Technische Information / Technical Information
Dioden-Modul mit Chopper-IGB
T
Diode Module with Chopper-IGBT DD B6U 100 N 16 RR
Elektrische Eigenschaften / Electrical propertie
s
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Netz-Diode / Rectifier diode
Periodische Spitzensperrspannung Tvj = - 40°C...Tvj max VRRM 1600 V
repetitive peak reverse voltage
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert (pro Element) IFRMSM 60 A
RMS forward current (per chip)
Ausgangsstrom TC = 100°C Id100 A
output current TC = 97°C 104 A
Stoßstrom-Grenzwert Tvj = 25°C, tp = 10ms IFSM 650 A
surge forward current Tvj = Tvj max, tp = 10ms 550 A
Grenzlastintegral Tvj = 25°C, tp = 10ms I²t 2100 A²s
I²t-value Tvj = Tvj max, tp = 10ms 1500 A²s
IGBT
Kollektor-Emitter-Sperrspannung VCES 1200 V
collector-emitter voltage
Kollektor-Dauergleichstrom IC50 A
DC-collector current
Periodischer Kollektor-Spitzenstrom tp = 1ms ICRM 100 A
repetitive peak collektor current
Gesamt-Verlustleistung TC = 25°C Ptot 350 W
total power dissipation
Gate-Emitter Spitzenspannung VGE ± 20 V
gate-emitter peak voltage
Schnelle Diode / Fast diode
Dauergleichstrom IF25 A
DC forward current
Periodischer Spitzenstrom tp = 1ms IFRM 50 A
repetitive peak forward current
Modul
Isolations-Prüfspannung RMS, f = 50Hz, t = 1min VISOL 2,5 kV
insulation test voltage
Charakteristische Werte / Characteristic values
Netz-Diode / Rectifier diode min. typ. max.
Durchlaßspannung Tvj = Tvj max, iF = 100A vF1,55 V
forward voltage
Schleusenspannung Tvj = Tvj max V
(
TO
)
0,75 V
threshold voltage
Ersatzwiderstand Tvj = Tvj max r
T
5,5 mΩ
forward slope resistance
Sperrstrom Tvj = Tvj max,
vR = VRRM iR5mA
reverse current
IGBT
Kollektor-Emitter Sättigungsspannung Tvj = 25°C, iC = 50A, vGE = 20V vCE sat 2,5 3,2 V
collector-emitter saturation voltage Tvj = 125°C, iC = 50A, vGE = 20V 3,1
Gate-Emitter-Schwellspannung Tvj = 25°C, iC = 2mA, vGE = vCE vGE
(
TO
)
4,5 5,5 6,5 V
gate-emitter threshold voltage
BIP PPE 4 rev.
2
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A
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Dioden-Modul mit Chopper-IGB
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Diode Module with Chopper-IGBT DD B6U 100 N 16 RR
IGBT min. typ. max.
Eingangskapazität Tvj = 25°C, f0 = 1MHz, Cies 3,3 nF
input capacitance vCE = 25V, vGE = 0V
Kollektor-Emitter Reststrom Tvj = 25°C, vCE = 1200V, vGE = 0V iCES 0,8 1 mA
collector-emitter cut-off current Tvj = 125°C, vCE = 1200V, vGE = 0V 4,0
Gate-Emitter Reststrom Tvj = 25°C, vCE = 0V, vGE = 20V iGES 500 nA
gate leakage current
Emitter-Gate Reststrom Tvj = 25°C, vCE = 0V, vEG = 20V iEGS 500 nA
gate-leakage current
Schnelle Diode / Fast diode
Durchlaßspannung Tvj = 25°C, iF = 25A vF2,3 2,9 V
forward voltage Tvj = 125°C, iF = 25A 1,8
Sperrverzögerungsladung iFM = 25A, -di/dt = 800A/µs, vR = 600V Q
recovered charge Tvj = 25°C 2,3 µAs
Tvj = 125°C 6,0 µAs
Thermische Eigenschaften / Thermal propertie
s
Innerer Wärmewiderstand Netz-Diode / Rectifier diode, Θ = 120°rect RthJC max. 1,15 °C/W
thermal resistance, junction to case Transistor / Transistor, DC max. 0,38 °C/W
Schnelle Diode / Fast diode, DC max. 1,00 °C/W
Übergangs-Wärmewiderstand Netz-Diode / Rectifier diode RthC
K
max. 0,25 °C/W
thermal resistance, case to heatsink Transistor / Transistor max. 0,24 °C/W
Schnelle Diode / Fast diode max. 0,30 °C/W
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur Tv
j
ma
x
150 °C
max. junction temperature
Betriebstemperatur Tc o
p
- 40...+150 °C
operating temperature
Lagertemperatur Tst
g
- 40...+150 °C
storage temperature
Mechanische Eigenschaften / Mechanical propertie
s
Gehäuse, siehe Anlage Seite 3
case, see appendix page 3
Innere Isolation Al2O3
internal insulation
Anzugsdrehmoment für mechanische Befestigung Toleranz / tolerance ±15% M1 4 Nm
mounting torque
Gewicht G typ. 185 g
weight
Kriechstrecke 12,5 mm
creepage distance
Kühlkörper / heatsinks :
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Di
o
d
en-
M
o
d
u
l
m
it
Ch
opper-
IGBT
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