1N5391 ... 1N5399
1N5391 ... 1N5399
Silicon Rectifier Diodes – Silizium-Gleichrichterdioden
Version 2012-10-02
Dimensions - Maße [mm]
Nominal current
Nennstrom
1.5 A
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
50...1000 V
Plastic case
Kunststoffgehäuse
DO-15
DO-204AC
Weight approx.
Gewicht ca.
0.4 g
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging taped in ammo pack
Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack
Maximum ratings Grenzwerte
Type
Typ
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
VRRM [V]
Surge peak reverse voltage
Stoßspitzensperrspannung
VRSM [V]
1N5391 50 100
1N5392 100 200
1N5393 200 300
1N5394 300 400
1N5395 400 500
1N5396 500 600
1N5397 600 800
1N5398 800 1000
1N5399 1000 1200
Max. average forward rectified current, R-load
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last
TA = 50°C
TA = 100°C
IFAV 1.5 A 1)
0.9 A 1)
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
f > 15 Hz IFRM 10 A 1)
Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle
TA = 25°C IFSM 50/55 A
Rating for fusing, t < 10 ms
Grenzlastintegral, t < 10 ms
TA = 25°C i2t 12.5 A2s
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
Tj
TS
-50...+175°C
-50...+175°C
1 )Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 5 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
© Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1
Type
Ø 0.8
± 0 .05
Ø 3
± 0 .05
6 2.5
±0.5
6.3
±0 .1
1N5391 ... 1N5399
Characteristics Kennwerte
Forward voltage – Durchlass-Spannung Tj = 25°C IF = 1.5 A VF< 1.3 V
Leakage current
Sperrstrom
Tj = 25°C
Tj = 100°C
VR = VRRM
VR = VRRM
IR
IR
< 5 µA
< 50 µA
Thermal resistance junction to ambient air
Wärmewiderstand Sperrschicht umgebende Luft
RthA < 45 K/W 1)
1 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 5 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 5 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
2http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG
120
100
80
60
40
20
0
[%]
I
FAV
Rated forward current versus ambient temperature )
Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp. )
1
1
[°C]
T
A
150100
50
0
10
10
1
10
10
2
-1
-2
[A]
I
F
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
0.4 V
F
0.8 1.0 1.2 1.4 [V] 1.8
T = 25°C
j
T = 125°C
j
50a-(2a-1.3v)
Peak forward surge current versus number of cycles at 50 Hz
Durchlaß-Spitzenstrom in Abh. von der Zahl der Halbwellen bei 50 Hz
10
10
1
2
[A]
î
F
1 10 10 [n] 10
2 3
