Transistors NPN silicium Planar pitaxiaux NPN silicium transistors Epitaxial planar Planepox - Amplification BF LF amplification Donnes * 2N 3402 * 2N 3403 * 2N 3404 * 2N 3405 % Dispositif reeommand Prefered device principales Principal features - Commutation faible courant 25 V 50 V 500 mA 2N 2402 2N 3403 2N 3404 2N 3405 75 - 225 2N 3402 2N 3404 180 - 540 2N 3403 2N 3405 Low current switching VcEO Ic ho1E Dissipation de puissance maximale (2 mA) Maximum power dissipation P, lof {mw} 600 EN 490 200 0 50 100 150 tamblC)} Boitier plastique X-28 Plastic case 9] CBE Absolute ratings (limiting values) Valeurs limites absolues d'utilisation @ tamh= 25C See Ssenr Pacombtre 2N3402 | 2Na4n4 a Power : 2N 3403 20.3405 Tension collecteur-base Collector-base voltage Veso 25 50 Vv Tension collecteur-metteur Vv Collector-emitter voltage cEO 25 50 Vv Tension metteur-base Vv Emitter-base voltage EBO 5 5 Vv Courant collecteur Collector current lg 500 500 mA Dissipation de puissance P Power dissipation tot | 560 560 mW Temprature de jonction t Junction temperature max. } 150 150 c J Temprature de stockage min. tet 55 55 Storage temperature max. stg +150 +150 | 1970 -O7 1/22N 3402 * 2N 3403 * 2N 3404 * 2N 3405 * Caractristiques gnrales @ tamb = 25C General characteristics Caractristiques statiques Static characteristics (Sauf indications cantraires ) {Unless otherwise specified) Paramtre Conditions de mesare | Min, | Typ. | Max. Parameter. | fest conditions Min | Typ.) Max. Ie =0 2N 3402 01 Vop=25 Vv 2N 3403 , f opo uA Ie =0 2N 3404 01 Vep=50 V 2N 3405 Courant rsiduel collecteur-base Collector-base cut-off current tp =0 =25 V 2N 3402 Vee" 2N 3403 5 tami 100C cBo HA ig =0 = 2N 3404 Vcp 50 V 2N 3406 15 tamp 100C hei . 1 =0 Courant rsiduel metteur-base c te a Emitter-base cut-off current Veg Vv EBO 0.1 HA 2N 3402 5 225 Valeur statique du rapport du transfert le =2mA 2N 3403 direct du courant hate Static forward current transfer ratio Vop=4,5 v 2N 3404 180 540 2N 3405 Tension de saturation collecteur-metteur Ie =50maA Ve 03 |v Collector-emitter saturation voltage lp =3mA CEsat Tension de saturation base-metteur Iq =50mA Vv 06 13 V Base-emitter saturation voltage lp =3mA BEsat . | Caractristiques dynamiques (pour petits signaux) Dynamic characteristics (for small signals} 2N 3402 75 / fo o=1kHz | on 3403 Rapport de transfert direct du courant t =2mA h. | Forward current transfer ratio c 21e Voe=4.5V 2N 3404 180 2N 3405 2/2