BPW 21 BPW 21 fmo06011 Silizium-Fotodiode fur den sichtbaren Spektralbereich Silicon Photodiode for the visible spectral range Mae in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale Speziell geeignet fur Anwendungen im Bereich von 350 nm bis 820 nm Angepat an die Augenempfindlichkeit (V) Hermetisch dichte Metallbauform (ahnlich TO-5) Features Especially suitable for applications from 350 nm to 820 nm Adapted to human eye sensitivity (V) Hermetically sealed metal package (similar to TO-5) Anwendungen Applications Belichtungsmesser fur Tageslicht Fur Kunstlicht mit hoher Farbtemperatur in Exposure meter for daylight For artificial light of high color temperature in der Fotografie und Farbanalyse Typ Type Bestellnummer Ordering Code BPW 21 Q62702-P885 Semiconductor Group photographic fields and color analysis 1 1998-11-13 BPW 21 Grenzwerte Maximum Ratings Bezeichnung Description Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Top; Tstg - 40 ... + 80 C Lottemperatur (Lotstelle 2 mm vom Gehause entfernt bei Lotzeit t 3 s) Soldering temperature in 2 mm distance from case bottom (t 3 s) TS 235 C Sperrspannung Reverse voltage VR 10 V Verlustleistung, TA = 25 C Total power dissipation Ptot 250 mW Kennwerte (TA = 25 C, Normlicht A, T = 2856 K) Characteristics (TA = 25 C, standard light A, T = 2856 K) Bezeichnung Description Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit Fotoempfindlichkeit, VR = 5 V Spectral sensitivity S 10 ( 5.5) nA/lx Wellenlange der max. Fotoempfindlichkeit Wavelength of max. sensitivity S max 550 nm Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit 350 ... 820 nm Bestrahlungsempfindliche Flache Radiant sensitive area A 7.34 mm2 Abmessung der bestrahlungsempfindlichen Flache Dimensions of radiant sensitive area LxB 2.73 x 2.73 mm x mm Abstand Chipoberflache zu Gehauseoberflache Distance chip front to case surface H 1.9 ... 2.3 mm Halbwinkel Half angle 55 Grad deg. Semiconductor Group 2 S = 10 % von Smax Spectral range of sensitivity S = 10 % of Smax LxW 1998-11-13 BPW 21 Kennwerte (TA = 25 C, Normlicht A, T = 2856 K) Characteristics (TA = 25 C, standard light A, T = 2856 K) (cont'd) Bezeichnung Description Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit Dunkelstrom Dark current VR = 5 V VR = 10 mV IR IR 2 ( 30) 8 ( 200) nA pA Spektrale Fotoempfindlichkeit, = 550 nm Spectral sensitivity S 0.34 A/W Quantenausbeute, = 550 nm Quantum yield 0.80 Electrons Photon Leerlaufspannung, Ev = 1000 Ix Open-circuit voltage VO 400 ( 320) mV Kurzschlustrom, Ev = 1000 Ix Short-circuit current ISC 10 A Anstiegs- und Abfallzeit des Fotostromes Rise and fall time of the photocurrent RL = 1 k; VR = 5 V; = 550 nm; Ip = 10 A tr, tf 1.5 s Durchlaspannung, IF = 100 mA, E = 0 Forward voltage VF 1.2 V Kapazitat, VR = 0 V, f = 1 MHz, E = 0 Capacitance C0 580 pF Temperaturkoeffizient von VO Temperature coefficient of VO TCV - 2.6 mV/K Temperaturkoeffizient von ISC Temperature coefficient of ISC TCI - 0.05 %/K Rauschaquivalente Strahlungsleistung Noise equivalent power VR = 5 V, = 550 nm NEP 7.2 x 10- 14 W Hz Nachweisgrenze, VR = 5 V, = 550 nm Detection limit D* 1 x 1012 cm * Hz W Semiconductor Group 3 1998-11-13 BPW 21 Relative spectral sensitivity Srel = f () Photocurrent IP = f (Ev), VR = 5 V Open-circuit voltage VO = f (Ev) Total power dissipation Ptot = f (TA ) Dark current IR = f (VR) Capacitance C = f (VR), f = 1 MHz, E = 0 Dark current IR = f (TA), VR = 5 V Directional characteristics Srel = f () Semiconductor Group 4 1998-11-13