ハイブリッド型 ホールIC EWシリーズ
●最大定格（Ta=25℃）
（＊）70℃以上に関しましては使用電圧範囲を参照下さい。
●電気的特性（Ta=25℃）
1［mT］=10［Gauss］
項 目
測 定 条 件
最小
単位
記号
4.5
1
-6
2
12
3
-3
6
5
26.4
6
-1
0.4
1
6
V
mT
mT
mT
V
μA
mA
標準
最大
出力L→H磁束密度
ヒステリシス幅
出力飽和電圧
出力漏れ電流
電源電流
Vcc=12V
Vcc=12V
Vcc=12V
Vcc=12V,OUT''L'',Isink=10mA
Vcc=12V,OUT''H'',Vout=12V
Vcc=12V,OUT''H''
VCC
BOP
Brp
Bh
Vsat
Ileak
I
cc
出力H→L磁束密度
動作電圧範囲
項 目 定 格
単 位
記号
Vcc
Vo(off)
Isink
Topr
Tstg
26.4（＊）
Vcc
10
−40 〜 115
−40 〜 125
V
V
mA
℃
℃
電源電圧
出力流入電流
出力開放電圧
動作周囲温度
保存温度 安定化電源
ホール素子
出力トランジスタ
シュミットト リ ガ 回路
増幅回路
1:Vcc
3:OUT
2:GND
Reg.
Amp.
●回路構成
●磁電変換特性
S
N
マーク面
印加磁束の方向
1：Vcc
2：GND
3：OUT
123
プルアップ抵抗付（EW712B）もございます。
詳細は弊社までお問い合わせ下さい。
N極 S極
0BopBrp
Bh
Vsat L
Vout
H
磁束密度
EW710B
電源電圧
4.5〜26.4Ｖ
交番検知 高感度
Bop：3mT
出力形式
オープンコレクタ
薄型SIP
パッケ ージ
EW710Bは、InSb高感度ホール素子と波形整形用ICを独自のアセンブル技術を用いてハイブリッド化したものです。
高感度InSbホール素子を用いている為、デューディー 比の良いTTLレベルのデジタル信号を広い温度範囲に亘って得ることができます。
梱包は500個/袋のバルク供給となります。
ホール素子
常時駆動
注意：弊社製品のご検討にあたっては本カタログ表紙裏の「重要注意事項」を良くお読み下さい。
EW710B
●動作磁束密度温度特性 ●動作磁束密度電源電圧依存性
6
4
2
0
−
2
−
4
−
6
−
60
−
40
−
20 0 20 40 60 80 100 120 140
Bop
Brp
動作磁束密度［mT］
周囲温度（℃）
Vcc＝12V
6
4
2
0
−
2
−
4
−
65101520 30250
動作磁束密度［mT］
Vcc（V）
Ta＝25℃
Bop
Brp
•製品はある確率で故障する可能性があります。医療機器、自動車、航空宇宙機器、原子力制御用機器等、その装置・機器の故障や動作不良が直接または間接を問わず、生命・身体・財
産等へ重大な損害を及ぼすことが通常予想されるような極めて高い信頼性を要求される用途に弊社製品を使用される場合は、必ず事前に弊社の書面による同意をおとりください。
•本資料の掲載内容は予告なく変更されることがあります。
●使用電圧範囲●外形寸法図（単位：ｍｍ）
30
25
20
15
10
5
0
入力電圧［V］
–60 –40 –20 0 20 40 60 80 100 120 140
周囲温度［℃］
5°
5°
5°
10°
10°
45°
4.1
φ0.3
SensorCenter 1.15
0.25
1.27
0.55
3
−
0.4
0.6
3.0Max.15.0
1.27
123 3：OUT
2：GND
1：Vcc
※注 センサの中心はφ0.3mmの
円内に位置します。
c
e
m
p
q
