BY500-50 ... BY500-1000
BY500-50 ... BY500-1000
Fast Silicon Rectifier Diodes – Schnelle Silizium-Gleichrichterdioden
Version 2012-10-08
Dimensions - Maße [mm]
Nominal current
Nennstrom
5 A
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
50...1000 V
Plastic case
Kunststoffgehäuse
Ø 5.4 x 7.5 [mm]
Weight approx.
Gewicht ca.
1.0 g
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging taped in ammo pack
Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack
Maximum ratings Grenzwerte
Type
Typ
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
VRRM [V]
Surge peak reverse voltage
Stoßspitzensperrspannung
VRSM [V]
BY500-50 50 50
BY500-100 100 100
BY500-200 200 200
BY500-400 400 400
BY500-600 600 600
BY500-800 800 800
BY500-1000 1000 1000
Max. average forward rectified current, R-load
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last
TA = 50°C IFAV 5 A 1)
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
f > 15 Hz IFRM 20 A 1)
Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle
TA = 25°C IFSM 200/220 A
Rating for fusing,t < 10 ms
Grenzlastintegral, t < 10 ms
TA = 25°C i2t 200 A2s
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
Tj
TS
-50...+175°C
-50...+175°C
1 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
© Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1
Type
Ø
±0.05
1.2
Ø
±0.1
5.4
62.5
±0.5
7.5
±0.1
BY500-50 ... BY500-1000
Characteristics Kennwerte
Forward voltage – Durchlass-Spannung Tj = 25°C IF = 5 A VF< 1.3 V
Leakage current – Sperrstrom Tj = 25°C VR = VRRM IR< 5 µA
Reverse recovery time
Sperrverzugszeit
IF = 0.5 A through/über
IR = 1 A to/auf IR = 0.25 A
trr < 200 ns
Thermal resistance junction to ambient air
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
RthA < 19 K/W 1)
Thermal resistance junction to leads
Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschlussdraht
RthL < 8 K/W
1 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
2http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG
120
100
80
60
40
20
0
[%]
I
FAV
Rated forward current versus ambient temperature )
Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp. )
1
1
[°C]
T
A
150100
50
0
10
10
10
1
10
3
2
-1
[A]
I
F
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
0.4 V
F
0.8 1.0 1.2 1.4 [V] 1.8
T = 25°C
j
T = 125°C
j
200a-(5a-1.3v)
