Technische Information / technical information Netz-Thyristor Phase Control Thyristor T1451N Key Parameters enndaten VDRM / VRRM 4800V ... 5200V ITAVM 1660A (TC=85C) ITSM vT0 44000A 3570A (TC=55C) 0,92V rT 0,39m RthJC 9,0K/kW Clamping Force 36 ... 52kN Max. Diameter 121mm Contact Diameter 86mm Height 35mm For type designation please refer to actual shortform catalog http://www.ifbip.com/catalog Merkmale Features Volle Sperrfahigkeit 50/60Hz uber einen weiten Temperaturbereich Full blocking 50/60Hz over a wide range temperature range Hohe DC Sperrstabilitat Hohe Stostrombelastbarkeit Hoher Gehausebruchstrom Hohe Einschalt di/dt Fahigkeit High DC blocking stability High surge current capability High case non-rupture current High di/dt capability Typische Anwendungen Typical Applications Mittelspannungssanftanlasser Statische Kompensation SVC Gleichrichter fur Antriebsapplikationen Mittelspannungsumrichter Lastgefuhrte Umrichter content of customer DMX code serial number SP material number datecode (production day) datecode (production year) datecode (production month) vT class QR class Date of Publication: 2011-05-02 DMX code digit 1..7 8..16 17..18 19..20 21..22 23..26 27..30 Medium Voltage Softstarter Static Var Compensation SVC Rectifier for Drives Applications Medium Voltage Drives Load Commutating Inverter DMX code digit quantity 7 9 2 2 2 4 4 Revision: 8.0 4 5 1 2 www.ifbip.com support@infineon-bip.com Seite/page: 1/11 Technische Information / technical information Netz-Thyristor Phase Control Thyristor T1451N Elektrische Eigenschaften / electrical properties Hochstzulassige Werte / maximum rated values Periodische Vorwarts- und Ruckwarts-Spitzensperrspannung Tvj = -40C... Tvj max VDRM,VRRM Durchlastrom-Grenzeffektivwert maximum RMS on-state current TC = 85 C ITRMSM Dauergrenzstrom average on-state current TC = 85 C TC = 70 C TC = 55 C ITAVM 1660 A 2010 A 2320 A Stostrom-Grenzwert surge current Tvj = 25 C, tP = 10 ms Tvj = Tvj max, tP = 10 ms ITSM 44000 A 43000 A Grenzlastintegral It-value Tvj = 25 C, tP = 10 ms Tvj = Tvj max, tP = 10 ms It Kritische Stromsteilheit critical rate of rise of on-state current DIN IEC 60747-6 f = 50 Hz, iGM = 3 A, diG/dt = 6 A/s (diT/dt)cr 300 A/s Kritische Spannungssteilheit critical rate of rise of off-state voltage Tvj = Tvj max, vD = 0,67 VDRM 5.Kennbuchstabe / 5th letter H (dvD/dt)cr 2000 V/s Charakteristische Werte / characteristic values Durchlaspannung on-state voltage Tvj = Tvj max , iT = 2000A vT typ. Max. 1,57 V 1,7 V Schleusenspannung threshold voltage Tvj = Tvj max V(TO) typ. max. 0,88 V 0,92 V Ersatzwiderstand slope resistance Tvj = Tvj max rT typ. Max. 0,345 m 0,39 m Tvj = Tvj max typ. Elektrische Eigenschaften repetitive peak forward off-state and reverse voltage 200A iF 2500A 4800 5000 5200 2610 V V V A 9680 10 As 9250 10 As Zundstrom gate trigger current Tvj = 25C, vD = 12 V IGT 0,497 0,000137 -0,0127 0,02 0,539 0,000193 0,00534 0,0164 max. 350 mA Zundspannung gate trigger voltage Tvj = 25C, vD = 12 V VGT max. 2,5 V Nicht zundender Steuerstrom gate non-trigger current Tvj = Tvj max , vD = 12 V Tvj = Tvj max , vD = 0,5 VDRM IGD max. max. 20 mA 10 mA Nicht zundende Steuerspannung gate non-trigger voltage Tvj = Tvj max , vD = 0,5 VDRM VGD max. 0,4 V Haltestrom holding current Tvj = 25C, vD = 12 V IH max. 350 mA Einraststrom latching current Tvj = 25C, vD = 12 V, RGK 10 IL iGM = 3 A, diG/dt = 6 A/s, tg = 20 s max. 3 A Vorwarts- und Ruckwarts-Sperrstrom forward off-state and reverse current Tvj = Tvj max vD = VDRM, vR = VRRM iD, iR max. 400 mA Zundverzug gate controlled delay time DIN IEC 60747-6 Tvj = 25 C,iGM = 3 A, diG/dt = 6 A/s tgd max. Durchlakennlinie on-state characteristic v T A B i T C Ln ( i T 1) D prepared by: TM date of publication: approved by: JP revision: Date of Publication: 2011-05-02 max. iT A B C D A B C D 2 s 2011-05-02 8.0 Revision: 8.0 Seite/page: 2/11 Technische Information / technical information Netz-Thyristor Phase Control Thyristor T1451N Elektrische Eigenschaften / electrical properties Charakteristische Werte / characteristic values Freiwerdezeit circuit commutated turn-off time Tvj = Tvj max, iTM = ITAVM tq typ. Qr max. Tvj = Tvj max iTM = ITAVM, -diT/dt = 10 A/s VR = 0,5VRRM, VRM = 0,8VRRM IRM max. Kuhlflache / cooling surface beidseitig / two-sided, = 180sin beidseitig / two-sided, DC Anode / anode, DC Kathode / cathode, DC RthJC Kuhlflache / cooling surface beidseitig / two-sided einseitig / single-sided RthCH = 100 V, v = 0,67 V ThermischevdvEigenschaften /dt = 20 V/s, -di /dt = 10 A/s / 4 letter O Mechanische4.Kennbuchstabe Eigenschaften T =T RM DM D Sperrverzogerungsladung recovered charge Ruckstromspitze peak reverse recovery current Thermische Eigenschaften / thermal properties Innerer Warmewiderstand thermal resistance, junction to case Ubergangs-Warmewiderstand thermal resistance, case to heatsink vj 450 s DRM T th vj max 15 mAs iTM = ITAVM, -diT/dt = 10 A/s VR = 0,5VRRM, VRM = 0,8VRRM 320 A max. max. max. max. 9,7 9,0 17,0 19,5 K/kW K/kW K/kW K/kW max. max. 2,5 K/kW 5,0 K/kW 125 C Hochstzulassige Sperrschichttemperatur maximum junction temperature Tvj max Betriebstemperatur operating temperature Tc op -40...+125 C Lagertemperatur storage temperature Tstg -40...+150 C Mechanische Eigenschaften / mechanical properties Gehause, siehe Anlage case, see annex Seite 4 page 4 Si-Element mit Druckkontakt Si-pellet with pressure contact F Anpresskraft clamping force Steueranschlusse control terminals DIN 46244 typ. 1700 g 33 mm Kriechstrecke creepage distance Date of Publication: 2011-05-02 kN A 4,8x0,8 A 6,3x0,8 G Gewicht weight Schwingfestigkeit vibration resistance Gate Kathode /Cathode 36...52 f = 50 Hz Revision: 8.0 50 m/s Seite/page: 3/11 Technische Information / technical information Netz-Thyristor Phase Control Thyristor T1451N Mabild 1: Anode/anode 4 5 1 2: Kathode/cathode 2 4: Gate 5: Hilfskathode/ cathode (control terminal) Date of Publication: 2011-05-02 Revision: 8.0 Seite/page: 4/11 Technische Information / technical information Netz-Thyristor Phase Control Thyristor T1451N Analytische Elemente des transienten Warmewiderstandes Z thJC / analytical elements of transient thermal impedance Z thJC Durchlasskennlinie beidseitig two-sided anodenseitig anode-sided kathodenseitig cathode-sided Pos. n 1 2 3 4 5 Rthn [K/kW] 2,23 2,7 2,8 0,8 0,47 n [s] 2 0,44 0,11 0,015 0,0041 Rthn [K/kW] 10,23 2,7 2,8 0,8 0,47 n [s] 9,2 0,44 0,11 0,015 0,0041 Rthn [K/kW] 12,73 2,7 2,8 0,8 0,47 n [s] 11,4 0,44 0,11 0,015 0,0041 Z thJC Analytische Funktion / analytical function: nmax 6 7 -t R thn 1 e n n=1 25 20 ai 15 10 Zth JC [K/kW] ci bi 5 0 0,001 0,01 0,1 1 10 100 t [s] Transienter innerer Warmewiderstand fur DC / transient thermal impedance Z thJC = f(t) for DC a : Anodenseitige Kuhlung / anode-sided cooling b : Beidseitige Kuhlung / two-sided cooling c : Kathodenseitige Kuhlung / cathode-sided cooling Date of Publication: 2011-05-02 Revision: 8.0 Seite/page: 5/11 Technische Information / technical information Netz-Thyristor Phase Control Thyristor T1451N 3000 Durchlassverluste 2500 2000 iT [A] typ. max. 1500 1000 500 0 0 0,2 0,4 0,6 0,8 1 1,2 1,4 1,6 1,8 2 vT [V] Grenzdurchlakennlinie / limiting on-state characteristic iT = f(vT) Tvj = Tvj max Date of Publication: 2011-05-02 Revision: 8.0 Seite/page: 6/11 Technische Information / technical information Netz-Thyristor Phase Control Thyristor T1451N 30 20 Steuerkennlinie 10 c 5 b a vG [V] -40 C 2 + 25 C +125 C 1 Zundverzug 0,5 0,2 20 50 100 200 500 1000 2000 5000 10000 iG [mA] Steuercharakteristik vG = f (iG) mit Zundbereichen fur VD = 12 V / gate characteristic vG = f (iG) with triggering area for VD = 12 V Hochstzulassige Spitzensteuerverlustleistung / maximum rated peak gate power dissipation P GM = f (tg) : a - 20 W/10ms Date of Publication: 2011-05-02 b - 40 W/1ms Revision: 8.0 c - 60 W/0,5ms Seite/page: 7/11 Technische Information / technical information Netz-Thyristor Phase Control Thyristor T1451N 30 25 Qr [mAs] 20 15 10 5 0 0 5 10 15 20 25 30 35 -di/dt [A/s] Sperrverzogerungsladung / recovered charge Qr = f(-di/dt) Tvj=Tvjmax, vR=0,5 VRRM, VRM=0,8 VRRM Date of Publication: 2011-05-02 Revision: 8.0 Seite/page: 8/11 Technische Information / technical information Netz-Thyristor Phase Control Thyristor T1451N 800 700 600 IRM [A] 500 400 300 200 100 0 0 5 10 15 20 25 30 35 -di/dt [A/s] Ruckstromspitze / peak reverse recovery current IRM = f(-di/dt) Tvj=Tvjmax, vR=0,5 VRRM, VRM=0,8 VRRM Date of Publication: 2011-05-02 Revision: 8.0 Seite/page: 9/11 Technische Information / technical information Netz-Thyristor Phase Control Thyristor T1451N 50 45 40 35 IT(OV)M [kA] 30 25 0-50V 20 0,33 VRRM 15 0,67 VRRM 10 5 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 Anzahl Pulse bei 50Hz Sinus Halbwellen Number of pulses for 50Hz sinusoidal half wave Typische Abhangigkeit des Grenzstromes IT(OV)M von der Anzahl fur eine Folge von Sinus Halbwellen bei 50Hz. Parameter: Ruckwartsspannung VRM Typical dependency of maximum overload on-state current IT(OV)M as a number of a sequence of sinusoidal half waves at 50Hz. Parameter: peak reverse voltage VRM IT(OV)M = f (pulses, VRM) ; Tvj = Tvjmax Date of Publication: 2011-05-02 Revision: 8.0 Seite/page: 10/11 Technische Information / technical information Netz-Thyristor Phase Control Thyristor T1451N Nutzungsbedingungen Die in diesem Produktdatenblatt enthaltenen Daten sind ausschlielich fur technisch geschultes Fachpersonal bestimmt. Die Beurteilung der Geeignetheit dieses Produktes fur die von Ihnen anvisierte Anwendung sowie die Beurteilung der Vollstandigkeit der bereitgestellten Produktdaten fur diese Anwendung obliegt Ihnen bzw. Ihren technischen Abteilungen. In diesem Produktdatenblatt werden diejenigen Merkmale beschrieben, fur die wir eine liefervertragliche Gewahrleistung ubernehmen. Eine solche Gewahrleistung richtet sich ausschlielich nach Magabe der im jeweiligen Liefervertrag enthaltenen Bestimmungen. Garantien jeglicher Art werden fur das Produkt und dessen Eigenschaften keinesfalls ubernommen. Sollten Sie von uns Produktinformationen benotigen, die uber den Inhalt dieses Produktdatenblatts hinausgehen und insbesondere eine spezifische Verwendung und den Einsatz dieses Produktes betreffen, setzen Sie sich bitte mit dem fur Sie zustandigen Vertriebsburo in Verbindung (siehe www.infineon.com). Fur Interessenten halten wir Application Notes bereit. Aufgrund der technischen Anforderungen konnte unser Produkt gesundheitsgefahrdende Substanzen enthalten. Bei Ruckfragen zu den in diesem Produkt jeweils enthaltenen Substanzen setzen Sie sich bitte ebenfalls mit dem fur Sie zustandigen Vertriebsburo in Verbindung. Sollten Sie beabsichtigen, das Produkt in Anwendungen der Luftfahrt, in gesundheits- oder lebensgefahrdenden oder lebenserhaltenden Anwendungsbereichen einzusetzen, bitten wir um Mitteilung. Wir weisen darauf hin, dass wir fur diese Falle - die gemeinsame Durchfuhrung eines Risiko- und Qualitatsassessments; - den Abschluss von speziellen Qualitatssicherungsvereinbarungen; - die gemeinsame Einfuhrung von Manahmen zu einer laufenden Produktbeobachtung dringend empfehlen und gegebenenfalls die Belieferung von der Umsetzung solcher Manahmen abhangig machen. Soweit erforderlich, bitten wir Sie, entsprechende Hinweise an Ihre Kunden zu geben. Inhaltliche Anderungen dieses Produktdatenblatts bleiben vorbehalten. Terms & Conditions of usage The data contained in this product data sheet is exclusively intended for technically trained staff. You and your technical departments will have to evaluate the suitability of the product for the intended application and the completeness of the product data with respect to such application. This product data sheet is describing the characteristics of this product for which a warranty is granted. Any such warranty is granted exclusively pursuant the terms and conditions of the supply agreement. There will be no guarantee of any kind for the product and its characteristics. Should you require product information in excess of the data given in this product data sheet or which concerns the specific application of our product, please contact the sales office, which is responsible for you (see www.infineon.com). For those that are specifically interested we may provide application notes. Due to technical requirements our product may contain dangerous substances. For information on the types in question please contact the sales office, which is responsible for you. Should you intend to use the Product in aviation applications, in health or live endangering or life support applications, please notify. Please note, that for any such applications we urgently recommend - to perform joint Risk and Quality Assessments; - the conclusion of Quality Agreements; - to establish joint measures of an ongoing product survey, and that we may make delivery depended on the realization of any such measures. If and to the extent necessary, please forward equivalent notices to your customers. Changes of this product data sheet are reserved. Date of Publication: 2011-05-02 Revision: 8.0 Seite/page: 11/11 Mouser Electronics Authorized Distributor Click to View Pricing, Inventory, Delivery & Lifecycle Information: Infineon: T1451N48TOH T1451N52TOH