NPN SILICON TRANSISTORS, EPITAXIAL BASE BD 433 TRANSISTORS SILICIUM NPN, BASE EPITAXIEE BD 485 Compl. of BD 434, BD 436 PRELIMINARY DATA NOTICE PRELIMINAIRE These transistors are intended for complemen- tary or quasi complementary symetry ampli- Vv 22V BD 433 fiers with low power supply voltage : audio CEO 32V BD 435 output stages in car receivers, vertical de- \ aA flexion circuits in TV receivers. c Ces transistors sont destins aux amplificateurs a Prot 36 W symtrie comp/mentaire ou quasi complmentaire, o 4 faible tension dalimentation ;: Stages de sortie BF Rth(j-c) 3,5 C/W max dans les rcepteurs auto-radio circuits de dviation h rr] Pa 2A) 50 min verticale en tlvision. f 3 MHz in T m Maximum power dissipation Plastic case TO-126 - See outline drawing CB-16 on last pages Dissipation de puissance maximale Boftier plastique Voir dessin cot CB-16 dernires pages 100% \ | 7s + MI Z & { e i 4 Y 50 a Qe Ay rt NS B Ef | c 25 t \ E | L Weight : 0,7 Collector is connected to metal part of case Qo 50 100 150 tease! C) Masse Le collecteur est reli 4 la partie mtallique du boitier ABSOLUTE RATINGS (LIMITING VALUES) tease = 25C (Unless otherwise stated) VALEURS LIMITES ABSOLUES D'UTILISATION * (Sauf indications contraires) BD 433 BD 435 Collector-base voltage Tension collecteur-base Veso 22 32 Vv Collector-emitter voltage v Tension collecteur-6metteur CEO 22 32 V Collector-emitter voltage Tension colfecteur-metteur Voes 22 32 Vv Emitter-base voltage Vv Tension metteur-base EBO 5 8 v Collector current | Courant coflecteur c 4 4 A Peak collector current 1 = Courant de crte de coflecteur tb 10 ms lon 7 7 A Base current Courant base 'p 1 1 A Power dissipation = Dissipation de puissance tease 25C Prot 36 36 W Junction temperature . Temprature de jonction max. 5 150 150 c Storage temperature min. t 5 55 Temprature de stockage max. stg +150 +150 C 74-10 W/3 THOMSON - CSF 507 Oegigh SEMICOMDUCTEURS |BD 433, BD 435 STATIC CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES STATIOQUES toase = 25C (Unless otherwise stated) {Sauf indications contraires) Test conditions : Conditions de mesure Min. Typ. Max. Vop= 22V BD 433 100 yA lp =9 Vog = 22V lp =90 BD 433 3 mA toase = 150C Vep= 32V ae BD 435 100 uA E cB0 Collector-base cut-off current Vege 32 V Courant rsiduel collecteur-base le = BD 435 3 mA ioe 150C LT Ves =10V fe =0 1 mA tease = 180 C Emitter-base cut-off current Vep=5V leBo 1 mA Courant rsiduel metteur-base lc 0 = BD 433 | 22 Collector-emitter breakdown voltage Ig 100 mA VoEots 5 Tension de claquage collecteur-metteur ip =0 us BD 435 32 Voce =5V 40 le = 0,01A Static forward current transfer ratio Vee =1V Valeur statique du rapport de transfert I =O5A hoy eo 85 475 direct du courant c , Vee= iV CE 7 50 Io =2A Knee voltage Io =2A Vero Tension de coude Ig = note 1 CEK BD 433 0,8 Vv Cotlector-emitter saturation voltage lg =2A Vee * 05 Vv Tension de saturation collecteur-metteur 1 B =0,2A sat , Base-emitter voltage Veg Flv Vor 11 Tension bese-metteur le = 2A BE v * Pulsed t, =300 ps 8< 2% Note 7: I, value for which Iq =2,2 A at Voge 21V impulsions p i B valeur pour laquelle 'o =2,2A8 Voce =rVv 2/3 508BD 433, BD 435 (Unless otherwise stated) DYNAMIC CHARACTERISTICS (for small signals) 4 = 25C CARACTERISTIQUES DYNAMIQUES (pour petits signaux} CASE (Saut indications contraires} Test conditions . Conditions de mesure Min. Typ. Max. 1 ' Vee =1V ransition frequency = f- Frquence de transition lo 0,25 A T 3 MHz f =1MHz THERMAL CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES THERMIQUES Junction-case thermal resistance . Rsistance thermique (jonctian-boitier! Renii-e) 3.5 c/w SAFE OPERATING AREA AIRE DE FONCTIONNEMENT DE SECURITE Tease 7 25C Continuous _) Continu 1 2 5 10 20 50 VocelV) 3 509