汕头华汕电子器件有限公司
HFP830
对应国外型号
IRF830
N
-Channel Enhancement Mode Field Ef
fect T
ransistor
█
主要用途
█
外形图及引脚排列
1
―栅
极
G
2
―漏
极
D
3
―源
极
S
TO-220
高压高速电源开关。
█
极限值
(
T
a
=25
℃)
T
stg
——贮存温度………………………………
…
-
55~150
℃
T
j
——结温……………
……………………………
-
55~150
℃
V
DSS
——漏极—源极电压…………………………………
500
V
V
DGR
——
漏极—栅极电压
(R
GS
=1M
Ω
)
……………………………
500V
V
GS
——栅极—源极电压…
………………………
………
±
20
V
I
D
——漏极电流(
T
c
=25
℃)…………
………………………
4.5A
P
D
——耗散功
率
(
T
c
=25
℃)………………………………
75
W
█
电参数
(
T
a
=25
℃)
参数符号
符
号
说
明
最小值
典型值
最大值
单
位
测
试
条
件
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS
(
th
)
I
D
(
on
)
R
DS
(
on
)
gfs
Ciss
Coss
Crss
T
d
(
on
)
T
r
T
d
(
off
)
T
f
Qg
Qgs
Qgd
I
S
V
SD
漏—源极击穿电压
零栅压漏极电流
栅极泄漏电流
栅—源极开启电压
导通状态漏极电流
漏—源极导通电阻
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
断开延迟时间
下降时间
栅极总电荷
栅极—源极电荷
栅极—漏极电荷
源极—漏极二极管正向电流
源极—漏极二极管导通电压
500
2.0
4.5
2.5
22
12
10
25
±
100
4.0
1.5
800
200
60
30
30
55
30
30
4.5
1.6
V
µ
A
nA
V
A
Ω
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
A
V
I
D
=250
µ
A
,
V
GS
=0
V
DS
=500V
,
V
GS
=0
V
GS
=
±2
0V
,
V
DS
=0
V
DS
=V
GS
,
I
D
=250
µ
A
V
DS
≥
6.75V
,
V
GS
=10V
V
GS
=10V
,
I
D
=2.5A
V
DS
=10V
,
I
D
=2.5A
V
DS
=25V
,
V
GS
=0
,
f=1MHz
V
DD
=200V
,
I
D
=2.5A
(峰
值)
,
R
G
=15
Ω
V
DS
=0.8V
DSS
,
V
GS
=10V
,
I
D
=4.5A
I
S
=4.5A
,
V
GS
=0
Suppliers Inquiry
Previous
Next
Link
Name *
Reason for Contact
General Inquiry
Place Order
Report Issue
Target Price (Option)
Email Address *
Message *
BOM / Attach Files (Option)
Maximum allowed file size is 10MB