GaAIAs-IR-Lumineszenzdioden (880 nm) GaAIAs Infrared Emitters (880 nm) SFH 484 SFH 485 Area not flat Cathode 5.9 5.5 0.6 0.4 5.7 5.1 fex06271 1.8 1.2 29 27 9.0 8.2 7.8 7.5 o5.1 o4.8 2.54 mm spacing 0.8 0.5 0.6 0.4 Chip position GEX06271 Approx. weight 0.5 g Area not flat 9.0 8.2 7.8 7.5 Cathode 5.9 5.5 o5.1 o4.8 2.54 mm spacing 0.8 0.5 0.6 0.4 1.5 4.8 4.2 29 27 0.6 0.4 Chip position fex06305 GEX06305 Approx. weight 0.5 g Mae in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale Features Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren Hohe Zuverlassigkeit Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfanger SFH 484: Gehausegleich mit LD 274 SFH 485: Gehausegleich mit SFH 300, Fabricated in a liquid phase epitaxy process High reliability Spectral match with silicon photodetectors SFH 484: Same package as LD 274 SFH 485: Same package as SFH 300, SFH 203 SFH 203 Anwendungen Applications IR-Fernsteuerung von Fernseh- und IR remote control of hi-fi and TV-sets, video Rundfunkgeraten, Videorecordern, Lichtdimmern Geratefernsteuerungen fur Gleich- und Wechsellichtbetrieb Remote control for steady and varying Semiconductor Group tape recorders, dimmers intensity 1 1997-11-01 SFH 484 SFH 485 Typ Type Bestellnummer Ordering Code Gehause Package SFH 484 Q62703-Q1092 SFH 484-1 Q62703-Q1755 SFH 484-2 Q62703-Q1756 SFH 485 Q62703-Q1093 SFH 485-2 Q62703-Q1547 5-mm-LED-Gehause (T 1 3/4), klares violettes EpoxyGieharz, Anschlusse im 2.54-mm-Raster (1/10''), Anodenkennzeichung: kurzerer Anschlu 5 mm LED package (T 1 3/4), violet-colored epoxy resin, solder tabs lead spacing 2.54 mm (1/10''), anode marking: short lead Grenzwerte (TA = 25 C) Maximum Ratings Bezeichnung Description Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Top; Tstg - 55 ... + 100 C Sperrschichttemperatur Junction temperature Tj 100 C Sperrspannung Reverse voltage VR 5 V Durchlastrom Forward current IF 100 mA Stostrom, tp = 10 s, D = 0 Surge current IFSM 2.5 A Verlustleistung Power dissipation Ptot 200 mW Warmewiderstand, freie Beinchenlange max. 10 mm Thermal resistance, lead length between package bottom and PC-board max. 10 mm RthJA 375 K/W Semiconductor Group 2 1997-11-01 SFH 484 SFH 485 Kennwerte (TA = 25 C) Characteristics Bezeichnung Description Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit Wellenlange der Strahlung Wavelength at peak emission IF = 100 mA peak 880 nm Spektrale Bandbreite bei 50 % von Irel Spectral bandwidth at 50 % of Irel IF = 100 m A 80 nm 8 20 Grad deg. Aktive Chipflache Active chip area A 0.16 mm2 Abmessungen der aktive Chipflache Dimension of the active chip area LxB LxW 0.4 x 0.4 mm Abstand Chipoberflache bis Linsenscheitel Distance chip front to lens top SFH 484 SFH 485 H H 5.1 ... 5.7 4.2 ... 4.8 mm mm Schaltzeiten, Ie von 10 % auf 90 % und von 90 % auf 10 %, bei IF = 100 mA, RL = 50 Switching times, Ie from 10 % to 90 % and from 90 % to10 %, IF = 100 mA, RL = 50 tr, tf 0.6/0.5 s Kapazitat Capacitance VR = 0 V, f = 1 MHz Co 25 pF VF VF 1.50 ( 1.8) 3.00 ( 3.8) V V Sperrstrom Reverse current VR = 5 V IR 0.01 ( 1) A Gesamtstrahlungsflu Total radiant flux IF = 100 mA, tp = 20 ms e 25 mW Semiconductor Group 3 Abstrahlwinkel Half angle SFH 484 SFH 485 Durchlaspannung Forward voltage IF = 100 mA, tp = 20 ms IF = 1 A, tp = 100 s 1997-11-01 SFH 484 SFH 485 Kennwerte (TA = 25 C) Characteristics Bezeichnung Description Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit Temperaturkoeffizient von Ie bzw. e, IF = 100 mA Temperature coefficient of Ie or e, IF = 100 mA TCI - 0.5 %/K Temperaturkoeffizient von VF, IF = 100 mA Temperature coefficient of VF, IF = 100 mA TCV -2 mV/K Temperaturkoeffizient von , IF = 100 mA Temperature coefficient of , IF = 100 mA TC 0.25 nm/K Strahlstarke Ie in Achsrichtung gemessen bei einem Raumwinkel = 0.001 sr bei SFH 484 bzw. = 0.01 sr bei SFH 485 Grouping of radiant intensity Ie in axial direction at a solid angle of = 0.001 sr at SFH 484 or = 0.01 sr at SFH 485 Bezeichnung Description Symbol Wert Value Einheit Unit SFH 484 SFH 484-1 SFH 484-2 SFH 485 SFH 485-2 Strahlstarke Radiant intensity IF = 100 mA, tp = 20 ms Ie min Ie max 50 160 50 100 > 80 - 16 80 > 25 - mW/sr mW/sr Strahlstarke Radiant intensity IF = 1 A, tp = 100 s Ie typ. 800 700 900 300 340 mW/sr Radiation characteristics, SFH 484 Irel = f () 40 30 20 10 0 OHR01891 1.0 50 0.8 60 0.6 70 0.4 0.2 80 0 90 100 1.0 0.8 0.6 0.4 Semiconductor Group 0 20 40 60 80 4 100 120 1997-11-01 SFH 484 SFH 485 Ie = f (IF) Ie 100 mA Single pulse, tp = 20 s Relative spectral emission Irel = f () Radiant intensity OHR00877 100 rel e e (100mA) % F mA 10 1 100 60 10 0 75 40 10 -1 50 20 10 -2 25 10 -3 800 850 900 950 nm 1000 Forward current IF = f (VF), single pulse, tp = 20 s 10 0 10 1 10 2 10 3 mA 10 4 F Permissible pulse handling capability IF = f (), TA = 25 C, duty cycle D = parameter OHR00881 10 1 OHR00886 10 4 mA A OHR00880 125 80 0 750 F OHR00878 10 2 Max. permissible forward current IF = f (TA) 0 0 20 40 60 80 C 100 T Forward current versus lead length between the package bottom and the PC-board IF = f (I), TA = 25 C OHR00949 120 mA F D = 0.005 0.01 0.02 0.05 10 0 F 100 10 3 0.1 0.2 80 10 -1 60 0.5 10 2 10 DC 40 -2 D= 10 -3 0 1 2 3 4 5 6 V VF tp T tp T 10 1 -5 10 10 -4 10 -3 10 -2 10 -1 10 0 8 20 F 0 10 1 s 10 2 tp 0 5 10 15 20 25 mm 30 Radiation characteristics, SFH 485 Irel = f () 40 30 20 10 0 OHR01892 1.0 50 0.8 60 0.6 70 0.4 0.2 80 0 90 100 1.0 0.8 0.6 Semiconductor Group 0.4 0 20 40 60 80 5 100 120 1997-11-01