TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Module IGBT-modules FP15R12KE3G EconoPIMTM2ModulmitTrench/FeldstoppIGBT3undEmitterControlled3Diode EconoPIMTM2modulewithtrench/fieldstopIGBT3andEmitterControlled3diode IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter HochstzulassigeWerte/MaximumRatedValues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage Tvj = 25C VCES Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent TC = 80C, Tvj max = 150C TC = 25C, Tvj max = 150C IC nom IC 15 25 PeriodischerKollektor-Spitzenstrom Repetitivepeakcollectorcurrent tP = 1 ms ICRM 30 A Gesamt-Verlustleistung Totalpowerdissipation TC = 25C, Tvj max = 150 Ptot 105 W Gate-Emitter-Spitzenspannung Gate-emitterpeakvoltage VGES +/-20 V CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. Kollektor-Emitter-Sattigungsspannung Collector-emittersaturationvoltage IC = 15 A, VGE = 15 V IC = 15 A, VGE = 15 V Gate-Schwellenspannung Gatethresholdvoltage IC = 0,50 mA, VCE = VGE, Tvj = 25C Gateladung Gatecharge Tvj = 25C Tvj = 125C V 1200 VCE sat A A typ. max. 1,70 2,00 2,15 V V VGEth 5,0 5,8 6,5 V VGE = -15 V ... +15 V QG 0,15 C InternerGatewiderstand Internalgateresistor Tvj = 25C RGint 0,0 Eingangskapazitat Inputcapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 1,10 nF Ruckwirkungskapazitat Reversetransfercapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 0,04 nF Kollektor-Emitter-Reststrom Collector-emittercut-offcurrent VCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tvj = 25C ICES 1,0 mA Gate-Emitter-Reststrom Gate-emitterleakagecurrent VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25C IGES 100 nA Einschaltverzogerungszeit,induktiveLast Turn-ondelaytime,inductiveload IC = 15 A, VCE = 600 V VGE = 15 V RGon = 75 Tvj = 25C Tvj = 125C td on 0,09 0,09 s s Anstiegszeit,induktiveLast Risetime,inductiveload IC = 15 A, VCE = 600 V VGE = 15 V RGon = 75 Tvj = 25C Tvj = 125C tr 0,03 0,05 s s Abschaltverzogerungszeit,induktiveLast Turn-offdelaytime,inductiveload IC = 15 A, VCE = 600 V VGE = 15 V RGoff = 75 Tvj = 25C Tvj = 125C td off 0,42 0,52 s s Fallzeit,induktiveLast Falltime,inductiveload IC = 15 A, VCE = 600 V VGE = 15 V RGoff = 75 Tvj = 25C Tvj = 125C tf 0,07 0,09 s s EinschaltverlustenergieproPuls Turn-onenergylossperpulse IC = 15 A, VCE = 600 V, LS = 45 nH VGE = 15 V, di/dt = 400 A/s RGon = 75 Tvj = 25C Tvj = 125C Eon 1,50 2,10 mJ mJ AbschaltverlustenergieproPuls Turn-offenergylossperpulse IC = 15 A, VCE = 600 V, LS = 45 nH VGE = 15 V, du/dt = 3500 V/s RGoff = 75 Tvj = 25C Tvj = 125C Eoff 1,10 1,50 mJ mJ Kurzschluverhalten SCdata VGE 15 V, VCC = 900 V VCEmax = VCES -LsCE *di/dt ISC Warmewiderstand,ChipbisGehause Thermalresistance,junctiontocase proIGBT/perIGBT RthJC Warmewiderstand,GehausebisKuhlkorper proIGBT/perIGBT Thermalresistance,casetoheatsink Paste=1W/(m*K)/grease=1W/(m*K) RthCH 0,385 TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions Tvj op -40 preparedby:AS dateofpublication:2013-10-03 approvedby:RS revision:3.2 1 tP 10 s, Tvj = 125C 60 A 1,20 K/W K/W 125 C TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Module IGBT-modules FP15R12KE3G Diode,Wechselrichter/Diode,Inverter HochstzulassigeWerte/MaximumRatedValues PeriodischeSpitzensperrspannung Repetitivepeakreversevoltage Tvj = 25C Dauergleichstrom ContinuousDCforwardcurrent PeriodischerSpitzenstrom Repetitivepeakforwardcurrent tP = 1 ms Grenzlastintegral It-value VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125C VRRM 1200 V IF 15 A IFRM 30 A It 60,0 As CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max. 1,65 1,65 2,15 Durchlassspannung Forwardvoltage IF = 15 A, VGE = 0 V IF = 15 A, VGE = 0 V Tvj = 25C Tvj = 125C Ruckstromspitze Peakreverserecoverycurrent IF = 15 A, - diF/dt = 400 A/s (Tvj=125C) VR = 600 V VGE = -15 V Tvj = 25C Tvj = 125C IRM 16,0 15,0 A A Sperrverzogerungsladung Recoveredcharge IF = 15 A, - diF/dt = 400 A/s (Tvj=125C) VR = 600 V VGE = -15 V Tvj = 25C Tvj = 125C Qr 1,80 3,00 C C AbschaltenergieproPuls Reverserecoveryenergy IF = 15 A, - diF/dt = 400 A/s (Tvj=125C) VR = 600 V VGE = -15 V Tvj = 25C Tvj = 125C Erec 0,55 1,10 mJ mJ RthJC Warmewiderstand,GehausebisKuhlkorper proDiode/perdiode Thermalresistance,casetoheatsink Paste=1W/(m*K)/grease=1W/(m*K) RthCH 0,485 TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions Tvj op -40 Warmewiderstand,ChipbisGehause Thermalresistance,junctiontocase proDiode/perdiode VF V V 1,50 K/W K/W 125 C Diode,Gleichrichter/Diode,Rectifier HochstzulassigeWerte/MaximumRatedValues PeriodischeSpitzensperrspannung Repetitivepeakreversevoltage Tvj = 25C VRRM 1600 V DurchlassstromGrenzeffektivwertproChip TC = 80C MaximumRMSforwardcurrentperchip IFRMSM 50 A GleichrichterAusgangGrenzeffektivstrom MaximumRMScurrentatrectifieroutput TC = 80C IRMSM 60 A StostromGrenzwert Surgeforwardcurrent tp = 10 ms, Tvj = 25C tp = 10 ms, Tvj = 150C IFSM 315 260 A A Grenzlastintegral It-value tp = 10 ms, Tvj = 25C tp = 10 ms, Tvj = 150C It 495 340 As As CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max. VF 0,90 V IR 1,00 mA RthJC Warmewiderstand,GehausebisKuhlkorper proDiode/perdiode Thermalresistance,casetoheatsink Paste=1W/(m*K)/grease=1W/(m*K) RthCH 0,32 TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions Tvj op preparedby:AS dateofpublication:2013-10-03 approvedby:RS revision:3.2 Durchlassspannung Forwardvoltage Tvj = 150C, IF = 15 A Sperrstrom Reversecurrent Tvj = 150C, VR = 1600 V Warmewiderstand,ChipbisGehause Thermalresistance,junctiontocase proDiode/perdiode 2 1,00 K/W K/W C TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Module IGBT-modules FP15R12KE3G IGBT,Brems-Chopper/IGBT,Brake-Chopper HochstzulassigeWerte/MaximumRatedValues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage Tvj = 80C VCES Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent TC = 80C, Tvj max = 150C TC = 25C, Tvj max = 150C IC nom IC 10 18 PeriodischerKollektor-Spitzenstrom Repetitivepeakcollectorcurrent tP = 1 ms ICRM 20 A Gesamt-Verlustleistung Totalpowerdissipation TC = 25C, Tvj max = 150 Ptot 83,5 W Gate-Emitter-Spitzenspannung Gate-emitterpeakvoltage VGES +/-20 V CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. Kollektor-Emitter-Sattigungsspannung Collector-emittersaturationvoltage IC = 10 A, VGE = 15 V IC = 10 A, VGE = 15 V Gate-Schwellenspannung Gatethresholdvoltage IC = 0,30 mA, VCE = VGE, Tvj = 25C Gateladung Gatecharge Tvj = 25C Tvj = 125C V 1200 VCE sat A A typ. max. 1,85 2,25 2,45 V V VGEth 5,0 5,8 6,5 V VGE = -15 V ... +15 V QG 0,10 C InternerGatewiderstand Internalgateresistor Tvj = 25C RGint 0,0 Eingangskapazitat Inputcapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 0,60 nF Ruckwirkungskapazitat Reversetransfercapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 0,026 nF Kollektor-Emitter-Reststrom Collector-emittercut-offcurrent VCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tvj = 25C ICES 1,0 mA Gate-Emitter-Reststrom Gate-emitterleakagecurrent VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25C IGES 100 nA Einschaltverzogerungszeit,induktiveLast Turn-ondelaytime,inductiveload IC = 10 A, VCE = 600 V VGE = 15 V RGon = 100 Tvj = 25C Tvj = 125C td on 0,09 0,09 s s Anstiegszeit,induktiveLast Risetime,inductiveload IC = 10 A, VCE = 600 V VGE = 15 V RGon = 100 Tvj = 25C Tvj = 125C tr 0,03 0,05 s s Abschaltverzogerungszeit,induktiveLast Turn-offdelaytime,inductiveload IC = 10 A, VCE = 600 V VGE = 15 V RGoff = 100 Tvj = 25C Tvj = 125C td off 0,42 0,52 s s Fallzeit,induktiveLast Falltime,inductiveload IC = 10 A, VCE = 600 V VGE = 15 V RGoff = 100 Tvj = 25C Tvj = 125C tf 0,07 0,09 s s EinschaltverlustenergieproPuls Turn-onenergylossperpulse IC = 10 A, VCE = 600 V, LS = t.b.d. nH VGE = 15 V RGon = 100 Tvj = 25C Tvj = 125C Eon 1,00 1,40 mJ mJ AbschaltverlustenergieproPuls Turn-offenergylossperpulse IC = 10 A, VCE = 600 V, LS = t.b.d. nH VGE = 15 V RGoff = 100 Tvj = 25C Tvj = 125C Eoff 0,90 1,20 mJ mJ Kurzschluverhalten SCdata VGE 15 V, VCC = 900 V VCEmax = VCES -LsCE *di/dt ISC Warmewiderstand,ChipbisGehause Thermalresistance,junctiontocase proIGBT/perIGBT RthJC Warmewiderstand,GehausebisKuhlkorper proIGBT/perIGBT Thermalresistance,casetoheatsink Paste=1W/(m*K)/grease=1W/(m*K) RthCH 0,485 TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions Tvj op -40 preparedby:AS dateofpublication:2013-10-03 approvedby:RS revision:3.2 3 tP 10 s, Tvj = 125C 40 A 1,50 K/W K/W 125 C TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Module IGBT-modules FP15R12KE3G Diode,Brems-Chopper/Diode,Brake-Chopper HochstzulassigeWerte/MaximumRatedValues PeriodischeSpitzensperrspannung Repetitivepeakreversevoltage Tvj = 80C Dauergleichstrom ContinuousDCforwardcurrent PeriodischerSpitzenstrom Repetitivepeakforwardcurrent tP = 1 ms Grenzlastintegral It-value VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125C VRRM 1200 V IF 10 A IFRM 20 A It 20,0 As CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max. 1,80 1,85 2,25 Durchlassspannung Forwardvoltage IF = 10 A, VGE = 0 V IF = 10 A, VGE = 0 V Tvj = 25C Tvj = 125C Ruckstromspitze Peakreverserecoverycurrent IF = 10 A, - diF/dt = 400 A/s (Tvj=125C) VR = 600 V Tvj = 25C Tvj = 125C IRM 14,0 15,0 A A Sperrverzogerungsladung Recoveredcharge IF = 10 A, - diF/dt = 400 A/s (Tvj=125C) VR = 600 V Tvj = 25C Tvj = 125C Qr 1,00 1,80 C C AbschaltenergieproPuls Reverserecoveryenergy IF = 10 A, - diF/dt = 400 A/s (Tvj=125C) VR = 600 V Tvj = 25C Tvj = 125C Erec 0,26 0,56 mJ mJ Warmewiderstand,ChipbisGehause Thermalresistance,junctiontocase proDiode/perdiode RthJC Warmewiderstand,GehausebisKuhlkorper proDiode/perdiode Thermalresistance,casetoheatsink Paste=1W/(m*K)/grease=1W/(m*K) RthCH 0,74 TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions Tvj op -40 125 min. typ. max. R25 5,00 k R/R -5 5 % P25 20,0 mW VF V V 2,30 K/W K/W C NTC-Widerstand/NTC-Thermistor CharakteristischeWerte/CharacteristicValues Nennwiderstand Ratedresistance TC = 25C AbweichungvonR100 DeviationofR100 TC = 100C, R100 = 493 Verlustleistung Powerdissipation TC = 25C B-Wert B-value R2 = R25 exp [B25/50(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/50 3375 K B-Wert B-value R2 = R25 exp [B25/80(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/80 t.b.d. K B-Wert B-value R2 = R25 exp [B25/100(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/100 t.b.d. K AngabengemagultigerApplicationNote. Specificationaccordingtothevalidapplicationnote. preparedby:AS dateofpublication:2013-10-03 approvedby:RS revision:3.2 4 TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Module IGBT-modules FP15R12KE3G Modul/Module Isolations-Prufspannung Isolationtestvoltage RMS, f = 50 Hz, t = 1 min MaterialModulgrundplatte Materialofmodulebaseplate InnereIsolation Internalisolation Basisisolierung(Schutzklasse1,EN61140) basicinsulation(class1,IEC61140) Kriechstrecke Creepagedistance VISOL 2,5 kV Cu AI203 Kontakt-Kuhlkorper/terminaltoheatsink Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal 10,0 mm Luftstrecke Clearance Kontakt-Kuhlkorper/terminaltoheatsink Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal 7,5 mm VergleichszahlderKriechwegbildung Comperativetrackingindex CTI > 225 min. typ. RthCH 0,02 LsCE 60 nH RCC'+EE' RAA'+CC' 4,00 3,00 m Tstg -40 125 C SchraubeM5-Montagegem.gultigerApplikationsschrift ScrewM5-Mountingaccordingtovalidapplicationnote M 3,00 - 6,00 Nm Gewicht Weight G 180 g preparedby:AS dateofpublication:2013-10-03 approvedby:RS revision:3.2 Warmewiderstand,GehausebisKuhlkorper proModul/permodule Thermalresistance,casetoheatsink Paste=1W/(m*K)/grease=1W/(m*K) Modulstreuinduktivitat Strayinductancemodule Modulleitungswiderstand,AnschlusseChip Moduleleadresistance,terminals-chip TC=25C,proSchalter/perswitch Lagertemperatur Storagetemperature Anzugsdrehmomentf.Modulmontage Mountingtorqueformodulmounting 5 max. K/W TechnischeInformation/TechnicalInformation FP15R12KE3G IGBT-Module IGBT-modules AusgangskennlinieIGBT,Wechselrichter(typisch) outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical) IC=f(VCE) VGE=15V AusgangskennlinienfeldIGBT,Wechselrichter(typisch) outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical) IC=f(VCE) Tvj=125C 30 30 Tvj = 25C Tvj = 125C 24 24 21 21 18 18 15 15 12 12 9 9 6 6 3 3 0 0,0 0,5 1,0 VGE = 19 V VGE = 17 V VGE = 15 V VGE = 13 V VGE = 11 V VGE = 9 V 27 IC [A] IC [A] 27 1,5 2,0 VCE [V] 2,5 3,0 0 3,5 UbertragungscharakteristikIGBT,Wechselrichter(typisch) transfercharacteristicIGBT,Inverter(typical) IC=f(VGE) VCE=20V 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 VCE [V] 3,5 4,0 4,5 5,0 SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch) switchinglossesIGBT,Inverter(typical) Eon=f(IC),Eoff=f(IC) VGE=15V,RGon=75,RGoff=75,VCE=600V 30 7 Tvj = 25C Tvj = 125C 27 Eon, Tvj = 125C Eoff, Tvj = 125C 6 24 5 21 4 E [mJ] IC [A] 18 15 3 12 9 2 6 1 3 0 5 6 7 8 9 VGE [V] 10 11 0 12 preparedby:AS dateofpublication:2013-10-03 approvedby:RS revision:3.2 6 0 5 10 15 IC [A] 20 25 30 TechnischeInformation/TechnicalInformation FP15R12KE3G IGBT-Module IGBT-modules SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch) switchinglossesIGBT,Inverter(typical) Eon=f(RG),Eoff=f(RG) VGE=15V,IC=15A,VCE=600V TransienterWarmewiderstandIGBT,Wechselrichter transientthermalimpedanceIGBT,Inverter ZthJC=f(t) 3,0 10 Eon, Tvj = 125C Eoff, Tvj = 125C ZthJC : IGBT 2,5 1 ZthJC [K/W] E [mJ] 2,0 1,5 1,0 0,1 0,5 0,0 i: 1 2 3 4 ri[K/W]: 0,1363 0,5453 0,3066 0,2118 i[s]: 0,003345 0,0282 0,1128 0,282 40 50 60 70 80 0,01 0,001 90 100 110 120 130 140 RG [] SichererRuckwarts-ArbeitsbereichIGBT,Wechselrichter (RBSOA) reversebiassafeoperatingareaIGBT,Inverter(RBSOA) IC=f(VCE) VGE=15V,RGoff=75,Tvj=125C 35 IC, Modul IC, Chip 0,01 0,1 t [s] 1 10 DurchlasskennliniederDiode,Wechselrichter(typisch) forwardcharacteristicofDiode,Inverter(typical) IF=f(VF) 30 Tvj = 25C Tvj = 125C 30 25 25 20 IF [A] IC [A] 20 15 15 10 10 5 5 0 0 200 400 600 800 VCE [V] 1000 1200 0 1400 preparedby:AS dateofpublication:2013-10-03 approvedby:RS revision:3.2 7 0,0 0,5 1,0 1,5 VF [V] 2,0 2,5 3,0 TechnischeInformation/TechnicalInformation FP15R12KE3G IGBT-Module IGBT-modules SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch) switchinglossesDiode,Inverter(typical) Erec=f(IF) RGon=75,VCE=600V SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch) switchinglossesDiode,Inverter(typical) Erec=f(RG) IF=15A,VCE=600V 2,0 2,0 Erec, Tvj = 125C 1,8 1,8 1,6 1,6 1,4 1,4 1,2 1,2 E [mJ] E [mJ] Erec, Tvj = 125C 1,0 1,0 0,8 0,8 0,6 0,6 0,4 0,4 0,2 0,2 0,0 0 5 10 15 IF [A] 20 25 0,0 30 TransienterWarmewiderstandDiode,Wechselrichter transientthermalimpedanceDiode,Inverter ZthJC=f(t) 40 50 60 70 80 90 100 110 120 130 140 RG [] DurchlasskennliniederDiode,Gleichrichter(typisch) forwardcharacteristicofDiode,Rectifier(typical) IF=f(VF) 10 30 ZthJC : Diode Tvj = 25C Tvj = 150C 25 20 IF [A] ZthJC [K/W] 1 0,1 10 5 i: 1 2 3 4 ri[K/W]: 0,1514 0,9778 0,2816 0,0892 i[s]: 0,003333 0,03429 0,1294 0,7662 0,01 0,001 15 0,01 0,1 t [s] 1 0 10 preparedby:AS dateofpublication:2013-10-03 approvedby:RS revision:3.2 8 0,0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7 0,8 0,9 1,0 1,1 1,2 VF [V] TechnischeInformation/TechnicalInformation FP15R12KE3G IGBT-Module IGBT-modules AusgangskennlinieIGBT,Brems-Chopper(typisch) outputcharacteristicIGBT,Brake-Chopper(typical) IC=f(VCE) VGE=15V DurchlasskennliniederDiode,Brems-Chopper(typisch) forwardcharacteristicofDiode,Brake-Chopper(typical) IF=f(VF) 20,0 20 Tvj = 25C Tvj = 125C 16,0 16 14,0 14 12,0 12 10,0 10 8,0 8 6,0 6 4,0 4 2,0 2 0,0 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 VCE [V] 2,5 3,0 0 3,5 100000 Rtyp R[] 10000 1000 0 20 40 60 0,0 0,5 1,0 1,5 VF [V] NTC-Widerstand-Temperaturkennlinie(typisch) NTC-Thermistor-temperaturecharacteristic(typical) R=f(T) 100 Tvj = 25C Tvj = 125C 18 IF [A] IC [A] 18,0 80 100 TC [C] 120 140 160 preparedby:AS dateofpublication:2013-10-03 approvedby:RS revision:3.2 9 2,0 2,5 TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Module IGBT-modules FP15R12KE3G Schaltplan/circuit_diagram_headline Gehauseabmessungen/packageoutlines preparedby:AS dateofpublication:2013-10-03 approvedby:RS revision:3.2 10 TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Module IGBT-modules FP15R12KE3G Nutzungsbedingungen DieindiesemProduktdatenblattenthaltenenDatensindausschlielichfurtechnischgeschultesFachpersonalbestimmt.DieBeurteilung derEignungdiesesProduktesfurIhreAnwendungsowiedieBeurteilungderVollstandigkeitderbereitgestelltenProduktdatenfurdiese AnwendungobliegtIhnenbzw.IhrentechnischenAbteilungen. IndiesemProduktdatenblattwerdendiejenigenMerkmalebeschrieben,furdiewireineliefervertraglicheGewahrleistungubernehmen.Eine solcheGewahrleistungrichtetsichausschlielichnachMagabederimjeweiligenLiefervertragenthaltenenBestimmungen.Garantien jeglicherArtwerdenfurdasProduktunddessenEigenschaftenkeinesfallsubernommen.DieAngabenindengultigenAnwendungs-und MontagehinweisendesModulssindzubeachten. SolltenSievonunsProduktinformationenbenotigen,dieuberdenInhaltdiesesProduktdatenblattshinausgehenundinsbesondereeine spezifischeVerwendungunddenEinsatzdiesesProduktesbetreffen,setzenSiesichbittemitdemfurSiezustandigenVertriebsburoin Verbindung(siehewww.infineon.com,Vertrieb&Kontakt).FurInteressentenhaltenwirApplicationNotesbereit. AufgrunddertechnischenAnforderungenkonnteunserProduktgesundheitsgefahrdendeSubstanzenenthalten.BeiRuckfragenzudenin diesemProduktjeweilsenthaltenenSubstanzensetzenSiesichbitteebenfallsmitdemfurSiezustandigenVertriebsburoinVerbindung. SolltenSiebeabsichtigen,dasProduktinAnwendungenderLuftfahrt,ingesundheits-oderlebensgefahrdendenoderlebenserhaltenden Anwendungsbereicheneinzusetzen,bittenwirumMitteilung.Wirweisendaraufhin,dasswirfurdieseFalle -diegemeinsameDurchfuhrungeinesRisiko-undQualitatsassessments; -denAbschlussvonspeziellenQualitatssicherungsvereinbarungen; -diegemeinsameEinfuhrungvonManahmenzueinerlaufendenProduktbeobachtungdringendempfehlenund gegebenenfallsdieBelieferungvonderUmsetzungsolcherManahmenabhangigmachen. Soweiterforderlich,bittenwirSie,entsprechendeHinweiseanIhreKundenzugeben. InhaltlicheAnderungendiesesProduktdatenblattsbleibenvorbehalten. Terms&Conditionsofusage Thedatacontainedinthisproductdatasheetisexclusivelyintendedfortechnicallytrainedstaff.Youandyourtechnicaldepartmentswill havetoevaluatethesuitabilityoftheproductfortheintendedapplicationandthecompletenessoftheproductdatawithrespecttosuch application. Thisproductdatasheetisdescribingthecharacteristicsofthisproductforwhichawarrantyisgranted.Anysuchwarrantyisgranted exclusivelypursuantthetermsandconditionsofthesupplyagreement.Therewillbenoguaranteeofanykindfortheproductandits characteristics.Theinformationinthevalidapplication-andassemblynotesofthemodulemustbeconsidered. Shouldyourequireproductinformationinexcessofthedatagiveninthisproductdatasheetorwhichconcernsthespecificapplicationof ourproduct,pleasecontactthesalesoffice,whichisresponsibleforyou(seewww.infineon.com).Forthosethatarespecifically interestedwemayprovideapplicationnotes. Duetotechnicalrequirementsourproductmaycontaindangeroussubstances.Forinformationonthetypesinquestionpleasecontactthe salesoffice,whichisresponsibleforyou. 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