2007-03-30 1
200 7- 03- 3 0
Silicon NPN Phototransistor
NPN-Silizium-Fototransistor
Version 1.0
BPX 81
Features: Besondere Merkmale:
•Spectral range of sensitivity: 450 ... 1100 nm • Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit:
450 ... 1100 nm
•Package: Miniature Array, Epoxy • Gehäuse: Miniatur Array, Harz
•Special: One-digit array package • Besonderheit: Einstellige Zeilenbauform
• High linearity • Hohe Linearität
• Available in groups • Gruppiert lieferbar
Applications Anwendungen
• Computer-controlled flashes • Computer-Blitzlichtgeräte
• Miniature photointerrupters • Miniatur Lichtschranken
• Industrial electronics • Industrieelektronik
• For control and drive circuits • Messen / Steuern / Regeln
2007-03-30 2
Version 1.0 BPX 81
Ordering Information
Bestellinformation
Maximum Ratings (TA = 25 °C)
Grenzwerte
Type: Photocurrent Ordering Code
Typ: Fotostrom Bestellnummer
λ = 950 nm, Ee = 0.5 mW/cm2, VCE = 5 V
IPCE [µA]
BPX 81 > 250 Q62702P0020
BPX 81-2/3 250 ... 800 Q62702P3583
BPX 81-3 400 ... 800 Q62702P0043S003
BPX 81-3/4 > 400 Q62702P3584
BPX 81-4 > 630 Q62702P0043S004
Note: Only one bin within one packing unit (variation less than 2:1)
Anm.: Nur eine Gruppe pro Verpackungseinheit (Streuung kleiner 2:1)
Parameter Symbol Values Unit
Bezeichnung Symbol Werte Einheit
Operating and storage temperature range
Betriebs- und Lagertemperatur
Top; Tstg -40 ... 80 °C
Collector-emitter voltage
Kollektor-Emitter-Spannung
VCE 35 V
Collector current
Kollektorstrom
IC50 mA
Collector surge current
Kollektorspitzenstrom
(τ < 10 µs)
ICS 200 mA
Emitter-collector voltage
Emitter-Kollektor-Spannung
VEC 7V
Total power dissipation
Verlustleistung
Ptot 90 mW
Thermal resistance
Wärmewiderstand
RthJA 750 K / W
Version 1.0 BPX 81
2007-03-30 3
Characteristics (TA = 25 °C)
Kennwerte
Parameter Symbol Values Unit
Bezeichnung Symbol Werte Einheit
Wavelength of max. sensitivity
Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit
λS max 850 nm
Spectral range of sensitivity
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit
λ10% 450 ... 1100 nm
Radiant sensitive area
Bestrahlungsempfindliche Fläche
A0.11mm
2
Dimensions of chip area
Abmessung der Chipfläche
L x W 0.55 x 0.55 mm x
mm
Half angle
Halbwinkel
ϕ± 18 °
Capacitance
Kapazität
(VCE = 0 V, f = 1 MHz, E = 0)
CCE 7.5 pF
Dark current
Dunkelstrom
(VCE = 20 V, E = 0)
ICE0 1 (≤ 50) nA
Rise and fall time
Anstiegs- und Abfallzeit
(IC = 1 mA, VCE = 5 V, RL = 1 kΩ)
tr, tf7µs
2007-03-30 4
Version 1.0 BPX 81
Grouping (TA = 25 °C, λ = 950 nm)
Gruppierung
Group Min Photocurrent Max
Photocurrent
Typ Photocurrent Rise and fall time
Gruppe Min Fotostrom Max Fotostrom Typ Fotostrom Anstiegs- und
Abfallzeit
Ee = 0.5 mW/cm2,
VCE = 5 V
Ee = 0.5 mW/cm2,
VCE = 5 V
EV = 1000 lx, Std.
Light A, VCE = 5 V
IC = 1 mA,
VCE = 5 V,
RL = 1 kΩ
IPCE, min [µA] IPCE, max [µA] IPCE [µA] tr, tf [µs]
BPX 81-2 250 500 1200 5.5
BPX 81-3 400 800 1900 6
BPX 81-4 630 2900 8
Group Collector-emitter saturation voltage
Gruppe Kollektor-Emitter Sättigungsspannung
IC = IPCEmin x 0.3, Ee = 0.5 mW/cm2
VCEsat [mV]
BPX 81-2 150
BPX 81-3 150
BPX 81-4 150
Note.: IPCEmin is the min. photocurrent of the specified group.
Anm.: IPCEmin ist der minimale Fotostrom der jeweiligen Gruppe.
Version 1.0 BPX 81
2007-03-30 5
Relative Spectral Sensitivity
Relative spektrale Empfindlichkeit
Srel = f(λ)
Photocurrent
Fotostrom
IPCE = f(Ee), VCE = 5 V
Photocurrent
Fotostrom
IPCE / IPCE(25°C)= f(TA), VCE = 5 V
Dark Current
Dunkelstrom
ICEO = f(VCE), E = 0
400
0nm
%
OHF04048
20
40
60
80
100
λ
rel
S
10
30
50
70
500 600 700 800 900 1100
OHF04049
V
CE
0
10
101
10-1
10-2
CEO
I
nA
0V510 15 20 25 30 35
2007-03-30 6
Version 1.0 BPX 81
Dark Current
Dunkelstrom
ICEO = f(TA), E = 0
Collector-Emitter Capacitance
Kollektor-Emitter Kapazität
CCE = f(VCE), f = 1 MHz, E = 0
Total Power Dissipation
Verlustleistung
Ptot = f(TA)
nA
OHF04050
CEO
I
A
T
-2
10
-1
10
100
1
10
102
3
10
104
-25 0 25 50 75 100˚C
0
pF
OHF04051
CE
C
CE
V
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
V
1
2
3
4
5
6
7
8
Version 1.0 BPX 81
2007-03-30 7
Directional Characteristics
Winkeldiagramm
Srel = f(ϕ)
2007-03-30 8
Version 1.0 BPX 81
Package Outline
Maßzeichnung
Dimensions in mm (inch). / Maße in mm (inch).
GEOY6021
2.4 (0.094)
2.1 (0.083)
0.7 (0.028)
0.6 (0.024)
Collector (BPX 81)
Cathode (LD 261)
2.54 (0.100) spacing
1.5 (0.059)
2.1 (0.083)
2.7 (0.106)
2.5 (0.098)
3.2 (0.126)
3.6 (0.142)
3.0 (0.118)
3.5 (0.138)
1.9 (0.075)
1.7 (0.067)
position
Chip
0.25 (0.010)
0.15 (0.006)
1.4 (0.055)
1.0 (0.039)
A
A
0.4
0.5 (0.020)
0.4 (0.016)
Radiant sensitive area
(0.4 x 0.4)
Approx. weight 0.03 g
Detaching area for tools, flash not true to size.1)
5˚...0
Version 1.0 BPX 81
2007-03-30 9
TTW Soldering
Wellenlöten (TTW)
IEC-61760-1 TTW / IEC-61760-1 TTW
OHLY0598
0
0
50 100 150 200 250
50
100
150
200
250
300
T
t
C
s
235 C
10 s
C... 260
1. Welle
1. wave
2. Welle
2. wave
5 K/s 2 K/s
ca 200 K/s
CC... 130100
2 K/s Zwangskühlung
forced cooling
Normalkurve
standard curve
Grenzkurven
limit curves
2007-03-30 10
Version 1.0 BPX 81
Disclaimer Disclaimer
Attention please!
The information describes the type of component and
shall not be considered as assured characteristics.
Terms of delivery and rights to change design reserved.
Due to technical requirements components may contain
dangerous substances.
For information on the types in question please contact
our Sales Organization.
If printed or downloaded, please find the latest version in
the Internet.
Packing
Please use the recycling operators known to you. We
can also help you – get in touch with your nearest sales
office.
By agreement we will take packing material back, if it is
sorted. You must bear the costs of transport. For
packing material that is returned to us unsorted or which
we are not obliged to accept, we shall have to invoice
you for any costs incurred.
Components used in life-support devices or
systems must be expressly authorized for such
purpose!
Critical components* may only be used in life-support
devices** or systems with the express written approval
of OSRAM OS.
*) A critical component is a component used in a
life-support device or system whose failure can
reasonably be expected to cause the failure of that
life-support device or system, or to affect its safety or the
effectiveness of that device or system.
**) Life support devices or systems are intended (a) to be
implanted in the human body, or (b) to support and/or
maintain and sustain human life. If they fail, it is
reasonable to assume that the health and the life of the
user may be endangered.
Bitte beachten!
Lieferbedingungen und Änderungen im Design
vorbehalten. Aufgrund technischer Anforderungen
können die Bauteile Gefahrstoffe enthalten. Für weitere
Informationen zu gewünschten Bauteilen, wenden Sie
sich bitte an unseren Vertrieb. Falls Sie dieses
Datenblatt ausgedruckt oder heruntergeladen haben,
finden Sie die aktuellste Version im Internet.
Verpackung
Benutzen Sie bitte die Ihnen bekannten Recyclingwege.
Wenn diese nicht bekannt sein sollten, wenden Sie sich
bitte an das nächstgelegene Vertriebsbüro. Wir nehmen
das Verpackungsmaterial zurück, falls dies vereinbart
wurde und das Material sortiert ist. Sie tragen die
Transportkosten. Für Verpackungsmaterial, das
unsortiert an uns zurückgeschickt wird oder das wir nicht
annehmen müssen, stellen wir Ihnen die anfallenden
Kosten in Rechnung.
Bauteile, die in lebenserhaltenden Apparaten und
Systemen eingesetzt werden, müssen für diese
Zwecke ausdrücklich zugelassen sein!
Kritische Bauteile* dürfen in lebenserhaltenden
Apparaten und Systemen** nur dann eingesetzt
werden, wenn ein schriftliches Einverständnis von
OSRAM OS vorliegt.
*) Ein kritisches Bauteil ist ein Bauteil, das in
lebenserhaltenden Apparaten oder Systemen
eingesetzt wird und dessen Defekt voraussichtlich zu
einer Fehlfunktion dieses lebenserhaltenden Apparates
oder Systems führen wird oder die Sicherheit oder
Effektivität dieses Apparates oder Systems
beeinträchtigt.
**) Lebenserhaltende Apparate oder Systeme sind für
(a) die Implantierung in den menschlichen Körper oder
(b) für die Lebenserhaltung bestimmt. Falls Sie
versagen, kann davon ausgegangen werden, dass die
Gesundheit und das Leben des Patienten in Gefahr ist.
Version 1.0 BPX 81
2007-03-30 11
Published by OSRAM Opto Semiconductors GmbH
Leibnizstraße 4, D-93055 Regensburg
www.osram-os.com © All Rights Reserved.
