1N5817 ... 1N5819
1N5817 ... 1N5819
Schottky Barrier Rectifiers
Schottky-Barrier-Gleichrichter
Version 2006-04-19
Dimensions - Maße [mm ]
Nominal curr e nt
Nennstrom 1 A
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzen sp err spannung 20...40 V
Plastic case
Kunststoffgehäuse DO-15
DO-204AC
Weight approx.
Gewicht ca. 0.4 g
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Stan dard pack ag in g tape d in am mo pack
Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack
Maximum ratings and Characteristics Grenz- und Kennwerte
Type
Typ Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
VRRM [V]
Surge peak reverse voltage
Stoßspitzensperrspannung
VRSM [V]
Forward voltage
Durchlass-Spannung
VF [V] 1)
1N5817 20 20 < 0.75
1N5818 30 30 < 0.875
1N5819 40 40 < 0.90
Max. average forward rectified current, R-load
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last TA = 75°C IFAV 1 A2)
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom f > 15 Hz IFRM 10 A 2)
Peak forward surge c urrent, 50 Hz half sin e-wave
Stoßstrom für eine 50 Hz Sinus-Halbwelle TA = 25°C IFSM 40 A
Rating for f using, t < 10 ms
Grenzlastintegral, t < 10 ms TA = 25°C i2t8 A
2s
Junction temperat ure – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur Tj
TS
-50...+150°C
-50...+175°C
1I
F = 3 A,Tj = 25°C
2 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlus sdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
© Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1
Type
Ø
±0.05
0.8
Ø
±0.05
3
62.5
±0.5
6.3
±0.1
1N5817 ... 1N5819
Characteristics Kennwerte
Leakage current
Sperrstrom Tj = 25°C
Tj = 100°C VR = VRRM
VR = VRRM
IR
IR
< 1 mA
< 10 mA
Therma l resistance junction to ambient air
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft RthA < 45 K/W 1)
Thermal resistan ce junction to lead s
Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschl ussdraht RthL < 15 K/W
1 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlus sdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
2http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG
120
100
80
60
40
20
0
[%]
I
FAV
Rated forward current versus ambient temperature )
Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp. )
1
1
[°C]
T
A
150100
50
0
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
10
10
1
10
10
2
-1
-2
[A]
I
F
0V
F
0.4 0.6 [V] 1.0
1N5819
1N5818
1N5817
T = 25°C
j
