NPN SILICON TRANSISTORS, HOMOBASES TRANSISTORS NPN SILICIUM, HOMOBASES 2N 3055 compl. of BDX 18, BDX 18N *2N 3055 *BDY 73 - LF large signal power amplification Amplification BF grands signaux - High current switching Commutation fort courant - Thermal fatigue inspection Contrl en fatigue thermique Dissipation derating Variation de dissipation 2K Preferred device Dispositif recommand VcEo 60 V lo 15A Prot 117 W Rthij-c) 1,5C/W max. hoiE (4A { 20-70 2N 3055 21k (4A) 50-150 BDY 73 fr 0,8 MHz min. Case TO-3 See outline drawing CB-19 on last pages Boitier Voir dessin cot CB-19 dernires pages 100 % Bottom view E i Vue de dessous 3 LLN | \ O O 50 IN | \ 25 | A B i Weight : 14,49 Collector is connected to case oO 50 100 150 1 (c) Masse Le collecteur est reli au boftier case ABSOLUTE RATINGS (LIMITING VALUES) t = 26C (Uniess otherwise stated) VALEURS LIMITES ABSOLUES D'UTILISATION case (Sauf indications contraires) 2N 3055 BDY 73 Collector-base voltage Vv Tension collecteur-base CBO 100 100 Vv Collector-emitter voltage Vi Tension collecteur-metteur CEO 60 60 Vv Collector-emitter voltage Ro- = Vv, Tension collecteur-metteur BE 100 22 CER 70 70 Vv Collector-emitter voltage --15V Vv Tension collecteur-metteur Vee =15 CEX 90 90 Vv Emitter-base voltage Tension metteur-base Veso 7 7 Vv Collector current Courant collecteur co 15 15 A Base current I Courant base B 7 7 A Power dissipation = P. Dissipation de puissance tcase 25C tot 117 17 Ww Junction temperature t Temprature de jonction max J 200 200 c Storage temperature tain t 65 ~65 C Temprature de stackage max stg +200 +200 C 73-11 1/8 THOMSON - CSF 283 DRISION SEMICONOUCTEURS*2N 3055, *BDY 73 STATIC CHARACTERISTICS t = 25C (Unless otherwise stated) CARACTERISTIQUES STATIQUES case (Saut indications contraires) Test conditions : Conditions de mesure Min. Typ. Max. Cotlector-emitter cut-off current Voce =30V Courant rsiduel collecteur-6metteur 'g =0 IcEO 2N 3055 o7 mA Var = 100 V CE ; A Vge =-1.5V 8 " | Veg =60V Collector-emitter cut-off current Vee =1SV 1 BDY 73 0 mA Courant rsiduel collecteur-metteur tease = 150C CEX [~ Po Voge = 100 v Vee =15 Vv 2N 3055 30 mA tease = 150C Emitter-base cut-off current Veg =7V EBO 5 mA Courant rsiduel metteur-base lo =0 Coliector-emitter breakdown voltage le = 200 mA V *x 60 Vv Tension de claquage collecteur-metteur ip =0 CEO({sus} Coltector-emitter breakdown voltage Io = 200 mA * Vv Tension de claquage callecteur-metteur R BE = 400 2 Voce R(sus) 70 : | = 100 mA Collector-emitter breakdown voltage c Vv * 90 Vv Tension de claquage collecteur-metteur VBE =-15V CEX(sus) Vee =4V 2N 3085 | 20 70 Vv le =4A Static forward current transfer ratio Ver =4V h * Valeur statique du rapport de transfert \ cE QTE BDY 73 50 150 Vv direct du courant Cc = 4A Vee =4V 2N3055| 5 Vv lo =10A lq =4A 1 Vv . Ip =04A Collector-emitter saturation voltage Vee * Tension de saturation collecteur-metteur } 10A sa c = 2N 3055 8 v ip = 3,3 A Base-emitter voltage Voge =4V ven. * 1B V Tension base-metteur 1 c = 4A BE Second breakdown collector current | Veg =60V ise 1,95 A Courant collecteur de second claquage t =1s . * Pulsed t,=300us <2% Imputsions p 2/8 284*2N 3055, *BDY 73 DYNAMIC CHARACTERISTICS (for smail signals) CARACTERISTIQUES DYNAMIQUES (pour petits signaux) (Unless otherwise stated} (Sauf indications contraires} tease = 25C Test conditions Conditions de mesure Min. Typ. Ma. Vee =4V Ie =1A f= 0,5 MHz Transition frequency Frquence de transition 0,8 MH2 THERMAL CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES THERMIQUES Junction-case thermal resistance Rsistance thermique (jonction-boitier} Rthtj-c) THERMAL FATIGUE INSPECTION Permanent inspection of soldering quality between siliccn chip and header provides maximum insurance against thermal! fatigue. Pulsed test : 10 000 cycles Hone, on 2 minutes (OQ > 48 W) off: Tminute (48>0W) Tease = 100C max Atoase = 85C max CONTROLE EN FATIGUE THERMIQUE Le contrle permanent de fa qualit de la soudure entre fa pastille de siticium et l'embase confre au transistor un maxi- mum de garantie contre fa fatigue thermique. Contrle cyclique : 3/8 285*2N 3055, *BDY 73 SAFE OPERATING AREA AIRE DE FONCTIONNEMENT DE SECURITE (A) 60 40 20 tease = 25C oc Continu Pulsed 2 En imputsions 418 286*2N 3055, *BDY 73 TYPICAL CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES TYPIQUES COLLECTOR CURRENT VERSUS COLLECTOR- EMITTER VOLTAGE Courant collecteur en fonction de la tension I coHlecteur-metteur tease = 25C 2N 3055 0 1 2 3 4 Vog!v? COLLECTOR CURRENT VERSUS COLLECTOR- EMITTER VOLTAGE Courant collecteur en fonction de ia tension lo colecteur-metteur {ma} YY an 3065 | | | Pp 160 eZ 120 4 | a } 8c pa / 7200 BA \ 40 oo an] 0 0 20 40 60 80 V..lV) cE COLLECTOR CURRENT VERSUS COLLECTOR. EMITTER VOLTAGE Courant collecteur en fonction de fa tension coffecteur-metteur 1 160 mA 1 100 mA 80 mA 60 mA 40 mA }g720 mA 0 1 2 3 4 Vogt) COLLECTOR CURRENT VERSUS COLLECTOR- EMITTER VOLTAGE Courant collecteur en fonction de fa tension collecteur-metteur LL dv 73 WA ly I, oo 2 ES Ee 0,4 \ge? on TT | 0 o 20 40 60 80 Vog!Y) 5/8 287*2N 3055, *BDY 73 TYPICAL CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES TYPIQUES COLLECTOR EMITTER VOLTAGE VERSUS BASE-EMITTER RESISTANCE Tension collecteur-metteur en fonction de la Vv cE rsistance base-metteur (v} lq = 200 tease = 25C 70 STATIC FORWARD CURRENT TRANSFER RATIO VERSUS COLLECTOR CURRENT Valeur statique du rapport d transfert direct du bh courant en fonction du courant collecteur STATIC FORWARD CURRENT TRANSFER RATIO VERSUS COLLECTOR CURRENT Valeur statique du rapport de transfert direct du courant en fonction du courant collecteur 21E hore 2N 3055 BDY 73 Vop=4v Vee =4V 300 | 300 250 , 250 TN 200 4, 200 |__|. eH in KS \ o 2 LN 150 | case = a N, 150 | i N jmmmens Go Ln N | \\ 100 N 100 \ 50 NY . 50} |. NN Ne N 0 0 2 468 2 468 2 46 2 2 68 4 2 468 2 46 107! 10 10! IgA) 10 10 10 iglAl 6/8 288*2N 3055, *BDY 73 TYPICAL CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES TYPIQUES COLLECTOR CURRENT VERSUS BASE BASE CURRENT VERSUS BASE-EMITTER VOLTAGE EMITTER VOLTAGE Courant base en fonction de la tension base- Courant collecteur en fonction de la tension metteur : lo base-metteur 3 'g (mA} 10, ce=4V (A)g ce =4V 6 6 4 102 10! 8 8 6 6 4 a 2 2 10! 10 8 8 6 6 a 4 2 2 10 10 0,5 1 1,5 2 Vpel) 0 0,5 1 1,5 2 Vpelv) BASE-EMITTER SATURATION VOLTAGE COLLECTOR-EMITTER SATURATION VOLTAGE VERSUS COLLECTOR CURRENT VERSUS COLLECTOR CURRENT Tension de saturation base-matteur en Tension de saturation collecteur-metteur en fonction du courant coilecteur fonction du courant collecteur le (A) lo (A) lc 'c = =10 ip 10 tp 2,5 2,5 2 2 | ; v 1,5 Hi 1,5 i & /) 3 / 1 A 1 v = 25C 4 Xcase A / & 05 tt Lame 05 A we ' = 125C Ly | Tease | to | 0 0 2 468 2 463 2 av 1 2 468 2 468 2 4v 10! 10 10! eset 107 10 101 cast 7/8 289*2N 3055, *BDY 73 TYPICAL CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES TYPIQUES TRANSITION FREQUENCY VERSUS OUTPUT CAPACITANCE VERSUS COLLECTOR CURRENT COLLECTOR.-BASE VOLTAGE Frquence de transition en fonction du Capacit de sortie en fonction de la f courant collecteur c tensian collecteur-base T 22b (MHz) tease = 25C (pF) Tease = 25C Vog =10V 8 4 6 en. el ee MN 4 NI N 3 2 2 1 104 - 2 4 6 2 4 6 8v..V) 1071 ig fA) 10 cB TRANSIENT THERMAL RESISTANCE DERATING FACTOR UNDER PULSES CONDITIONS Facteur de rduction de ia rsistance thermique en K rgime dimpuisions & : | Lr ay" HH" 4 sf 2 ZHaK Rn 4 10 toa 2 8 2 5 2 8 2 5 2 10% 10 102 1071 10 t,{sec 8/8 290