎÎÎÎÎ

Î

ÎÎÎÎÎÎÎ

Low–Level Input

Voltage

ÎÎÎÎÎÎÎ

Î

ÎÎÎÎÎ

Î

ÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎ

Î

ÎÎÎ

2.0

3.0 to

5.5

ÎÎÎÎ

Î

ÎÎ

Î

ÎÎÎÎ

ÎÎÎ

Î

ÎÎÎ

ÎÎÎÎ

Î

ÎÎ

Î

ÎÎÎÎ

0.50

VCC x 0.3

ÎÎÎÎ

Î

ÎÎ

Î

ÎÎÎÎ

Î

ÎÎ

Î

ÎÎÎÎ

0.50

VCC x 0.3

ÎÎ

V

ÎÎÎÎ

Î

ÎÎ

Î

ÎÎÎÎ

VOH

ÎÎÎÎÎÎÎ

Î

ÎÎÎÎÎ

Î

ÎÎÎÎÎÎÎ

High–Level Output

Voltage

ÎÎÎÎÎÎÎ

Î

ÎÎÎÎÎ

Î

ÎÎÎÎÎÎÎ

Vin = VIH or VIL

IOH = – 50µA

ÎÎÎ

Î

ÎÎÎ

2.0

3.0

4.5

ÎÎÎÎ

Î

ÎÎ

Î

ÎÎÎÎ

1.9

2.9

4.4

ÎÎÎ

Î

ÎÎÎ

2.0

3.0

4.5

ÎÎÎÎ

Î

ÎÎ

Î

ÎÎÎÎ

Î

ÎÎ

Î

ÎÎÎÎ

1.9

2.9

4.4

ÎÎÎÎ

Î

ÎÎ

Î

ÎÎÎÎ

ÎÎ

V

ÎÎÎÎ

Î

ÎÎ

Î

ÎÎ

Î

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎ

Î

ÎÎÎÎÎ

Î

ÎÎÎÎÎ

Î

ÎÎÎÎÎÎÎ

Î

ÎÎÎÎÎ

Î

ÎÎÎÎÎ

Î

ÎÎÎÎÎÎÎ

Vin = VIH or VIL

IOH = – 4mA

IOH = – 8mA

ÎÎÎ

Î

ÎÎÎ

3.0

4.5

ÎÎÎÎ

Î

ÎÎ

Î

ÎÎ

Î

ÎÎÎÎ

2.58

3.94

ÎÎÎ

Î

ÎÎÎ

ÎÎÎÎ

Î

ÎÎ

Î

ÎÎ

Î

ÎÎÎÎ

Î

ÎÎ

Î

ÎÎ

Î

ÎÎÎÎ

2.48

3.80

ÎÎÎÎ

Î

ÎÎ

Î

ÎÎ

Î

ÎÎÎÎ

ÎÎ

ÎÎÎÎ

Î

ÎÎ

Î

ÎÎÎÎ

VOL

ÎÎÎÎÎÎÎ

Î

ÎÎÎÎÎ

Î

ÎÎÎÎÎÎÎ

Low–Level Output

Voltage

ÎÎÎÎÎÎÎ

Î

ÎÎÎÎÎ

Î

ÎÎÎÎÎÎÎ

Vin = VIH or VIL

IOL = 50µA

ÎÎÎ

Î

ÎÎÎ

2.0

3.0

4.5

ÎÎÎÎ

Î

ÎÎ

Î

ÎÎÎÎ

ÎÎÎ

Î

ÎÎÎ

0.0

ÎÎÎÎ

Î

ÎÎ

Î

ÎÎÎÎ

0.1

ÎÎÎÎ

Î

ÎÎ

Î

ÎÎÎÎ

Î

ÎÎ

Î

ÎÎÎÎ

0.1

ÎÎ

V

ÎÎÎÎ

Î

ÎÎ

Î

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎ

Î

ÎÎÎÎÎ

Î

ÎÎÎÎÎÎÎ

Î

ÎÎÎÎÎ

Î

ÎÎÎÎÎÎÎ

Vin = VIH or VIL

IOL = 4mA

IOL = 8mA

ÎÎÎ

Î

ÎÎÎ

3.0

4.5

ÎÎÎÎ

Î

ÎÎ

Î

ÎÎÎÎ

ÎÎÎ

Î

ÎÎÎ

ÎÎÎÎ

Î

ÎÎ

Î

ÎÎÎÎ

0.36

ÎÎÎÎ

Î

ÎÎ

Î

ÎÎÎÎ

Î

ÎÎ

Î

ÎÎÎÎ

0.44

ÎÎ

This device contains protection

circuitry to guard against damage

due to high static voltages or electric

fields. However, precautions must

be taken to avoid applications of any

voltage higher than maximum rated

voltages to this high–impedance cir-

cuit. For proper operation, Vin and

Vout should be constrained to the

range GND  (Vin or Vout)  VCC.

Unused inputs must always be

tied to an appropriate logic voltage

level (e.g., either GND or VCC).

Unused outputs must be left open.

MC74VHC00

http://onsemi.com

3

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS

ÎÎ

Unit

ÎÎÎÎÎÎÎ

TA = – 40 to 85°C

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

TA = 25°C

ÎÎÎ

VCC

V

ÎÎÎÎÎÎÎ

Test Conditions

ÎÎÎÎÎÎÎ

Parameter

ÎÎÎÎ

Symbol

ÎÎ

Unit

ÎÎÎÎ

Max

ÎÎÎÎ

Min

ÎÎÎÎ

Max

ÎÎÎ

Typ

ÎÎÎÎ

Min

ÎÎÎ

VCC

V

ÎÎÎÎÎÎÎ

Test Conditions

ÎÎÎÎÎÎÎ

Parameter

ÎÎÎÎ

Symbol

ÎÎÎÎ

Iin

ÎÎÎÎÎÎÎ

Input Leakage Current

ÎÎÎÎÎÎÎ

Vin = 5.5V or GND

ÎÎÎ

0 to 5.5

ÎÎÎÎ

ÎÎÎ

ÎÎÎÎ

±0.1

ÎÎÎÎ

±1.0

ÎÎ

µA

ÎÎÎÎ

Î

ÎÎ

Î

ÎÎÎÎ

ICC

ÎÎÎÎÎÎÎ

Î

ÎÎÎÎÎ

Î

ÎÎÎÎÎÎÎ

Quiescent Supply

Current

ÎÎÎÎÎÎÎ

Î

ÎÎÎÎÎ

Î

ÎÎÎÎÎÎÎ

Vin = VCC or GND

ÎÎÎ

Î

ÎÎÎ

5.5

ÎÎÎÎ

Î

ÎÎ

Î

ÎÎÎÎ

ÎÎÎ

Î

ÎÎÎ

ÎÎÎÎ

Î

ÎÎ

Î

ÎÎÎÎ

2.0

ÎÎÎÎ

Î

ÎÎ

Î

ÎÎÎÎ

Î

ÎÎ

Î

ÎÎÎÎ

20.0

ÎÎ

µA

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

AC ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Input tr = tf = 3.0ns)

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

TA = 25°C

ÎÎÎÎÎÎ

TA = – 40 to 85°C

ÎÎ

ÎÎÎÎ

Symbol

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

Parameter

ÎÎÎÎÎÎÎÎ

Test Conditions

ÎÎÎÎ

Min

ÎÎÎ

Typ

ÎÎÎÎ

Max

ÎÎÎ

Min

ÎÎÎÎ

Max

ÎÎ

Unit

ÎÎÎÎ

Î

ÎÎ

Î

ÎÎÎÎ

tPLH,

tPHL

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

Î

ÎÎÎÎÎÎÎ

Î

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

Propagation Delay,

A or B to Y

ÎÎÎÎÎÎÎÎ

Î

ÎÎÎÎÎÎ

Î

ÎÎÎÎÎÎÎÎ

VCC = 3.3 ± 0.3V CL = 15pF

CL = 50pF

ÎÎÎÎ

Î

ÎÎ

Î

ÎÎÎÎ

ÎÎÎ

Î

ÎÎÎ

5.5

8.0

ÎÎÎÎ

Î

ÎÎ

Î

ÎÎÎÎ

7.9

11.4

ÎÎÎ

Î

ÎÎÎ

1.0

ÎÎÎÎ

Î

ÎÎ

Î

ÎÎÎÎ

9.5

13.0

ÎÎ

ns

ÎÎÎÎ

Î

ÎÎ

Î

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

Î

ÎÎÎÎÎÎÎ

Î

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎ

Î

ÎÎÎÎÎÎ

Î

ÎÎÎÎÎÎÎÎ

VCC = 5.0 ± 0.5V CL = 15pF

CL = 50pF

ÎÎÎÎ

Î

ÎÎ

Î

ÎÎÎÎ

ÎÎÎ

Î

ÎÎÎ

3.7

5.2

ÎÎÎÎ

Î

ÎÎ

Î

ÎÎÎÎ

5.5

7.5

ÎÎÎ

Î

ÎÎÎ

1.0

ÎÎÎÎ

Î

ÎÎ

Î

ÎÎÎÎ

6.5

8.5

ÎÎ

ÎÎÎÎ

Cin

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

Input Capacitance

ÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎ

4

ÎÎÎÎ

10

ÎÎÎ

ÎÎÎÎ

10

ÎÎ

pF

Typical @ 25°C, VCC = 5.0V

CPD Power Dissipation Capacitance (Note 1.) 19 pF

1. CPD is defined as the value of the internal equivalent capacitance which is calculated from the operating current consumption without load.

Average operating current can be obtained by the equation: ICC(OPR) = CPD  VCC  fin + ICC/4 (per gate). CPD is used to determine the no–load

dynamic power consumption; PD = CPD  VCC2  fin + ICC  VCC.

NOISE CHARACTERISTICS (Input tr = tf = 3.0ns, CL = 50pF, VCC = 5.0V, Measured in SOIC Package)

TA = 25°C

Symbol Characteristic Typ Max Unit

VOLP Quiet Output Maximum Dynamic VOL 0.3 0.8 V

VOLV Quiet Output Minimum Dynamic VOL – 0.3 – 0.8 V

VIHD Minimum High Level Dynamic Input Voltage 3.5 V

VILD Maximum Low Level Dynamic Input Voltage 1.5 V

Figure 3. Switching Waveforms

VCC

GND

50%

50% VCC

A or B

Y

tPHL

tPLH

*Includes all probe and jig capacitance

Figure 4. Test Circuit

CL*

TEST POINT

DEVICE

UNDER

TEST

OUTPUT

Figure 5. Input Equivalent Circuit

INPUT

MC74VHC00

http://onsemi.com

4

OUTLINE DIMENSIONS

D SUFFIX

SOIC–14

CASE 751A–03

ISSUE F

NOTES:

1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI

Y14.5M, 1982.

2. CONTROLLING DIMENSION: MILLIMETER.

3. DIMENSIONS A AND B DO NOT INCLUDE

MOLD PROTRUSION.

4. MAXIMUM MOLD PROTRUSION 0.15 (0.006)

PER SIDE.

5. DIMENSION D DOES NOT INCLUDE DAMBAR

PROTRUSION. ALLOWABLE DAMBAR

PROTRUSION SHALL BE 0.127 (0.005) TOTAL

IN EXCESS OF THE D DIMENSION AT

MAXIMUM MATERIAL CONDITION.

–A–

–B–

G

P7 PL

14 8

71 M

0.25 (0.010) B M

S

B

M

0.25 (0.010) A S

T

–T–

F

RX 45

SEATING

PLANE D14 PL K

C

J

M

DIM MIN MAX MIN MAX

INCHESMILLIMETERS

A8.55 8.75 0.337 0.344

B3.80 4.00 0.150 0.157

C1.35 1.75 0.054 0.068

D0.35 0.49 0.014 0.019

F0.40 1.25 0.016 0.049

G1.27 BSC 0.050 BSC

J0.19 0.25 0.008 0.009

K0.10 0.25 0.004 0.009

M0 7 0 7

P5.80 6.20 0.228 0.244

R0.25 0.50 0.010 0.019

 

MC74VHC00

http://onsemi.com

5

OUTLINE DIMENSIONS

DT SUFFIX

TSSOP

CASE 948G–01

ISSUE O

DIM MIN MAX MIN MAX

INCHESMILLIMETERS

A4.90 5.10 0.193 0.200

B4.30 4.50 0.169 0.177

C--- 1.20 --- 0.047

D0.05 0.15 0.002 0.006

F0.50 0.75 0.020 0.030

G0.65 BSC 0.026 BSC

H0.50 0.60 0.020 0.024

J0.09 0.20 0.004 0.008

J1 0.09 0.16 0.004 0.006

K0.19 0.30 0.007 0.012

K1 0.19 0.25 0.007 0.010

L6.40 BSC 0.252 BSC

M0 8 0 8

NOTES:

1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI

Y14.5M, 1982.

2. CONTROLLING DIMENSION: MILLIMETER.

3. DIMENSION A DOES NOT INCLUDE MOLD FLASH,

PROTRUSIONS OR GATE BURRS. MOLD FLASH

OR GATE BURRS SHALL NOT EXCEED 0.15

(0.006) PER SIDE.

4. DIMENSION B DOES NOT INCLUDE INTERLEAD

FLASH OR PROTRUSION. INTERLEAD FLASH OR

PROTRUSION SHALL NOT EXCEED

0.25 (0.010) PER SIDE.

5. DIMENSION K DOES NOT INCLUDE DAMBAR

PROTRUSION. ALLOWABLE DAMBAR

PROTRUSION SHALL BE 0.08 (0.003) TOTAL IN

EXCESS OF THE K DIMENSION AT MAXIMUM

MATERIAL CONDITION.

6. TERMINAL NUMBERS ARE SHOWN FOR

REFERENCE ONLY.

7. DIMENSION A AND B ARE TO BE DETERMINED

AT DATUM PLANE -W-.

 

S

U0.15 (0.006) T

2X L/2

S

U

M

0.10 (0.004) V S

T

L–U–

SEATING

PLANE

0.10 (0.004)

–T–

ÇÇÇ

SECTION N–N

DETAIL E

JJ1

K

K1

ÉÉ

DETAIL E

F

M

–W–

0.25 (0.010)

8

14

7

1

PIN 1

IDENT.

H

G

A

D

C

B

S

U0.15 (0.006) T

–V–

14X REFK

N

MC74VHC00

http://onsemi.com

6

OUTLINE DIMENSIONS

M SUFFIX

SO–14

CASE 965–01

ISSUE O

HE

A1

DIM MIN MAX MIN MAX

INCHES

--- 2.05 --- 0.081

MILLIMETERS

0.05 0.20 0.002 0.008

0.35 0.50 0.014 0.020

0.18 0.27 0.007 0.011

9.90 10.50 0.390 0.413

5.10 5.45 0.201 0.215

1.27 BSC 0.050 BSC

7.40 8.20 0.291 0.323

0.50 0.85 0.020 0.033

1.10 1.50 0.043 0.059

0

0.70 0.90 0.028 0.035

--- 1.42 --- 0.056

A1

HE

Q1

LE

10 0

10 

LEQ1



NOTES:

1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI

Y14.5M, 1982.

2. CONTROLLING DIMENSION: MILLIMETER.

3. DIMENSIONS D AND E DO NOT INCLUDE MOLD

FLASH OR PROTRUSIONS AND ARE MEASURED

AT THE PARTING LINE. MOLD FLASH OR

PROTRUSIONS SHALL NOT EXCEED 0.15 (0.006)

PER SIDE.

4. TERMINAL NUMBERS ARE SHOWN FOR

REFERENCE ONLY.

5. THE LEAD WIDTH DIMENSION (b) DOES NOT

INCLUDE DAMBAR PROTRUSION. ALLOWABLE

DAMBAR PROTRUSION SHALL BE 0.08 (0.003)

TOTAL IN EXCESS OF THE LEAD WIDTH

DIMENSION AT MAXIMUM MATERIAL CONDITION.

DAMBAR CANNOT BE LOCATED ON THE LOWER

RADIUS OR THE FOOT. MINIMUM SPACE

BETWEEN PROTRUSIONS AND ADJACENT LEAD

TO BE 0.46 ( 0.018).

0.13 (0.005) M0.10 (0.004)

D

Z

E

1

14 8

7

eA

b

VIEW P

c

L

DETAIL P

M

A

b

c

D

E

e

0.50

M

Z

MC74VHC00

http://onsemi.com

7

Notes

MC74VHC00

http://onsemi.com

8

ON Semiconductor and are trademarks of Semiconductor Components Industries, LLC (SCILLC). SCILLC reserves the right to make changes

without further notice to any products herein. SCILLC makes no warranty, representation or guarantee regarding the suitability of its products for any particular

purpose, nor does SCILLC assume any liability arising out of the application or use of any product or circuit, and specifically disclaims any and all liability,

including without limitation special, consequential or incidental damages. “Typical” parameters which may be provided in SCILLC data sheets and/or

specifications can and do vary in different applications and actual performance may vary over time. All operating parameters, including “Typicals” must be

validated for each customer application by customer’s technical experts. SCILLC does not convey any license under its patent rights nor the rights of others.

SCILLC products are not designed, intended, or authorized for use as components in systems intended for surgical implant into the body, or other applications

intended to support or sustain life, or for any other application in which the failure of the SCILLC product could create a situation where personal injury or

death may occur. Should Buyer purchase or use SCILLC products for any such unintended or unauthorized application, Buyer shall indemnify and hold

SCILLC and its officers, employees, subsidiaries, affiliates, and distributors harmless against all claims, costs, damages, and expenses, and reasonable

attorney fees arising out of, directly or indirectly, any claim of personal injury or death associated with such unintended or unauthorized use, even if such claim

alleges that SCILLC was negligent regarding the design or manufacture of the part. SCILLC is an Equal Opportunity/Affirmative Action Employer.

PUBLICATION ORDERING INFORMATION

CENTRAL/SOUTH AMERICA:

Spanish Phone: 303–308–7143 (Mon–Fri 8:00am to 5:00pm MST)

Email: ONlit–spanish@hibbertco.com

Toll–Free from Mexico: Dial 01–800–288–2872 for Access –

then Dial 866–297–9322

ASIA/PACIFIC: LDC for ON Semiconductor – Asia Support

Phone: 1–303–675–2121 (Tue–Fri 9:00am to 1:00pm, Hong Kong Time)

Toll Free from Hong Kong & Singapore:

001–800–4422–3781

Email: ONlit–asia@hibbertco.com

JAPAN: ON Semiconductor, Japan Customer Focus Center

4–32–1 Nishi–Gotanda, Shinagawa–ku, Tokyo, Japan 141–0031

Phone: 81–3–5740–2700

Email: r14525@onsemi.com

ON Semiconductor Website: http://onsemi.com

For additional information, please contact your local

Sales Representative.

MC74VHC00/D

NORTH AMERICA Literature Fulfillment:

Literature Distribution Center for ON Semiconductor

P.O. Box 5163, Denver, Colorado 80217 USA

Phone: 303–675–2175 or 800–344–3860 Toll Free USA/Canada

Fax: 303–675–2176 or 800–344–3867 Toll Free USA/Canada

Email: ONlit@hibbertco.com

Fax Response Line: 303–675–2167 or 800–344–3810 Toll Free USA/Canada

N. American Technical Support: 800–282–9855 Toll Free USA/Canada

EUROPE: LDC for ON Semiconductor – European Support

German Phone: (+1) 303–308–7140 (Mon–Fri 2:30pm to 7:00pm CET)

Email: ONlit–german@hibbertco.com

French Phone: (+1) 303–308–7141 (Mon–Fri 2:00pm to 7:00pm CET)

Email: ONlit–french@hibbertco.com

English Phone: (+1) 303–308–7142 (Mon–Fri 12:00pm to 5:00pm GMT)

Email: ONlit@hibbertco.com

EUROPEAN TOLL–FREE ACCESS*: 00–800–4422–3781

*Available from Germany, France, Italy, UK, Ireland