FIELD-EFFECT TRANSISTORS, SILICON. N CHANNEL *2N 543 2 TRANSISTORS A EFFET DE CHAMP, SILICIUM. CANAL N * 2N 543 3 * 2N 5434 K Preferred device Dispositif recommand - Fast switching Commutation rapide - Chopper 150 mA min. 2N 5432 Dcoupeur lpss 100 mA min. 2N 5433 30mA min. 2N 5434 52 max. 2N 5432 "DS on 7Q max. 2N 5433 102 max. 2N 5434 Maximum power dissipation Case TO-18 See outline drawing CB-6 on last pages Dissipation de puissance maximale 8oitier Voir dessin cot CB-6 dernires pages Prot (w) , Bottom view 03 Vue de dessous \ Os N 1 t 0,2 1 1 hi 0,1 |-+ N ( 1 4 Weight : 0,32 g. Gate is connected to case Q 50 100 150 Tamb!?! Masse La grille est relie au boitier ABSOLUTE RATINGS (LIMITING VALUES) T =+25C (Untess otherwise stated) VALEURS LIMITES ABSOLUES DUTILISATION amb (Sauf indications contraires) Drain-source voltage Vv Tension drain-source DS 25 v Gate-source voltage Vv _ Tension grille-source Gs 25 v Gate drain voltage Vv Tension grille drain GD 25 v Gate current I 100 mA Courant de grille G Power dissipation tT. = 25C Pp. Dissipation de puissance amb tot 0,3 Ww Junction temperature T; Temprature de jonction max. J 180 c Storage temperature min, Tot 55 c Temprature de stockage max. 9 +200 C 75-46 1/8 THOMSON-CSF DIMSION SEMICONDUCTEURS 841