NTE5584 - NTE Electronics, Inc. - Datasheet.Directory

NTE5580 thru NTE5585

Silicon Controlled Rectifier

for Phase Control Applications

Features:

DCenter Fired Gate

DAll Diffused Design

DLow Gate Current

DLow Thermal Impedance

DHigh Surge

Electrical Characteristics:

Repetitive Peak Off–State and Reverse Voltage, VDRM & VRRM

NTE5580 200V. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

NTE5582 600V. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

NTE5584 1200V. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

NTE5585 1600V. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Maximum RMS On–State Current, I(RMS) 235A. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Maximum Average On–State Current, IT(AV)

TC = +88°C, 180° conduction 150A. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

TC = +80°C, 3 phase conduction 135A. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Maximum Peak One–Cycle, Non–Repetitive Surge Current, ITSM

50Hz 3200A. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

60Hz 3500A. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Maximum I2t for Fusing (1.5msec), I2t 32,000A2sec. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Peak On–State Voltage (TJ = +25°C, 180° conduction, Rated IT(AV)), VTM 1.7V. . . . . . . . . . . . . . . . .

Maximum Thermal Resistance, Junction–to–Case, RthJC 0.14°C/W. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Typical Turn–Off Time (TJ = 125°C), tq250µs. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Rate–of–Rise of Turned–On Current, di/dt 200A/µs. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Operating Junction Temperature Range, TJ–40° to +125°C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Maximum Reverse Recovered Charge (TJ = +25°C), QRR 200µc. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Maximum Critical Rate–of–Rise of Off–State Voltage, dV/dt

Exponential @ Max. Rated TJ200V/µs. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Maximum Required Gate Current to Trigger, IGT

TJ = –40°C 200mA. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

TJ = +25°C 150mA. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Maximum Required Gate Voltage to Trigger (TJ = –40° to +125°C), VGT 3V. . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Peak On–State Voltage, VFNote 1. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Maximum Stud Torque 300 In–Lbs (33.9 N–M). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Note 1. VF = A + B S LN(I) + C S I + D√I

Where: IMIN = 10A

IMAX= 3000A

A = .523

B = .022

C = .0005

D = .038