Semiconductor Group 1 11.96
VPL06724
Besondere Merkmale
●Gehäusebauform: P-LCC-2
●Gehäusefarbe: weiß
●als optischer Indikator einsetzbar
●zur Hinterleuchtung, Lichtleiter- und Linseneinkopplung
●für alle SMT-Bestück- und Löttechniken geeignet
●gegurtet (8-mm-Filmgurt)
●Störimpulsfest nach DIN 40839
Features
●P-LCC-2 package
●color of package: white
●for use as optical indicator
●for backlighting, optical coupling into light pipes and lenses
●suitable for all SMT assembly and soldering methods
●available taped on reel (8 mm tape)
●load dump resistant acc. to DIN 40839
TOPLED®LS T670, LO T670, LY T670
LG T670, LP T670
Semiconductor Group 2
Streuung der Lichtstärke in einer Verpackungseinheit IV max / IV min ≤2.0.
Luminous intensity ratio in one packaging unit IV max / IV min ≤2.0.
Typ
Type
Emissions-
farbe
Color of
Emission
Farbe der
Lichtaustritts-
fläche
Color of the
Light Emitting
Area
Lichtstärke
Luminous
Intensity
IF = 10 mA
IV (mcd)
Lichtstrom
Luminous
Flux
IF = 10 mA
ΦV (mlm)
Bestellnummer
Ordering Code
LS T670-HK
LS T670-J
LS T670-K
LS T670-L
LS T670-JM
super-red colorless clear 2.5 ... 12.5
4.0 ... 8.0
6.3 ... 12.5
10.0 ... 20.0
4.0 ... 32.0
-
18 (typ.)
30 (typ.)
45 (typ.)
-
Q62703-Q2309
Q62703-Q2357
Q62703-Q2358
Q62703-Q3848
Q62703-Q3849
LO T670-HK
LO T670-J
LO T670-K
LO T670-L
LO T670-JM
orange colorless clear 2.5 ... 12.5
4.0 ... 8.0
6.3 ... 12.5
10.0 ... 20.0
4.0 ... 32.0
-
18 (typ.)
30 (typ.)
45 (typ.)
-
Q62703-Q2310
Q62703-Q2475
Q62703-Q2476
Q62703-Q3850
Q62703-Q3851
LY T670-HK
LY T670-J
LY T670-K
LY T670-L
LY T670-JM
yellow colorless clear 2.5 ... 12.5
4.0 ... 8.0
6.3 ... 12.5
10.0 ... 20.0
4.0 ... 32.0
-
18 (typ.)
30 (typ.)
45 (typ.)
-
Q62703-Q2311
Q62703-Q2376
Q62703-Q2375
Q62703-Q3098
Q62703-Q3852
LG T670-HK
LG T670-J
LG T670-K
LG T670-L
LG T670-JM
green colorless clear 2.5 ... 12.5
4.0 ... 8.0
6.3 ... 12.5
10.0 ... 20.0
4.0 ... 32.0
-
18 (typ.)
30 (typ.)
45 (typ.)
-
Q62703-Q2312
Q62703-Q2377
Q62703-Q2378
Q62703-Q3146
Q62703-Q3853
LP T670-FJ
LP T670-G
LP T670-H
LP T670-J
LP T670-GK
pure green colorless clear 1.0 ... 2.0
1.6 ... 3.2
2.5 ... 5.0
4.0 ... 8.0
1.6 ... 12.5
-
8 (typ.)
12 (typ.)
18 (typ.)
-
Q62703-Q2619
Q62703-Q3102
Q62703-Q2555
Q62703-Q2553
Q62703-Q2456
LS T670, LO T670, LY T670
LG T670, LP T670
Semiconductor Group 3
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Parameter Symbol
Symbol Werte
Values Einheit
Unit
Betriebstemperatur
Operating temperature range Top – 55 ... + 100 ˚C
Lagertemperatur
Storage temperature range Tstg – 55 ... + 100 ˚C
Sperrschichttemperatur
Junction temperature Tj + 100 ˚C
Durchlaßstrom
Forward current IF30 mA
Stoßstrom
Surge current
t≤10 µs, D = 0.005
IFM 0.5 A
Sperrspanung
Reverse voltage VR5V
Verlustleistung
Power dissipation Ptot 100 mW
Wärmewiderstand
Thermal resistance
Sperrschicht / Umgebung
Junction / air
Montage auf PC-board*) (Padgröße ≥ 16 mm2)
mounted on PC board*) (pad size ≥ 16 mm2)
Rth JA 400 K/W
*)PC-board: FR4
LS T670, LO T670, LY T670
LG T670, LP T670
Semiconductor Group 4
Kennwerte (TA = 25 ˚C)
Characteristics
Bezeichnung
Parameter Symbol
Symbol Werte
Values Einheit
Unit
LS LO LY LG LP
Wellenlänge des emittierten Lichtes (typ.)
Wavelength at peak emission (typ.)
IF= 10 mA
λpeak 635 610 586 565 557 nm
Dominantwellenlänge (typ.)
Dominant wavelength (typ.)
IF= 10 mA
λdom 628 605 590 570 560 nm
Spektrale Bandbreite bei 50 % Irel max (typ.)
Spectral bandwidth at 50 % Irel max (typ.)
IF= 10 mA
∆λ45 40 45 25 22 nm
Abstrahlwinkel bei 50 % Iv (Vollwinkel)
Viewing angle at 50 % Iv
2ϕ120 120 120 120 120 Grad
deg.
Durchlaßspannung (typ.)
Forward voltage (max.)
IF= 10 mA
VF
VF
2.0
2.6 2.0
2.6 2.0
2.6 2.0
2.6 2.0
2.6 V
V
Sperrstrom (typ.)
Reverse current (max.)
VR= 5 V
IR
IR
0.01
10 0.01
10 0.01
10 0.01
10 0.01
10 µA
µA
Kapazität (typ.)
Capacitance
VR= 0 V, f = 1 MHz
C0128 101515pF
Schaltzeiten:
Switching times:
IV from 10 % to 90 % (typ.)
IV from 90 % to 10 % (typ.)
IF= 100 mA, tp = 10 µs, RL= 50 Ω
tr
tf
300
150 300
150 300
150 450
200 450
200 ns
ns
LS T670, LO T670, LY T670
LG T670, LP T670
Semiconductor Group 5
Relative spektrale Emission Irel =f (λ),TA= 25 ˚C, IF= 10 mA
Relative spectral emission
V(λ) = spektrale Augenempfindlichkeit
Standard eye response curve
Abstrahlcharakteristik Irel = f (ϕ)
Radiation characteristic
LS T670, LO T670, LY T670
LG T670, LP T670
Semiconductor Group 6
Durchlaßstrom IF = f (VF)
Forward current
TA = 25 ˚C
Zulässige ImpulsbelastbarkeitIF = f (tp)
Permissible pulse handling capability
Duty cycle D = parameter, TA = 25 ˚C
Relative Lichtstärke IV/IV(10 mA) = f (IF)
Relative luminous intensity
TA = 25 ˚C
Maximal zulässiger Durchlaßstrom
Max. permissible forward current
IF = f (TA)
LS T670, LO T670, LY T670
LG T670, LP T670
Semiconductor Group 7
Wellenlänge der Strahlung λpeak =f (TA)
Wavelength at peak emission
IF = 10 mA
Durchlaßspannung VF = f (TA)
Forward voltage
IF = 10 mA
Dominantwellenlänge λdom =f (TA)
Dominant wavelength
IF = 10 mA
Relative Lichtstärke IV/IV(25 ˚C ) = f (TA)
Relative luminous intensity
IF = 10 mA
LS T670, LO T670, LY T670
LG T670, LP T670
Semiconductor Group 8
LS T670, LO T670, LY T670
LG T670, LP T670
Maßzeichnung (Maße in mm, wenn nicht anders angegeben)
Package Outlines (Dimensions in mm, unless otherwise specified)
Kathodenkennung: abgeschrägte Ecke
Cathode mark: bevelled edge
GPL06724
