DAN803 / DAP803 / DA4148A/K (200 mW)
DAN803 / DAP803 / DA4148A/K (200 mW)
Small Signal Diode Arrays
Diodensätze mit Allzweckdioden
Version 2008-06-06
Dimensions - Maße [mm]
Nominal power dissipation
Nenn-Verlustleistung
200 mW
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
80 V
9-pin Plastic case
9-Pin Kunststoffgehäuse
24 x 3.5 x 6.6 [mm]
Weight approx. – Gewicht ca. 0.6 g
Standard packaging bulk
Standard Lieferform lose im Karton
“DAN” / DA4148“K“ common cathodes / gemeinsame Kathoden “DAP” / DA4148“A“ common anodes / gemeinsame Anoden
Maximum ratings Grenzwerte
Type
Typ
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
VRRM [V] 1)
Surge peak reverse voltage
Stoßspitzensperrspannung
VRSM [V] 1)
DAN803 = DA4148K 80 80
DAP803 = DA4148A 80 80
Max. average forward rectified current, R-load
for one diode operation only
for simultaneous operation
TA = 25°C
IFAV
IFAV
100 mA 2)
25 mA 2)
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last
für eine einzelne Diode
bei gleichzeitigem Betrieb beider Dioden
TA = 25°C
IFAV
IFAV
100 mA 2)
25 mA 2)
Peak forward surge current, 50 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 50 Hz Sinus-Halbwelle
TA = 25°C IFSM 500 mA
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
Tj
TS
-50...+150°C
-50...+150°C
1 Per diode – Pro Diode
2 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 3 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 3 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
© Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1
6.6
Ø 0.5
3.5
3.5
Type / Typ
8 x 2.54
24
±0.2
984
26 753
1
984
26 7531
DAN803 / DAP803 / DA4148A/K (200 mW)
Characteristics Kennwerte
Forward voltage
Durchlass-Spannung
Tj = 25°C IF = 10 mA VF< 1.0 V 1)
Leakage current
Sperrstrom
Tj = 25°C VR = 20 V IR< 25 nA
Reverse recovery time
Sperrverzug
IF = 10 mA through/über
IR = 10 mA to IR = 1 mA
trr < 4 ns
Thermal resistance junction to case
Wärmewiderstand Sperrschicht – Gehäuse
RthC < 85 K/W 2)
1 Per diode – Pro Diode
2 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 3 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 3 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
2http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG
120
100
80
60
40
20
0
[%]
I
FAV
Rated forward current versus ambient temperature )
Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp. )
1
1
[°C]
T
A
150100
50
0
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
V
F
[V] 1.41.00.80.60.40
[A]
I
F
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
1
T = 25°C
j
T = 125°C
j
