Microstack Impuls-Laserdiode im Plastikgehause 32 ... 50 W Spitzenleistung Pulsed Microstack Laser Diode in Plastic Package 32 ... 50 W Peak Power SPL PL90_x Vorlaufige Daten / Preliminary Data Besondere Merkmale Features * Kostengunstiges Plastikgehause * Zuverlassiges InGaAs/GaAs kompressiv verspanntes Halbleiter-Material * Hochleistungslaser mit Large-Optical-Cavity" (LOC) Struktur fur ein schmales Fernfeld * Microstack Lasertechnologie beinhaltet mehrere epitaktisch integrierte Emitter * Laterale Austrittsoffnung 200 m * * * * Anwendungen Applications * * * * * * * * Low cost plastic package Reliable strained InGaAs/GaAs material High power large-optical-cavity structure Microstack laser technology including multiple epitaxially stacked emitters * Lateral laser aperture 200 m Entfernungsmessung Sicherheit, Uberwachung Beleuchtung, Zundung Test- und Messsysteme Range finding Security, surveillance Illumination, ignition Test and measurement systems Sicherheitshinweise Safety Advices Je nach Betriebsart emittieren diese Bauteile hochkonzentrierte, nicht sichtbare InfrarotStrahlung, die gefahrlich fur das menschliche Auge sein kann. Produkte, die diese Bauteile enthalten, mussen gema den Sicherheitsrichtlinien der IEC-Norm 60825-1 behandelt werden. Depending on the mode of operation, these devices emit highly concentrated non visible infrared light which can be hazardous to the human eye. Products which incorporate these devices have to follow the safety precautions given in IEC 60825-1 "Safety of laser products". 2000-01-01 1 OPTO SEMICONDUCTORS SPL PL90_x Wellenlange1) Bestellnummer Emitters Opt. Spitzenausgangsleistung Opt. Peak Power Wavelength1) Ordering Code SPL PL90_2 2 32 W 905 nm Q62702-P5247 SPL PL90_3 3 50 W 905 nm Q62702-P5311 Typ Emitter Type 1) Andere Wellenlangen im Bereich von 780 nm ... 980 nm sind auf Anfrage erhaltlich. Other wavelengths in the range of 780 nm ... 980 nm are available on request. Grenzwerte (TA = 25 C) Maximum Ratings Parameter Parameter Symbol Symbol Werte Values Einheit Unit min. max. Ppeak - - 32 50 W Spitzendurchlastrom Forward current IF - 22 A Pulsbreite (Halbwertsbreite) Pulse width (FWHM) tp - 100 ns Tastverhaltnis Duty cycle d.c. - 0.1 % Sperrspannung Reverse voltage VR - 3 V Betriebstemperatur Operating temperature Top - 40 + 85 C Lagertemperatur Storage temperature Tstg - 40 + 100 C Lottemperatur (tmax = 10 s, 2 mm von Gehauseunterseite) Soldering temperature (tmax = 10 s, 2 mm from bottom edge of case) Ts - + 260 C 2000-01-01 2 Spitzenausgangsleistung Peak output power SPL PL90_2 SPL PL90_3 OPTO SEMICONDUCTORS SPL PL90_x Optische Kennwerte (TA = 25 C) Optical Characteristics Parameter Parameter Symbol Symbol Werte Values Einheit Unit min. typ. max. peak 895 905 915 nm Spektralbreite (Halbwertsbreite)1) Spectral width (FWHM)1) - 5 - nm Betriebsstrom1) Operating current1) Iop - 18 - A Schwellstrom Threshold current Ith - 1 - A SPL PL90_2 VF SPL PL90_3 - - 12 18 16 24 V 2 10 20 ns - - 200 x 5 - 200 x 10 m2 Zentrale Emissionswellenlange Emission wavelength1) 1) Betriebsspannung1) Operating voltage1) Anstiegs- und Abfallzeit (10% ... 90%) Rise and fall time (10% ... 90%) Austrittsoffnung Aperture size tr, tr SPL PL90_2 w x h SPL PL90_3 Strahldivergenz (Halbwertsbreite) Beam divergence (FWHM) || x - 6 x 34 - Grad deg. Temperaturkoeffizient der Wellenlange2) Temperature coefficient of wavelength2) / T - 0.3 - nm/K Temperaturkoeffizient der opt. Ausgangsleistung Temperature coefficient of optical power Pop/PopT - 0.5 - %/K Thermischer Widerstand Thermal resistance Rth JA - 160 - K/W 1) Standardbetriebsbedingungen beziehen sich auf Pulse von 90 ns bei einer Frequenz von 10 kHz mit 32/50 W Spitzenleistung in NA = 0.5 bei TA = 25 C. Standard operating conditions refer to pulses of 90 ns at 10 kHz rate with 32/50 W peak power into NA = 0.5 at TA = 25 C. 2) Abhangig von der Emissionswellenlange. Depending on emission wavelength. 2000-01-01 3 OPTO SEMICONDUCTORS SPL PL90_x Optische Kennwerte (TA = 25 C) Optical Characteristics Optical Output Power Popt vs. Forward Current IF SPL PL90_2 Popt Optical Output Power Popt vs. Forward Current IF SPL PL90_3 OHW01245 45 W 40 Popt OHW01246 70 W 60 35 50 30 25 40 20 30 15 20 10 10 5 0 0 5 10 15 20 0 A 25 OHW01247 1.0 0 5 10 15 20 A 25 IF Far-field distribution parallel to junction Irel vs. , SPL PL90_2 IF Far-field distribution parallel to junction Irel vs. ||, SPL PL90_2 OHW01249 1.0 rel rel 0.75 0.75 0.5 0.5 0.25 0.25 0 -40 2000-01-01 -20 0 0 -40 20 degree 40 Il 4 -20 0 20 degree 40 OPTO SEMICONDUCTORS SPL PL90_x Mazeichnung Package Outlines Chip position Area not flat 0.3 ... 0.5 o5.1 o4.8 2.54 mm spacing 0.6 0.4 0.8 0.4 5.9 5.5 1.8 1.2 Cathode 29.0 27.0 3.85 3.35 5.0 4.2 Approx. weight 0.25 g 0.6 0.4 GEO06963 Mae in mm, wenn nicht anders angegeben (10 mm = 0,39 inch / 1 inch = 25,4 mm) / Dimensions in mm, unless otherwise specified (10 mm = 0.39 inch / 1 inch = 25.4 mm). 2000-01-01 5 OPTO SEMICONDUCTORS