Semiconductor Group 1
SFH 309
SFH 309 FA
NPN-Silizium-Fototransistor
Silicon NPN Phototransistor
Wesentliche Merkmale
●Speziell geeignet für Anwendungen im
Bereich von 380 nm bis 1180 nm
(SFH 309) und bei 880 nm (SFH 309 FA)
●Hohe Linearität
●3 mm-Plastikbauform im LED-Gehäuse
●Gruppiert lieferbar
Anwendungen
●Lichtschranken für Gleich- und
Wechsellichtbetrieb
●Industrieelektronik
●“Messen/Steuern/Regeln”
Features
●Especially suitable for applications from
380 nm to 1180 nm (SFH 309) and of
880 nm (SFH 309 FA)
●High linearity
●3 mm LED plastic package
●Available in groups
Applications
●Photointerrupters
●Industrial electronics
●For control and drive circuits
SFH 309
SFH 309 FA
Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified
feof6653 feo06653
01.97
Semiconductor Group 2
SFH 309
SFH 309 FA
1) Eine Lieferung in dieser Gruppe kann wegen Ausbeuteschwankungen nicht immer sichergestellt werden.
Wir behalten uns in diesem Fall die Lieferung einer Ersatzgruppe vor.
1) Supplies out of this group cannot always be guaranteed due to unforseeable spread of yield. In this case we
will reserve us the right of delivering a substitute group.
Typ
Type Bestellnummer
Ordering Code Typ (*vorher)
Type (*formerly) Bestellnummer
Ordering Codes
SFH 309 Q62702-P859 SFH 309 FA
(*SFH 309 F) Q62702-P941
SFH 309-3 Q62702-P997 SFH 309 FA-2
(*SFH 309 F-2) Q62702-P174
SFH 309-4 Q62702-P998 SFH 309 FA-3
(*SFH 309 F-3) Q62702-P176
SFH 309-5 Q62702-P999 SFH 309 FA-4
(*SFH 309 F-4) Q62702-P178
SFH 309-61) Q62702-P1000 SFH 309 FA-5
(*SFH 309 F-51))Q62702-P180
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Description Symbol
Symbol Wert
Value Einheit
Unit
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range Top;Tstg – 55 ... + 100 °C
Löttemperatur bei Tauchlötung
Lötstelle ≥ 2 mm vom Gehäuse,
Lötzeit t≤ 5 s
Dip soldering temperature ≥ 2 mm distance
from case bottom, soldering time t ≤ 5 s
TS260 °C
Löttemperatur bei Kolbenlötung
Lötstelle ≥ 2 mm vom Gehäuse,
Lötzeit t≤ 3 s
Iron soldering temperature ≥ 2 mm distance
from case bottom, soldering time t≤ 3 s
TS300 °C
Kollektor-Emitterspannung
Collector-emitter voltage VCE 35 V
Kollektorstrom
Collector current IC15 mA
Kollektorspitzenstrom, τ < 10 µs
Collector surge current ICS 75 mA
Semiconductor Group 3
SFH 309
SFH 309 FA
Verlustleistung, TA = 25 °C
Total power dissipation Ptot 165 mW
Wärmewiderstand
Thermal resistance RthJA 450 K/W
Kennwerte (TA = 25 °C, λ = 950 nm)
Characteristics
Bezeichnung
Description Symbol
Symbol Wert
Value Einheit
Unit
SFH 309 SFH 309 FA
Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit
Wavelength of max. sensitivity λS max 860 900 nm
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit
S = 10 % von Smax
Spectral range of sensitivity
S = 10 % of Smax
λ380 ... 1150 730 ... 1120 nm
Bestrahlungsempfindliche Fläche (∅240 µm)
Radiant sensitive area A0.2 0.2 mm2
Abmessung der Chipfläche
Dimensions of chip area L×B
L×W0.45 ×0.45 0.45 ×0.45 mm × mm
Abstand Chipoberfläche zu Gehäuseober-
fläche
Distance chip front to case surface
H2.4 ... 2.8 2.4 ... 2.8 mm
Halbwinkel
Half angle ϕ±12 ±12 Grad
deg.
Kapazität, VCE = 0 V, f = 1 MHz, E= 0
Capacitance CCE 5.0 5.0 pF
Dunkelstrom
Dark current
VCE = 25 V, E= 0
ICEO 1 (≤200) 1 (≤200) nA
Grenzwerte
Maximum Ratings (cont’d)
Bezeichnung
Description Symbol
Symbol Wert
Value Einheit
Unit
Semiconductor Group 4
SFH 309
SFH 309 FA
Die Fototransistoren werden nach ihrer Fotoempfindlichkeit gruppiert und mit arabischen
Ziffern gekennzeichnet.
The phototransistors are grouped according to their spectral sensitivity and distinguished
by arabian figures.
1) IPCEmin ist der minimale Fotostrom der jeweiligen Gruppe
1) IPCEmin is the min. photocurrent of the specified group
Directional characteristics Srel =f (ϕ)
Bezeichnung
Description Symbol
Symbol Wert
Value Einheit
Unit
-2 -3 -4 -5
Fotostrom, λ = 950 nm
Photocurrent
Ee = 0.5 mW/cm2,VCE = 5 V
SFH 309:
Ev = 1000 Ix, Normlicht/
standard light A, VCE = 5 V
IPCE
IPCE
0.4 ... 0.8
1.5
0.63 ... 1.
25
2.8
1.0 ... 2.0
4.5
1.6 ... 3.2
7.2
mA
mA
Anstiegszeit/Abfallzeit
Rise and fall time
IC = 1 mA, VCC = 5 V,
RL = 1 kΩ
tr, tf5678µs
Kollektor-Emitter-
Sättigungsspannung
Collector-emitter saturation
voltage
IC = IPCEmin1) × 0.3,
Ee = 0.5 mW/cm2
VCEsat 200 200 200 200 mV
Semiconductor Group 5
SFH 309
SFH 309 FA
Semiconductor Group 6
SFH 309
SFH 309 FA
Relative spectral sensitivity,
SFH 309 Srel =f (λ)
Total power dissipation
Ptot = f (TA)
Dark current
ICEO =f (TA), VCE = 25 V, E = 0
Relative spectral sensitivity,
SFH 309 FA Srel =f (λ)
Photocurrent
IPCE = f (VCE), Ee= Parameter
Capacitance
CCE=f (VCE), f= 1 MHz, E = 0
Photocurrent
IPCE =f (Ee), VCE = 5 V
Dark current
ICEO =f (VCE), E = 0
Photocurrent
IPCE/IPCE25o = f (TA), VCE = 5 V
