Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
Technische Information /
technical information
T1451N
Date of Publication: 2011-05-02
Revision: 8.0
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enndaten
Key Parameters
VDRM / VRRM
ITAVM
1660A (TC=85°C)
3570A (TC=55°C)
ITSM
44000A
vT0
0,92V
rT
0,
RthJC
9,0K/kW
Clamping Force
Max. Diameter
121mm
Contact Diameter
86mm
Height
35mm
For type designation please refer to actual shortform
catalog
http://www.ifbip.com/catalog
Merkmale
Features
Volle Sperrfähigkeit 50/60Hz über einen weiten
Temperaturbereich
Full blocking 50/60Hz over a wide range temperature
range
Hohe DC Sperrstabilität
High DC blocking stability
Hohe Stoßstrombelastbarkeit
High surge current capability
Hoher Gehäusebruchstrom
High case non-rupture current
Hohe Einschalt di/dt Fähigkeit
High di/dt capability
Typische Anwendungen
Typical Applications
Mittelspannungssanftanlasser
Medium Voltage Softstarter
Statische Kompensation SVC
Static Var Compensation SVC
Gleichrichter für Antriebsapplikationen
Rectifier for Drives Applications
Mittelspannungsumrichter
Medium Voltage Drives
Lastgeführte Umrichter
Load Commutating Inverter
content of customer DMX code
DMX code
DMX code
digit
digit quantity
serial number
1..7
7
SP material number
8..16
9
datecode (production day)
17..18
2
datecode (production year)
19..20
2
datecode (production month)
21..22
2
vT class
23..26
4
QR class
27..30
4
www.ifbip.com
support@infineon-bip.com
1
2
4
5
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
Technische Information /
technical information
T1451N
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Elektrische Eigenschaften
Elektrische Eigenschaften / electrical properties
Höchstzulässige Werte / maximum rated values
Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung
repetitive peak forward off-state and reverse voltage
Tvj = -40°C... Tvj max
VDRM,VRRM
4800
5000
5200
V
V
V
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
maximum RMS on-state current
TC = 85 °C
ITRMSM
2610
A
Dauergrenzstrom
average on-state current
TC = 85 °C
TC = 70 °C
TC = 55 °C
ITAVM
1660
2010
2320
A
A
A
Stoßstrom-Grenzwert
surge current
Tvj = 25 °C, tP = 10 ms
Tvj = Tvj max, tP = 10 ms
ITSM
44000
43000
A
A
Grenzlastintegral
I²t-value
Tvj = 25 °C, tP = 10 ms
Tvj = Tvj max, tP = 10 ms
I²t
9680
9250
10³ A²s
10³ A²s
Kritische Stromsteilheit
critical rate of rise of on-state current
DIN IEC 60747-6
f = 50 Hz, iGM = 3 A, diG/dt = 6 A/µs
(diT/dt)cr
300
A/µs
Kritische Spannungssteilheit
critical rate of rise of off-state voltage
Tvj = Tvj max, vD = 0,67 VDRM
5.Kennbuchstabe / 5th letter H
(dvD/dt)cr
2000
V/µs
Charakteristische Werte / characteristic values
Durchlaßspannung
on-state voltage
Tvj = Tvj max , iT = 2000A
vT
typ.
Max.
1,57
1,7
V
V
Schleusenspannung
threshold voltage
Tvj = Tvj max
V(TO)
typ.
max.
0,88
0,92
V
V
Ersatzwiderstand
slope resistance
Tvj = Tvj max
rT
typ.
Max.
0,345
0,39
m
m
Durchlaßkennlinie 200A iF 2500A
on-state characteristic
Tvj = Tvj max
typ.
A
0,497
B
0,000137
C
-0,0127
D
0,02
max.
A
0,539
B
0,000193
C
0,00534
D
0,0164
Zündstrom
gate trigger current
Tvj = 25°C, vD = 12 V
IGT
max.
350
mA
Zündspannung
gate trigger voltage
Tvj = 25°C, vD = 12 V
VGT
max.
2,5
V
Nicht zündender Steuerstrom
gate non-trigger current
Tvj = Tvj max , vD = 12 V
Tvj = Tvj max , vD = 0,5 VDRM
IGD
max.
max.
20
10
mA
mA
Nicht zündende Steuerspannung
gate non-trigger voltage
Tvj = Tvj max , vD = 0,5 VDRM
VGD
max.
0,4
V
Haltestrom
holding current
Tvj = 25°C, vD = 12 V
IH
max.
350
mA
Einraststrom
latching current
Tvj = 25°C, vD = 12 V, RGK
iGM = 3 A, diG/dt = 6 A/µs, tg = 20 µs
IL
max.
3
A
Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom
forward off-state and reverse current
Tvj = Tvj max
vD = VDRM, vR = VRRM
iD, iR
max.
400
mA
Zündverzug
gate controlled delay time
DIN IEC 60747-6
Tvj = 25 °C,iGM = 3 A, diG/dt = 6 A/µs
tgd
max.
2
µs
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TM
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approved by:
JP
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8.0
T
TTT iD)1i(LnCiBAv
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Thermische Eigenschaften
Mechanische Eigenschaften
Elektrische Eigenschaften / electrical properties
Charakteristische Werte / characteristic values
Freiwerdezeit
circuit commutated turn-off time
Tvj = Tvj max, iTM = ITAVM
vRM = 100 V, vDM = 0,67 VDRM
dvD/dt = 20 V/µs, -diT/dt = 10 A/µs
4.Kennbuchstabe / 4th letter O
tq
typ.
450
µs
Sperrverzögerungsladung
recovered charge
Tvj = Tvj max
iTM = ITAVM, -diT/dt = 10 A/µs
VR = 0,5VRRM, VRM = 0,8VRRM
Qr
max.
15
mAs
Rückstromspitze
peak reverse recovery current
Tvj = Tvj max
iTM = ITAVM, -diT/dt = 10 A/µs
VR = 0,5VRRM, VRM = 0,8VRRM
IRM
max.
320
A
Thermische Eigenschaften / thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided, = 180°sin
beidseitig / two-sided, DC
Anode / anode, DC
Kathode / cathode, DC
RthJC
max.
max.
max.
max.
9,7
9,0
17,0
19,5
K/kW
K/kW
K/kW
K/kW
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided
einseitig / single-sided
RthCH
max.
max.
2,5
5,0
K/kW
K/kW
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
Tvj max
125
°C
Betriebstemperatur
operating temperature
Tc op
-40...+125
°C
Lagertemperatur
storage temperature
Tstg
-40...+150
°C
Mechanische Eigenschaften / mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
case, see annex
Seite 4
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Si-Element mit Druckkontakt
Si-pellet with pressure contact
Anpresskraft
clamping force
F
36...52
kN
Steueranschlüsse
control terminals
DIN 46244 Gate
Kathode /Cathode
A 4,8x0,8
A 6,3x0,8
Gewicht
weight
G
typ.
1700
g
Kriechstrecke
creepage distance
33
mm
Schwingfestigkeit
vibration resistance
f = 50 Hz
50
m/s²
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Maßbild
1
2
4
5
1: Anode/anode
2: Kathode/cathode
4: Gate
5: Hilfskathode/
cathode (control terminal)
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Durchlasskennlinie
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z thJC /
analytical elements of transient thermal impedance Z thJC
Pos. n
1
2
3
4
5
6
7
beidseitig
two-sided
Rthn [K/kW]
2,23
2,7
2,8
0,8
0,47
n [s]
2
0,44
0,11
0,015
0,0041
anodenseitig
anode-sided
Rthn [K/kW]
10,23
2,7
2,8
0,8
0,47
n [s]
9,2
0,44
0,11
0,015
0,0041
kathodenseitig
cathode-sided
Rthn [K/kW]
12,73
2,7
2,8
0,8
0,47
n [s]
11,4
0,44
0,11
0,015
0,0041
Analytische Funktion / analytical function:
max
n
n=1
thn
thJC
n
-t
e
1
R
Z
bi
ai
ci
0
5
10
15
20
25
0,001 0,01 0,1 1 10 100
Zth JC [K/kW]
t [s]
Transienter innerer Wärmewiderstand für DC / transient thermal impedance Z thJC = f(t) for DC
a : Anodenseitige Kühlung / anode-sided cooling
b : Beidseitige Kühlung / two-sided cooling
c : Kathodenseitige Kühlung / cathode-sided cooling
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Durchlassverluste
typ.
max.
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
0 0,2 0,4 0,6 0,8 1 1,2 1,4 1,6 1,8 2
iT[A]
vT[V]
Grenzdurchlaßkennlinie / limiting on-state characteristic iT = f(vT)
Tvj = Tvj max
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Steuerkennlinie
Zündverzug
0,2
0,5
1
2
5
10
30
20
50
100
200
500
1000
2000
5000
10000
20
vG[V]
iG[mA]
+125C
+25C
-40C
a
b
c
Steuercharakteristik vG = f (iG) mit Zündbereichen für VD = 12 V /
gate characteristic vG = f (iG) with triggering area for VD = 12 V
Höchstzulässige Spitzensteuerverlustleistung / maximum rated peak gate power dissipation PGM = f (tg) :
a - 20 W/10ms b - 40 W/1ms c - 60 W/0,5ms
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0
5
10
15
20
25
30
0 5 10 15 20 25 30 35
Qr[mAs]
-di/dt [A/µs]
Sperrverzögerungsladung / recovered charge Qr = f(-di/dt)
Tvj=Tvjmax, vR=0,5 VRRM, VRM=0,8 VRRM
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0
100
200
300
400
500
600
700
800
0 5 10 15 20 25 30 35
IRM [A]
-di/dt [A/µs]
Rückstromspitze / peak reverse recovery current IRM = f(-di/dt)
Tvj=Tvjmax, vR=0,5 VRRM, VRM=0,8 VRRM
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0-50V
0,33 VRRM
0,67 VRRM
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17
IT(OV)M [kA]
Anzahl Pulse bei 50Hz Sinus Halbwellen
Number of pulses for 50Hz sinusoidal half wave
Typische Abhängigkeit des Grenzstromes IT(OV)M von der Anzahl für eine Folge von Sinus Halbwellen bei 50Hz.
Parameter: Rückwärtsspannung VRM
Typical dependency of maximum overload on-state current IT(OV)M as a number of a sequence of sinusoidal half waves
at 50Hz. Parameter: peak reverse voltage VRM
IT(OV)M = f (pulses, VRM) ; Tvj = Tvjmax
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