NPN SILICON TRANSISTORS, EPITAXIAL BASE TRANSISTORS NPN SILICIUM, BASE EPITAXIEE Compl. of BD 302, 304 BD 301 BD 303 BD 301 and BD 303 transistors are intended for complementary symetry amplifiers : audio output stages up to 25 W, vertical deflexion circuits in color TV receivers. Les transistors BD 301 et BD 303 sont destins aux amplificateurs 4 symtrie complmentaire ou quasi complmentaire : tages de sortie BF jusqua 25 W, circuits de dviation verticale en tlvision couleur. Dissipation and Ig/g derating Plastic case Variation de dissipation et de !5/g Beoitier plastique 100 | % 7 1 4 75 S+ | a \ 55% _| 50 XY 25 }-L | o 1 Weight : 2,5. 50 100 150) teacel(C) Masse V { 45 V BD 301 CEO 60V BD 303 Prot 55 W Rthij-c} 2,3C/W max. ho1(3A) 30 min. BD 301 216 (3A { 30 min. BD 303 fr 3 MHz min. TO-220 AB - See outline drawingCB-117o0n last pages Voir dessin cot CB-117 dernires pages Collector is connected to case Le collecteur est reli au boitier ABSOLUTE RATINGS (LIMITING VALUES) VALEURS LIMITES ABSOLUES DUTILISATION (Uniess otherwise stated) {Sauf indications contraires] tiyj) = 150C BD 301 BD 303 Collector-base voltage Tension collecteur-base Vospo 60 60 Vv Collector-emitter voltage Vv Tension collecteur-6metteur CEO 45 60 Vv Emitter-base voltage Tension metteur-base Veso 5 5 Vv Collector current Courant collecteur Io 8 8 A Peak collector current t. = 10 ps \ 2 12 A Courant de crte de collecteur p CM Base current } Courant base B 2 2 A Power dissipation t = 25C Pp Dissipation de puissance case tot 55 55 w Junction temperature . te Temprature de jonction max. j 150 150 C Storage temperature min. tet 65 65 C Temprature d stockage max stg +150 +150 C 74-4 V7 THOMSON - CSF 491 ONIBON SEMICONDUCTEURS,BD 301, BD 303 STATIC CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES STATIQUES tease = 25C (Unless otherwise stated) (Sauf indications contraires} Test conditions Conditions de mesure Min. Typ. Max. Collector-emitter cut-off current Veg =30V i A Courant rsiduel collecteur-metteur Ig =0 CEO 1 m Vop =40V Collector-base cut-off current _ Courant rsiduel collecteur-base 'e = 0 'eBo 1 mA tyyj) = 150C Emitter-base cut-off current Veg =5V Courant rsiduel metteur-base ic =0 eBo 5 mA Collector-emitter breakdown voltage ig = 200mA BD 30% 45 Tension de claquage collecteur-6metteur pg =0 Vip RICEQ BD 303 60 v Vee =2V cE BD 301 30 lo =3A Static forward current transfer ratio ho. o* Valeur statique du rapport de transfert 21E Girect du courant Vv ov CE = BD 303 30 le =2A Collector-emitter saturation voltage le =3A Vv * 1 Vv Tension de saturation collecteur-6metteur ip =0,3A CEsat Base-emitter saturation voltage Io =3A Vv * 15 Vv Tension de saturation base-6metteur Ip =03A BEsat , DYNAMIC CHARACTERISTICS (for small signals) CARACTERISTIQUES DYNAMIQUES {pour petits signaux} Transition frequency Voce =3V f. or Frquence de transition Io =0,3A T 3 MHz THERMAL CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES THERMIQUES Junction-case thermal resistance | . Rsistance thermique (jonction-boi tier} Rtn(j-c) 2,3 ciw * Pulsed impuisions ty =300ns 8 <2% 2/7 492BD 301, BD 303 SAFE OPERATING AREA Aire de fonetionnement de scurit le (A) 50 20 10 5 2 1 tease = 25C Continuous Continu 0,5 J- Putsed impuisions 0,2 0,1 1 2 5 10 20 50 VotV) 3/7 493BD 301, BD 303 TYPICAL CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES TYPIQUES COLLECTOR CURRENT VERSUS COLLECTOR- EMITTER VOLTAGE Courant colleecteur en fonction de fa tension p, colecteur-metteur 0 1 2 3 4 Vog (Vb COLLECTOR CURRENT VERSUS COLLECTOR. EMITTER VOLTAGE Courant collecteur en fonction dela tension Io collecteur-metteur 160 120 80 q oO 10 20 30 40 Vog (Vv) COLLECTOR CURRENT VERSUS COLLECTOR- EMITTER VOLTAGE Courant collecteur en fonction de fa tension collecteur-metteur {A) 0 1 2 3 4 Vo (VI COLLECTOR CURRENT VERSUS COLLECTOR- EMITTER VOLTAGE Courant collecteur en fonction de la tension L, collecteur-metteur ee (mA) 160 120 80 2 40 oom = 0,1 mA 0 0 10 20 30 40 Voge (Vv) 4/7 494BD 301, BD 303 TYPICAL CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES TYPIQUES COLLECTOR EMITTER VOLTAGE VERSUS STATIC FORWARD CURRENT TRANSFER BASE-EMITTER RESISTANCE (minimum vatue) RATIO VERSUS COLLECTOR CURRENT Tension collecteur-metteur en fonction de fla Valeur statique du rapport de transfert direct du v.,. sistance base-metteur {valeur minimum) h courant en fonction du courant collecteur CE 21E (v) TT Heo v Tease = 28C Mog =2 dT 60 120 e NI N, a Yo sf lll 100 b 7 55 80 / 50 | 40 L 45 : : oO 2 46 2 46 246 102 Ree {2) BASE CURRENT VERSUS BASE-EMITTER VOLTAGE Courant base en fonction de la tension base- | &metteur c=? 0 04 O08 12 1,6 Vpp tv) 5/7 495BD 301, 8D 303 TYPICAL CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES TYPIQUES COLLECTOR CURRENT VERSUS BASE EMITTER VOLTAGE Courant collecteur en fonction de fa tension base-metteur 10? 0 04 O08 1,2 1,6 Vpeiv) COLLECTOR-EMITTER SATURATION VOLTAGE BASE-EMITTER SATURATION VOLTAGE VERSUS COLLECTOR CURRENT VERSUS COLLECTOR CURRENT Tension de saturation collecteur-metteur en Tension de saturation base-metteur en Vv fonction du courant callecteur Vee fonction du caurant collecteur sat Wi fier io =1 1,6 1,2 08 0,4 468 ,2 4688 46) 1a) 2 4 68 -2 = 10" 2 #4 68 246, 6/7 496BD 301, BD 303 TYPICAL CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES TYPIQUES OUTPUT CAPACITANCE VERSUS TRANSITION FREQUENCY VERSUS COLLECTOR-BASE VOLTAGE COLLECTOR CURRENT Capacit de sortie en fonction de la Frquence de transition en fonction du Coo tension collecteur-base courant collecteur b Voce =3 = 28C 2 4 6 407 Vogt) 10" \gla) TRANSIENT THERMAL RESISTANCE DERATING FACTOR UNDER PULSES CONDITIONS Facteur de rduction de fa rsistance thermique en rgime dimpulsions 102 10 ge 8 "328 10 1072" Sot 510 t,{sec) 77 497