Semiconductor Group 1 1997-11-01
Wesentliche Merkmale
●Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren
●Hohe Zuverlässigkeit
●Gute spektrale Anpassung an
Si-Fotoempfänger
●SFH 484: Gehäusegleich mit LD 274
●SFH 485: Gehäusegleich mit SFH 300,
SFH 203
Anwendungen
●IR-Fernsteuerung von Fernseh- und
Rundfunkgeräten, Videorecordern,
Lichtdimmern
●Gerätefernsteuerungen für Gleich- und
Wechsellichtbetrieb
Features
●Fabricated in a liquid phase epitaxy process
●High reliability
●Spectral match with silicon photodetectors
●SFH 484: Same package as LD 274
●SFH 485: Same package as SFH 300,
SFH 203
Applications
●IR remote control of hi-fi and TV-sets, video
tape recorders, dimmers
●Remote control for steady and varying
intensity
GaAIAs-IR-Lumineszenzdioden (880 nm)
GaAIAs Infrared Emitters (880 nm) SFH 484
SFH 485
Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
5.9
5.5
0.6
0.4
ø5.1
ø4.8
2.54 mm
spacing
7.8
7.5
9.0
8.2
4.8
4.2
29
27
1.5
0.8
0.5
Area not flat
0.6
0.4
Chip position
GEX06305
Approx. weight 0.5 g
Cathode
5.9
5.5
0.6
0.4
ø5.1
ø4.8
2.54 mm
spacing
7.8
7.5
9.0
8.2
5.7
5.1
29
27
1.8
1.2
0.8
0.5
Area not flat
0.6
0.4
Chip position
GEX06271
Approx. weight 0.5 g
Cathode
fex06305 fex06271
Semiconductor Group 2 1997-11-01
SFH 484
SFH 485
Grenzwerte (TA = 25 °C)
Maximum Ratings
Typ
Type Bestellnummer
Ordering Code Gehäuse
Package
SFH 484 Q62703-Q1092 5-mm-LED-Gehäuse (T 1 3/4), klares violettes Epoxy-
Gießharz, Anschlüsse im 2.54-mm-Raster (1/10’’),
Anodenkennzeichung: kürzerer Anschluß
5 mm LED package (T 1 3/4), violet-colored epoxy res-
in, solder tabs lead spacing 2.54 mm (1/10’’), anode
marking: short lead
SFH 484-1 Q62703-Q1755
SFH 484-2 Q62703-Q1756
SFH 485 Q62703-Q1093
SFH 485-2 Q62703-Q1547
Bezeichnung
Description Symbol
Symbol Wert
Value Einheit
Unit
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range Top;Tstg – 55 ... + 100 °C
Sperrschichttemperatur
Junction temperature Tj100 °C
Sperrspannung
Reverse voltage VR5V
Durchlaßstrom
Forward current IF100 mA
Stoßstrom, tp = 10 µs, D = 0
Surge current IFSM 2.5 A
Verlustleistung
Power dissipation Ptot 200 mW
Wärmewiderstand, freie Beinchenlänge
max. 10 mm
Thermal resistance, lead length between
package bottom and PC-board max. 10 mm
RthJA 375 K/W
SFH 484
SFH 485
Semiconductor Group 3 1997-11-01
Kennwerte (TA = 25 °C)
Characteristics
Bezeichnung
Description Symbol
Symbol Wert
Value Einheit
Unit
Wellenlänge der Strahlung
Wavelength at peak emission
IF = 100 mA
λpeak 880 nm
Spektrale Bandbreite bei 50 % von Irel
Spectral bandwidth at 50 % of Irel
IF = 100 m A
∆λ 80 nm
Abstrahlwinkel
Half angle
SFH 484
SFH 485 ϕ
ϕ±8
±20 Grad
deg.
Aktive Chipfläche
Active chip area A0.16 mm2
Abmessungen der aktive Chipfläche
Dimension of the active chip area L×B
L×W0.4 ×0.4 mm
Abstand Chipoberfläche bis Linsenscheitel
Distance chip front to lens top
SFH 484
SFH 485 H
H5.1 ... 5.7
4.2 ... 4.8 mm
mm
Schaltzeiten, Ie von 10 % auf 90 % und von
90 % auf 10 %, bei IF = 100 mA, RL = 50 Ω
Switching times, Ie from 10 % to 90 % and
from 90 % to10 %, IF = 100 mA, RL = 50 Ω
tr,tf0.6/0.5 µs
Kapazität
Capacitance
VR = 0 V, f = 1 MHz
Co25 pF
Durchlaßspannung
Forward voltage
IF = 100 mA, tp = 20 ms
IF = 1 A, tp = 100 µsVF
VF
1.50 (≤ 1.8)
3.00 (≤ 3.8) V
V
Sperrstrom
Reverse current
VR = 5 V
IR0.01 (≤ 1)µA
Gesamtstrahlungsfluß
Total radiant flux
IF = 100 mA, tp = 20 ms
Φe25 mW
Semiconductor Group 4 1997-11-01
SFH 484
SFH 485
Strahlstärke Ie in Achsrichtung
gemessen bei einem Raumwinkel Ω = 0.001 sr bei SFH 484 bzw. Ω = 0.01 sr bei SFH 485
Grouping of radiant intensity Ie in axial direction
at a solid angle of Ω = 0.001 sr at SFH 484 or Ω = 0.01 sr at SFH 485
Temperaturkoeffizient von Ie bzw. Φe,
IF = 100 mA
Temperature coefficient of Ie or Φe,
IF = 100 mA
TCI– 0.5 %/K
Temperaturkoeffizient von VF,IF = 100 mA
Temperature coefficient of VF,IF = 100 mA TCV– 2 mV/K
Temperaturkoeffizient von λ,IF = 100 mA
Temperature coefficient of λ,IF = 100 mA TCλ0.25 nm/K
Bezeichnung
Description Symbol Wert
Value Einheit
Unit
SFH
484 SFH
484-1 SFH
484-2 SFH
485 SFH
485-2
Strahlstärke
Radiant intensity
IF = 100 mA, tp = 20 ms Ie min
Ie max
50
160 50
100 > 80
–16
80 > 25
–mW/sr
mW/sr
Strahlstärke
Radiant intensity
IF = 1 A, tp = 100 µsIe typ. 800 700 900 300 340 mW/sr
Kennwerte (TA = 25 °C)
Characteristics
Bezeichnung
Description Symbol
Symbol Wert
Value Einheit
Unit
Radiation characteristics, SFH 484 Irel =f(ϕ)
OHR01891
02040 60 80 100 1200.40.60.81.0
100
90
80
70
60
50
0
10203040
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
ϕ
SFH 484
SFH 485
Semiconductor Group 5 1997-11-01
Relative spectral emission
Irel =f (λ)
Forward current
IF=f (VF), single pulse, tp = 20 µs
0
750
Ι
rel
OHR00877
800 850 900 950 nm 1000
20
40
60
80
%
100
λ
10
OHR00881
F
V
-3
-2
10
-1
10
0
10
1
10
0123456V8
A
Ι
F
Radiant intensity
Single pulse, tp = 20 µs
Permissible pulse handling capability
IF=f(τ), TA = 25 °C,
duty cycle D = parameter
Ie
Ie100 mA = f(IF)
10
OHR00878
Ι
e
F
Ι
-3
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
0
10 10
1
10
2
10
4
mA
e
Ι
(100mA)
3
10
10
Ι
F
OHR00886
1
2
10
3
10
4
10
mA
-5
10 s
=
D
F
Ι
T
DC
0.005=
D
p
t
T
t
p
p
t
0.5
0.2
0.1
0.01
0.02
0.05
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
Max. permissible forward current
IF=f (TA)
Forward current versus lead length
between the package bottom and the
PC-board IF=f(I), TA = 25 °C
T
OHR00880
0
F
Ι
0 20 40 60 80 100˚C
mA
25
50
75
100
125
OHR00949
F
Ι
00 5 10 15 20 25 mm 30
20
40
60
80
100
mA
120
Radiation characteristics, SFH 485 Irel =f(ϕ)
OHR01892
02040 60 80 100 1200.40.60.81.0
100
90
80
70
60
50
0
10203040
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
ϕ
