NPN-Transistoren fur NF-Verstarker und Schalteranwendung BSX 45 BSX 46 BSX 47 BSX 45, BSX 46 und BSX 47 sind epitaktische NPN-Silizium-Planar-Transistoren im Gehaduse 5 C 3 DIN 41873 (TO-39). Der Kollektor ist mit dem Gehause elektrisch verbunden. Die Transistoren sind besonders fir NF-Verstarker- und NF-Schalteranwendung bis 1 A geeignet. Typ | Bestellnummer BSX 45-6 BSX 45-10 BSX 45-16 BSX 46-6 BSX 46-10 BSX 46~16 BSX 47-6 BSX 47-10 Grenzdaten Q60218-X45-V6 Q60218-X45-V10 Q60218-X45-V16 Q60218-X46-V6 Q60218-X46-V10 Q60218-X46-V16 Q60218-X47-V6 Q60218-X47-V10 Kollektor-Emitter-Spannung Kollektor-Emitter-Spannung Emitter-Basis-Spannung Kollektorstrom Basisstrom Sperrschichttemperatur Lagertemperatur Gesamtverlustleistung (7, S 25 C) Warmewiderstand Kollektorsperrschicht Luft Kollektorsperrschicht Transistorgehduse 135+ 66-94 Gewicht etwa 1,59 MaBe in mm BSX 45| BSX 46 | BSX 47 | Rensu Rin Statische Kenndaten (7, = 25C) 40 60 80 Vv 80 100 120 Vv 7 7 7 Vv 1 1 1 A 0,2 0,2 0,2 A 200 200 200 C ~65 bis +200 C 5 | 5 [5 WwW =200 | 200 {|=200 | K/W | 35 S 35 = 35 K/W Die Transistoren BSX 45, BSX 46, BSX 47 werden nach der statischen Stromverstarkung ,,B gruppiert und mit Zahlen der DIN-R5-Normreihe gekennzeichnet. Typ BSX 45 BSX 45 BSX 45 BSX 45 BSX 46 BSX 46 BSX 46 BSX 46 BSX 47 BSX 47 _ BSX 47 B-Gruppe 6 10 16 Ic B B B Use mA Ic/Ig Io/Is Io/ Tp Vv 0,1 28 (> 10) 40 (> 15) 90 (> 25) 100 63 (40 bis 100) 100 (63 bis 160) | 160 (100 bis 250) | <1 500 25 (> 15) 40 (> 35) 60 (> 35) 0,75 bis 1,5 1000 15 20 30 1,3 (< 2) 367BSX 45 BSX 46 BSX 47 Statische Kenndaten (7, = 25C) BSX 45 BSX 46 BSX 47 Kollektor-Emitter-Sattigungsspannung (Ie = 1A; B = 10) Ucesat 0,7 (<1) | 0,7 (<1) | Vv Kollektor-Emitter-Sattigungsspannung (Ie = 0,5 A; B= 20) Ucesat _ _ 0,5 (< 0,9) Vv Kollektor-Emitter-Reststrom (Uces = 60 V) Tees 1 (< 30) | 1(<30) | nA Kollektor-Emitter-Reststrom (Uces = 60 V; Ty = 150C) Toes 1(<10) |1(<10) | pA Kollektor-Emitter-Reststrom (Uces = 80V) Tees _ _ < 30 nA Kollektor-Emitter-Reststrom (Uces = 80 V; Tu = 150C) Ices _ _ <10 pA Kollektor-Emitter-Reststrom (Uce = 60 V; Upe = 0,2 V; Ty = 100C) Tcex < 50 < 50 _ vA Kollektor-Emitter-Reststrom (Ucg = 80 V; Uge = 0,2 V; Tu = 100C) Tcex _ _ < 50 uA Emitter-Basis-Reststrom (Ueno = 5 V) leso <10 < 10 <10 nA Kollektor-Emitter- Durchbruch- spannung (Ice = 50 mA; Impulslange = 200 usec Tastverhaltnis 1%) Uvsryceo > 40 > 60 > 80 Vv Kollektor-Emitter- Durchbruch- spannung (lees = 100 uA) Uvsryces > 80 > 100 > 120 Vv Emitter-Basis- Durchbruch- spannung (leso = 100 pA) UvpryeBo >7 >7 >7 Vv Dynamische Kenndaten (7y = 25C) Transitfrequenz ([ = 50 mA; Uce = 10 V; f = 20 MHz) fy > 50 > 50 > 50 MHz Kollektor-Basis-Kapazitat (Ucao = 10 V; f= 1 MHz) Coso < 25 < 20 <15 pF Emitter-Basis-Kapazitat (Ueao = 0,5 V; f= 1 MHz) CEso < 80 < 80 < 80 pF Rauschzahl (Ig = 100 pA; Uce = 10 V; f=1kHz; Af = 200 Hz; Re =1kQ) F 3,5 3,5 3,5 dB Schaltzeiten I = 100 mA; Ip4 wy -Ise wz 5SmA tein < 200 < 200 < 200 ns taus < 850 < 850 < 850 ns 368BSX 45 BSX 46 MeBschaltung fir Schaltzeiten -bV (Uggh +20V (Upc) i 200.2 Ops Thay Osz. bee < 1615 R500 2,2 10kKQ = C Temperaturabhangigkeit der zulassigen Gesamtverlustieistung weer = f(T): Uce = Parameter 5 Uoes BSX 46 Prot 0 100 200C BSX 47 Temperaturabhangigkeit der zuladssigen Gesamtverlustleistung W Prot = f(T): Uce = Parameter Unce BSX 45 5 CEs Prot Is Q 100 200C Temperaturabhangigkeit der zulassigen Gesamtverlustleistung Prop = F(T); Uce = Parameter : Uoes BSX 47 0 100 200C eT 369Zulassige Impulsbelastbarkeit K fthag = f(t); = Parameter BSX 45, BSX 46, BSX 47 Pla wo wh wt we we 01 10% a f Stromverstarkung 8 =f (Jc) U, = BSX 45-10, BSX 46-10, BSX 47-10 108 & Streuwerte bei 7y-25C 02 wl 1 40 wi 0" mA +h 370 a bo Stromverstarkung 8 = f (Ic) 103 wed vw BSX 45 BSX 46 BSX 47 =1V "RSX 45-6, BSX 46-6, BSX 47-6 ow Stromverstarkung 8 = f (Jc) v a3 0 0 ce= 10 Streuwerte bei 7y-26C Ww! +h 0 ema BSX 45-16, BSX 46-16 Niftelwerte Streuwerte dei %y-25C 0 3mABSX 45 BSX 46 Zulassiger Betriebsbereich pulaeeige, Betrignemeraicn Io =f (Uce): (Tq = 60C = ; = A Cc ( ce) ( G ) BSX 45 A Cc CE. G BSX 45 10! W 40 22 15 10" , 75 5 3 Tg= 126C 6 21 we , 40 5 10) 5 10ev 40 5 id 5 10 * Ue me Ue Zuladssiger Betriebsbereich pees Berrien. To =f (Uce)i (Te = 60 i-= (Te. = 128 a fe (ce): (Te ) BSX 46 A c CE 6 BSX 46 w 0 5 5 Io Ig | 10 tot 5 5 10" 107 5 5 Ty = 125C 10% 1? 10 5 60 5 102v 10 5 5 10V Nee ae Ue Zulassige Betriebsbereiche gelten fiir Einzelimpulse ( = 0). Fur Impulsfolgen ist die Verlustleistung gemaR Dia- gramm ,,zulassige Impulsbelastbarkeit zu reduzieren | 371BSX 45 BSX 46 BSX 47 Zulassiger Betriebsbereich Ip =f (Uce); (Te = 60C) BSX 47 10! 5 f { 10 5 0 5 10? 02 > He Kollektorstrom I, =f (Ug_) Uce = 1V; Ty = Parameter 4, (Emitterschaltung) SX 45, BSX 46, BSX 47 0 5 ig 10? 5 ow 5 10 5 Miffelwerte Streuwerte bel Ty=25C =1 0 0 05 4,0 1,5V Ube 372 Zuldssiger Betriebsbereich A Te =f (Uce): (To = 125C) BSX 47 Jg= 125C 400 5 5 10V Uo Ausgangskennlinien J, =f (Uce) Ty = Parameter; (Emitterschaltung) A BSX 45, BSX 46, BSX 47 Ww mA 03 mA 08 1 6 05 O4 03 OZ 0 0 0 vy 20 30V > IEBSX 45 BSX 46 BSX 47 Ausgangskennlinien J, = f (Uc.) J, = Parameter (Emitterschaltung) 1 BSX 45, BSX 46, BSX 47 A 0 mA mA 18mA og 08 o7 Op Og Of 03 O2 7 0 Ue Sattigungsspannung Ucesat =f (Ic) = 10; 7y = Parameter ma BSX 45, BSX 46, BSX 47 3 10 G 5 0" | Hittelwerte 0! Sineuwerte bei Ty 0 05 OV > Uoesat Ausgangskennlinien J, = f (Ucg) 7; = Parameter (Emitterschaltung) mA BSX 45, BSX 46, BSX 47 700 soma mA a 80 70 60 50 40 30 10 Sattigunasspannung Usesat =f (Ic) = 10; Uce = 1V; Ty = Parameter mA BSX 45, BSX 46, BSX 47 10 Nitfelwerte 5 = Streuwerle bei Ty=26C we 0 10 0 05 10 15V > Upesat 373BSX 45 BSX 46 BSX 47 Temperaturabhangigkeit des Reststromes /cgo = f (Ty) Ucg = 60V BSX 45, BSX 46 nA Ucg = 80V BSX 47 10 Teao 10" Mitfelwert Sfreuwert 0 50 100 180C ry 374 Transitfrequenz f; =f (Ic) Uce S ov ha BSX 45, BSX 46, BSX 47 10 i 02 10 10 5 10! 5 102 5 10mA