OQO ᒦൈࡍྯ!
NPN General Purpose Purpose Amplifier
NPN General Purpose Purpose Amplifier
OQO ᒦൈࡍྯ! FHBCP54/BCP55/BCP56
DESCRIPTION & FEATURES 概述及特點 SOT-223
·For AF driver and output stages
·High collector current
·Low collector-emitter saturation voltage
·Complementary types:BCP51…BCP53(PNP)
PIN ASSIGNMENT 引腳說明
PIN NUMBER 引腳序號
PIN NAME
管腳符號 SOT-223 FUNCTION
功能
B 1 Base
C 2 Collect
E 3 Emitter
C 4 Collect
MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃) 最大額定值
CHARACTERISTIC 特性參數 Symbol 符號 Rating 額定值 Unit 單位
FHBCP54 45
FHBCP55 60
Collector-Emitter Voltage 集電極-發射極電壓 VCEO FHBCP56 80 Vdc
FHBCP54 45
FHBCP55 60
Collector-Base Voltage 集電極-基極電壓 VCBO FHBCP56 100 Vdc
Emitter-Base Voltage 發射極-基極電壓 VEBO 5.0 Vdc
Collector Current-Continuous 集電極電流-連續 IC 1.0 Adc
THERMAL CHARACTERISTICS 熱特性
CHARACTERISTIC 特性參數 Symbol 符號 Max 最大值 Unit 單位
Total Device Dissipation 總耗散功率 PD 1.5 W
Junction and Storage Temperature結溫和儲存溫度 TJ
Tstg 150，
-65 ~150 ℃
DEVICE MARKING 打標
FHBCP54-10=BCP54(63~160) FHBCP54-16=BCP54(100~250)
FHBCP55-10=BCP55(63~160) FHBCP55-16=BCP55(100~250)
FHBCP56-10=BCP56(63~160) FHBCP56-16=BCP56(100~250)
ELECTRICAL CHARACTERISTICS 電特性
(TA=25℃ unless otherwise noted 如無特殊說明，溫度為 25℃)
Characteristic 特性參數 Symbol
符號 Test Condition
測試條件
Min
最小
值
Type
典型值 Max
最大值 Unit
單位
FHBCP54 45 — — V
FHBCP55 60 — — V
Collector-Emitter Breakdown Voltage
集電極-發射極擊穿電壓 V(BR)CEO
FHBCP56
IC=10mA, IB=0
80 — — V
FHBCP54 45 — — V
FHBCP55 60 — — V
Collector-Base Breakdown Voltage
集電極-基極擊穿電壓 V(BR)CBO
FHBCP56
IC=100µA, IE=0
100 — — V
Emitter-Base Breakdown Voltage
發射極-基極擊穿電壓 V(BR)EBO I
E=10µA, IC=0 5.0 — — V
OQO ᒦൈࡍྯ!
NPN General Purpose Purpose Amplifier
NPN General Purpose Purpose Amplifier
OQO ᒦൈࡍྯ! FHBCP54/BCP55/BCP56
Characteristic 特性參數 Symbol
符號 Test Condition
測試條件 Min
最小值 Type
典型值 Max
最大值 Unit
單位
Collector Cutoff Current
集電極截止電流 ICBO VCB=30V,IE=0 — — 100 nA
Emitter Cutoff Current
發射極截止電流 IEBO VEB=5V,IC=0 — — 10 uA
hFE IC=5.0mA ,V CE=2V, 25 — —
BCP54 BCP55 BCP56 63 — 250
BCP54-10/55-10/56-10 63 — 160
hFE IC=150mA
VCE=2V BCP54-16/55-16/56-16 100 250
DC Current Gain
直流電流增益
hFE IC=500mA ,VCE=2V, 25 —
Collector-Emitter Saturation
Voltage
集電極-發射極飽和壓降 VCE（sat）IC=500mA,IB=50mA — — 0.5 V
Base-Emitter on Voltage
基極-發射極電壓 VBE(on) IC=500mA，VCE=2V, — — 1.0 V
