Transistors PNP silictum Planar pitaxial PNP silicon transistors Epitaxial planar *2N 4890 - Amplification BF et HF HF and LF amplification - Commutation moyenne puissance Medium power switching Complmentaire du 2N 3053 Complementary of 2N 3053 Dissipation de puissance maximate Maximum power dissipation Prot (w) 4 tamblC) tease (PC) 0 25 100 200 * Dispositif recommand Prefered device Donnes principales Principal features VcEo -40 V hoiE (150 mA) 50 - 250 fr 100 MHz min. Boitier TO -39 Case Po Le collecteur est reti au boitier. Colfector is connected to case. Valeurs limites absolues d'utilisation 4 tamp=25C ; Absolute ratings (limiting values) (Saut indications Eoatraires} Pram Tension collecteur-base a Collector-base voltage Voso 60 v Tension collecteur-metteur Vo _ Collector-emitter voltage CEO 40 Vv Tension metteur-base Ve - Emitter-base voltage EBO 5 Vv Courant collecteur | A Collector current c 500 m 1 Dissipation de puissance tomb =25C (1) | Prot w Power dissipation _ tease = 25C (2) 5 Temprature de jonction t Janetion temperature max j 200 C Temprature de stockage min t 65 , Storage temperature max stg +200 Cc Sesesenr 1970 - 06 V/32N 4890 * Caractristiques gnrales a tamb = 25C General characteristics Caractristiques statiques Static characteristics Max) Max. vee 'CEX 0.28 Voce = 60V Courant rsidue! collecteur-metteur LA Collector-emitter cut-off current Vee =+15V | Voce = -60V BEX 0,25 le = 0 Tension de claquage collecteur-base Collector-base Dreskdown voltage Ig = 100 nA V(BR)CBO 60 Vv R = 102 BE Vv *| 50 v BR)CER le = 100 mA (BR) Tension de claquage collecteur-metteur Collector-emitter breakdown voltage | _ B = Vv ~40 v lo = 100 uA {BR)CEO Tension de claquage metteur-base 'c =0 Vier )EBO| 5 Vv Emitter-base breakdown voltage le =100 vA le =150 mA Vv =-25V aie * Valeur statique du rapport du transfert CE * direct du courant Static forward current transfer ratio \c 150 mA ho. * Veg = -10V l91E 50 250 I = 150 mA Tension base-metteur Cc Vv -1,7 Base-emitter voltage Veg = -2.5V BE ' Vv lo = 150 mA Tension de saturation cotlecteur-metteur V -14 Collector-em itter saturation voltage Ip =-15 mA CEsat , v le = 150 mA Tension de saturation base-metteur Vv Bese-emitter saturation voltage lp =-15mA BEsat -17 Vv * Impulsions th= 300ys 5 < 2% Pulsed 2/3* 2N 4890 Caractristiques gnrales & tamh = 25C General characteristics Caractristiques dynamiques (pour petits signaux) Oynamic characteristics jfor small signals) | Frquence de transition c Transition frequency Voge = 10V ty 100 MHz = 20 MHz Veg = -10V Capacit de sortie = Cc. Output capacitance le 0 22b 18 pF f = 1MHz Capacit de | d iti Ves ~O08V paci le la zone de transition _ c Transition zone capacitance lo = 0 1b 80 pF f = 1MHz Caractristiques de commutation Switching characteristics Retard al le x 150 mA eta ja croissance t Delay time Ig = ~15mA d 50 as (Fig. 1) Vee* O8V Temps de croissance Ig =150 mA Rise Pane lp 2-15 mA t 50 ns (Fig. 1) 1 x15) Retard a la dcroissance Cc OmA 0,2 s In, x-15 mA i" a Storage time B1* m. (Fig. 1} Igo =15 mA le x150 mA Temps de dcroissance Ipq =-15 MA Fall time . 81 =15mA u 70 ns (Fig. 1) B2 m Figure : 1 oO . Vv Oscilloscope 1 Oscilloscope 30 V Z, 2 10MQ 1? t < Bons > c < 7pF t th* 200 ns,6 = 2% 3/3