SPLPL90-2 - OSRAM Opto Semiconductors

SPL PL90_x

Microstack Impuls-Laserdiode im Plastikgehäuse 32 ... 50 W Spitzenleistung

Pulsed Microstack Laser Diode in Plastic Package 32 ... 50 W Peak Power

Vorläufige Daten / Preliminary Data

2000-01-01 1 OPTO SEMICONDUCTORS

Besondere Merkmale

• Kostengünstiges Plastikgehäuse

• Zuverlässiges InGaAs/GaAs kompressiv

verspanntes Halbleiter-Material

• Hochleistungslaser mit „Large-Optical-Cavity“

(LOC) Struktur für ein schmales Fernfeld

• Microstack Lasertechnologie beinhaltet

mehrere epitaktisch integrierte Emitter

• Laterale Austrittsöffnung 200 µm

Anwendungen

• Entfernungsmessung

• Sicherheit, Überwachung

• Beleuchtung, Zündung

• Test- und Messsysteme

Sicherheitshinweise

Je nach Betriebsart emittieren diese Bauteile

hochkonzentrierte, nicht sichtbare Infrarot-

Strahlung, die gefährlich für das menschliche

Auge sein kann. Produkte, die diese Bauteile

enthalten, müssen gemäß den Sicherheits-

richtlinien der IEC-Norm 60825-1 behandelt

werden.

Features

• Low cost plastic package

• Reliable strained InGaAs/GaAs material

• High power large-optical-cavity structure

• Microstack laser technology including multiple

epitaxially stacked emitters

• Lateral laser aperture 200 µm

Applications

• Range finding

• Security, surveillance

• Illumination, ignition

• Test and measurement systems

Safety Advices

Depending on the mode of operation, these

devices emit highly concentrated non visible

infrared light which can be hazardous to the

human eye. Products which incorporate these

devices have to follow the safety precautions

given in IEC 60825-1 “Safety of laser products”.

2000-01-01 2 OPTO SEMICONDUCTORS

SPL PL90_x

Typ

Type

Emitter

Emitters

Opt. Spitzenaus-

gangsleistung

Opt. Peak Power

Wellenlänge1)

Wavelength1)

1) Andere Wellenlängen im Bereich von 780 nm … 980 nm sind auf Anfrage erhältlich.

Other wavelengths in the range of 780 nm … 980 nm are available on request.

Bestellnummer

Ordering Code

SPL PL90_2 2 32 W 905 nm Q62702-P5247

SPL PL90_3 3 50 W 905 nm Q62702-P5311

Grenzwerte (TA = 25 °C)

Maximum Ratings

Parameter

Parameter Symbol

Symbol Werte

Values Einheit

Unit

min. max.

Spitzenausgangsleistung SPL PL90_2

Peak output power SPL PL90_3 Ppeak –

–32

50 W

Spitzendurchlaßstrom

Forward current IF–22A

Pulsbreite (Halbwertsbreite)

Pulse width (FWHM) tp–100ns

Tastverhältnis

Duty cycle d.c. – 0.1 %

Sperrspannung

Reverse voltage VR–3V

Betriebstemperatur

Operating temperature Top - 40 + 85 °C

Lagertemperatur

Storage temperature Tstg - 40 + 100 °C

Löttemperatur

(tmax = 10 s, 2 mm von Gehäuseunterseite)

Soldering temperature

(tmax = 10 s, 2 mm from bottom edge of case)

Ts–+ 260°C

SPL PL90_x

2000-01-01 3 OPTO SEMICONDUCTORS

Optische Kennwerte (TA = 25 °C)

Optical Characteristics

Parameter

Parameter Symbol

Symbol Werte

Values Einheit

Unit

min. typ. max.

Zentrale Emissionswellenlänge1)

Emission wavelength1) λpeak 895 905 915 nm

Spektralbreite (Halbwertsbreite)1)

Spectral width (FWHM)1) ∆λ –5–nm

Betriebsstrom1)

Operating current1) Iop –18–A

Schwellstrom

Threshold current Ith –1–A

Betriebsspannung1) SPL PL90_2

Operating voltage1) SPL PL90_3 VF–

–12

18 16

24 V

Anstiegs- und Abfallzeit (10% … 90%)

Rise and fall time (10% … 90%) tr, tr21020ns

Austrittsöffnung SPL PL90_2

Aperture size SPL PL90_3 w × h–

–200 × 5

200 × 10 –µm2

Strahldivergenz (Halbwertsbreite)

Beam divergence (FWHM) θ|| × θ⊥–6° × 34° – Grad

deg.

Temperaturkoeffizient der Wellenlänge2)

Temperature coefficient of wavelength2) ∂λ / ∂T–0.3–nm/K

Temperaturkoeffizient der opt.

Ausgangsleistung

Temperature coefficient of optical power

∂Pop/Pop∂T– 0.5 – %/K

Thermischer Widerstand

Thermal resistance Rth JA –160–K/W

1) Standardbetriebsbedingungen beziehen sich auf Pulse von 90 ns bei einer Frequenz von 10 kHz mit 32/50 W

Spitzenleistung in NA = 0.5 bei TA = 25 °C.

Standard operating conditions refer to pulses of 90 ns at 10 kHz rate with 32/50 W peak power into NA = 0.5 at

TA= 25 °C.

2) Abhängig von der Emissionswellenlänge.

Depending on emission wavelength.

SPL PL90_x

2000-01-01 4 OPTO SEMICONDUCTORS

Optische Kennwerte (TA = 25 °C)

Optical Characteristics

Optical Output Power Popt vs.

Forward Current IF

SPL PL90_2

Far-field distribution parallel to junction

Irel vs. θ

θθ

θ||, SPL PL90_2

Optical Output Power Popt vs.

Forward Current IF

SPL PL90_3

Far-field distribution parallel to junction

Irel vs. θ

θθ

θ⊥

⊥⊥

⊥, SPL PL90_2

OHW01245

opt

5 10 15 20 25

0.5

-40

0.25

20-20 0 40

degree

0.75

rel

1.0

OHW01247

OHW01246

opt

5 10 15 20 25

0.25

-40 -20 200 Θ

degree

0.75

rel

0.5

1.0

OHW01249

SPL PL90_x

2000-01-01 5 OPTO SEMICONDUCTORS

Maßzeichnung

Package Outlines

Maße in mm, wenn nicht anders angegeben (10 mm = 0,39 inch / 1 inch = 25,4 mm) / Dimensions in mm, unless

otherwise specified (10 mm = 0.39 inch / 1 inch = 25.4 mm).

GEO06963

5.9

5.5

0.6

0.4

ø4.8

ø5.1

0.3 ... 0.5

Chip position

Area not flat

2.54 mm

spacing

0.8

0.4

0.6

5.0

4.2

3.85

3.35

27.0

29.0

1.8

1.2

Cathode

Approx. weight 0.25 g