US1A ... US1M
US1A ... US1M
Ultrafast Recovery SMD Rectifier Diodes
SMD-Gleichrichterdioden mit ultraschnellem Sperrverzug
IFAV = 1 A
VF1 < 1.0 V
Tjmax = 150°C
VRRM = 50...1000 V
IFSM = 30/33 A
trr < 50...75 ns
Version 2017-01-17
~ SMA / ~ DO-214AC
Dimensions - Maße [mm]
Typical Applications
Rectification of higher frequencies,
High speed switching
Commercial grade 1)
Typische Anwendungen
Gleichrichtung hoher Frequenzen
Schnelles Schalten
Standardausführung 1)
Features
VRRM up to 1000 V
Compliant to RoHS, REACH,
Conflict Minerals 1)
Besonderheiten
VRRM bis zu 1000 V
Konform zu RoHS, REACH,
Konfliktmineralien 1)
Mechanical Data 1) Mechanische Daten 1)
Taped and reeled 7500 / 13“ Gegurtet auf Rolle
Weight approx. 0.07 g Gewicht ca.
Case material UL 94V-0 Gehäusematerial
Solder & assembly conditions 260°C/10s Löt- und Einbaubedingungen
MSL = 1
Maximum ratings 2) Grenzwerte 2)
Type
Typ
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
VRRM [V]
Surge peak reverse voltage
Stoßspitzensperrspannung
VRSM [V]
US1A 50 50
US1B 100 100
US1D 200 200
US1G 400 400
US1J 600 600
US1K 800 800
US1M 1000 1000
Max. average forward rectified current, R-load
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last TT = 100°C IFAV 1 A
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom f > 15 Hz IFRM 6 A 3)
Peak forward surge current
Stoßstrom in Fluss-Richtung
Half sine-wave
Sinus-Halbwelle
50 Hz (10 ms)
60 Hz (8.3 ms) IFSM
30 A
33 A
Rating for fusing
Grenzlastintegral t < 10 ms i2t 4.5 A2s
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
Tj
TS
-50...+150°C
-50...+150°C
1 Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book
Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches
2 TA = 25°C unless otherwise specified – TA = 25°C wenn nicht anders angegeben
3 Max. temperature of the terminals TT = 100°C – Max. Temperatur der Anschlüsse TT = 100°C
© Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1
Type
Typ
0.15 1
± 0.3
4.5
± 0.3
1.5
±0.1
2.1
± 0.2
2.2
± 0.2
5
± 0.2
2.7
0.2±
Pb
E
L
V
W
E
E
E
R
o
H
S
US1A ... US1M
Characteristics Kennwerte
Type
Typ
Tj = 25°C
Reverse recovery time
Sperrverzugszeit
trr [ns] 1)
Forward voltage
Durchlass-Spannung
VF [V] at / bei IF [A]
US1A...US1D < 50 < 1.0 1
US1G < 50 < 1.25 1
US1J...US1M < 75 < 1.7 1
Leakage current
Sperrstrom
Tj = 25°C
Tj = 100°C VR = VRRM IR
< 5 µA
< 100 µA
Typical junction capacitance
Typische Sperrschichtkapzität VR = 4 V Cj10 pF
Thermal resistance junction to ambient
Wärmewiderstand Sperrschicht – Umgebung RthA < 70 K/W 2)
Thermal resistance junction to terminal
Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschluss RthT < 30 K/W
Disclaimer: See data book page 2 or website
Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet
1 IF = 0.5 A through/über IR = 1 A to/auf IR = 0.25 A
2 Mounted on P.C. board with 25 mm2 copper pads at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 25 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
2http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG
Rated forward current vs. temp. of the terminals
in Abh. v. d. Temp. der TerminalsZul. Richtstrom
120
100
80
60
40
20
0
I
FAV
[%]
[°C]
T
T
150100
50
0
[A]
I
F
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
[V]V
F
10
1
0.1
10
10
-2
-3
US1A...D
US1G
US1J...M
T = 25°C
j