BAS40, BAS40-04, BAS40-05, BAS40-06
BAS40, BAS40-04, BAS40-05, BAS40-06
Surface Mount Schottky Barrier Single/D oubl e D io d es
Schottky-Barrier Einzel-/Doppel-Dioden für die Oberflächenmontage
Version 2005-06-21
Dimensions - Maße [mm]
Power dissipation – Verlustleistung 310 mW
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
40 V
Plastic case
Kunststoffgehäuse
SOT-23
(TO-236)
Weight approx. – Gewicht ca. 0.01 g
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging taped and reeled
Standard Lieferform gegurtet auf Rolle
Maximum ratings (TA = 25°C) Grenzwerte (TA = 25°C)
per diode / pro Diode BAS40-series
Power dissipation – Verlustleistung 1)P
tot 310 mW 2)
Max. average forward current (dc)
Dauergrenzstrom
IFAV 200 mA 2)
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
IFRM 300 mA 2)
Non repetitive peak forward surge current
Stoßstrom-Grenzwert
tp ≤ 1 s IFSM 0.6 A
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
VRRM 40 V
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
Tj
TS
-55...+150°C
-55…+150°C
Charact eris tics (T j = 25°C) Kennwerte (Tj = 25°C)
Forward voltage 3)
Durchlass-Spannung 3)
IF = 1 mA
IF = 10 mA
IF = 40 mA
VF
VF
VF
< 380 mV
< 500 mV
< 1.00 V
Leakage current
Sperrstrom
VR = 30 V
VR = 40 V
IR
IR
< 200 nA
< 10 µA
Max. junction capacitance – Max. Sperrschichtkapazität
VR = 0 V, f = 1 MHz
CT5 pF
Reverse recovery time – Sperrverzug
IF = 10 mA über/through IR = 10 mA bis/to IR = 1 mA
trr < 5 ns
Thermal resistance junction to ambient air
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
RthA < 400 K/W 2)
1 Total power dissipation of both diodes − Summe der Verlustleistungen beider Dioden
2 Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
3 Tested with pulses tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2%
© Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1
1.9
Type
Code
3
2
1
0.4
2.9
±0.1
1.1
1.3
±0.1
2.5
max
BAS40, BAS40-04, BAS40-05, BAS40-06
Pinning – Anschlussbelegung Marking – Stempelung
Single Diode
Einzeldiode
1 = A 2 = n.c./frei 3 = C
BAS40 = 43
Dual diode, series connection
Doppeldiode, Reihenschaltung
1 = A1 2 = C2 3 = C1/A2
BAS40-04 = 44
Dual diode, common cathode
Doppeldiode, gemeinsame Katode
1 = A1 2 = A2 3 = C1/C2
BAS40-05 = 45
Dual diode, common anode
Doppeldiode, gemeinsame Anode
1 = C1 2 = C2 3 = A1/A2
BAS40-06 = 46
2http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG
[%]
P
tot
Power dissipation versus ambient temperature )
Verlustleistung in Abh. von der Umgebungstemp. )
1
1
120
100
80
20
00150
50 100
T
A
[°C]
60
40
2
1
3
2
3
1
2
1
3
2
1
3
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
V
F
[V] 1.41.00.80.60.40
[A]
I
F
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
1
T = 25°C
j
