Transistors PNP germanium 2N 1924 2N 1925 PNP germanium transistors 2N 1926 *K Dispositif recommand Prefered device - Amplification BF petits signaux Donnes principales Small signal LF amplification Principal features - Commutation lente Low speed switching VcsBo 60 V VceR 40 V Ic 500 mA h 34-65 2N 1924 2ie 53 90 2N 1925 Dissipation de puissance maximale (20 mA) Maximum power dissipation 72 121 2N 1926 Prot Boitier TO-39 Case G): / a tamb(C) La base est relie au boitier Base is connected to case Valeurs limites absolues d'utilisation 4 tamh= 25C Absolute ratings (limiting values) Tension collecteur-base Collector-base voltage Vcgo -60 Vv ; Vpe= +15V Voex 50 Tension colecteur-metteur V Coflector-emitter voltage _ Reet 10k2 VceR 40 Tension metteur-base Emitter-base voltage VeBo 25 v Courant collecteur Collector current Ic 0,5 A Dissipation de puissance Power dissipation Prot 225 mw Temprature de jonction max. t 85 Junction temperature J Temprature de stockage min, t 65 c Storage temperature max. stg +100 1970-04 1/6 Sosa seam2N 1924 2N 1925 2N 1926 Caractristiques gnrales & tamb = 25C General characteristics Caractristiques statiques Static characteristics : 2 Courant rsiduel collecteur-base E Collector-base cut-off current Ves = -45 V \cBO BA : I =0 Courant rsidue!l metteur-base c Emitter-base cut-off current Ves = 25V 'EBO 4 10 | uA . t =0 Tension de claquage collecteur-base E Vv 7 Collector-base breakdown voltage le = -0,2mA (BR)CBO| 60 v VBE = +415V Ic = 50uA VieR)CEx! 50 Tension de claquage coltlecteur-metteur Ree = 10 kQ Vv Collector-emitter breakdown voltage [oe BE = Vie ~ le = 0,6 mA (BR)CER| 40 Tension de pntration Vv Ponet-through voltage pt 50 v 2N 1924 34 65 lo = 20 mA Vac = -1V 2N 1925 53 90 CE Valeur statique du rapport du transfert 2N 1926 72 121 direct du courant ha1E Static forward current transfer ratio 2N 1924 30 45 lq = 100 mA Vac = -1V 2N 1925 47 64 CE ~ 2N 1926 65 80 2N 1924 0,20 0,30 . I =- 20mA Tension base-metteur c Base-emitter voltage Vce =-1V 2N 1925 VBE 0,19 0,29 v 2N 1926 0,18 0,28 le = 20mA ig =--1,33mA 2N 1924 0,05 0,11 Tension de saturation collecteur-metteur| ' = 20mA 2n 19251 Vo 0,055 -~o1l v Colfector-emitter saturation voltage '5 = -1mA CEsat [-: , lo = 20 mA lp =0,67 mA 2N 1926 0,06 0,11 2/62N 1924 2N 1925 2N 1926 Caractristiques gnrales a tamb = 25C General characteristics Caractristiques dynamiques (pour petits signaux) Oynamic characteristics (fer small sigaats) Min. | Tyo. | Max. ho Mint Type jo ilax. 2N 1924 30 64 t = kHz Rapport de transfert direct du courant =-1mA Fowward current transfer ratio Ic m 2N 1925 Hote 44 88 Vop = -5V 2N 1926 60 120 2N 1924 0,7 2,2 f = 1kHz Impdance dentr | =-1mA Input impedence c mA {2n 1925] Mite | 1.2 3,2 | ko Voce = -5V 2N 1926 1,5 4,2 2N 1924 2 8 R d fert i f = 1kHz apport de transfert inverse ~ de la tension Io =-1MA jon 1925] hy26 3 9 |19-4 Inverse voltage transfer ratio Voe= VY 2N 1926 4 10 2N 1924 15 60 f = 1kHz Admittance de sortie 1 =1mA Output admittance c 2N 1925 h22e 20 65 us Vee = -V 2N 1926 i 25 70 | _ 2N 1924 1 1,5 Frquence de c 'e = 1mA rquence de coupure Cut-off frequency Vep= -5V 2N 1925 th2ib 1,3 2,5 MHz 2N 1926 1,5 3 Capacit de sorti Veg = eV apacit de sortie _ Output capacitance le = 1mA C095 30 pF f = 1MHz 3/62N 1924 2N 1925 2N 1926 2N 1924 Caractristiques statiques Static characteristics (mesures en impulsions) {pulse tests} ale ima lI 0 8: 400 40 | a a al 300 30 _) bo tot tamb = 25C aa i 200 wo beta de 4 1, sO 2MmA 10 pip 4-4 100 | | 5 CE (V) baie VBE (V), BN ae . : ao}. PR . = aot 30 Lo soe Veg = 1 V o4 tse . _4 20 Lt 0.2 10 | 4 | 0 700 200.300 400 ic (ma) 400__Ic (ma) ~VCE sat (V) T VBE sat (V) 0.25