Technische Information / technical information IGBT-Module IGBT-Modules FS75R12KE3 G vorlaufige Daten preliminary data Hochstzulassige Werte / maximum rated values Elektrische Eigenschaften / electrical properties Kollektor Emitter Sperrspannung collector emitter voltage VCES 1200 V IC, nom IC 75 100 A A Kollektor Dauergleichstrom DC collector current Tc= 80C Tc= 25C Periodischer Kollektor Spitzenstrom repetitive peak collector current tp= 1ms, Tc= 80C ICRM 150 A Gesamt Verlustleistung total power dissipation Tc= 25C Ptot 350 W VGES +/- 20 V IF 75 A IFRM 150 A It 1,19 kAs VISOL 2,5 kV Gate Emitter Spitzenspannung gate emitter peak voltage Dauergleichstrom DC forward current Periodischer Spitzenstrom repetitive peak forward current tp= 1ms Grenzlastintegral It value VR= 0V, tp= 10ms, Tvj= 125C Isolations Prufspannung insulation test voltage RMS, f= 50Hz, t= 1min Charakteristische Werte / characteristic values Transistor Wechselrichter / transistor inverter Kollektor Emitter Sattigungsspannung collector emitter satration voltage VGE= 15V, Tvj= 25C, IC= IC,nom VGE= 15V, Tvj= 125C, IC= IC,nom min. typ. - 1,7 2,1 V - 2 t.b.d. V VGE(th) 5 5,8 6,5 V VCEsat max. Gate Schwellenspannung gate threshold voltage VCE= VGE, Tvj= 25C, IC= 3mA Gateladung gate charge VGE= -15V...+15V QG - 0,7 - C Eingangskapazitat input capacitance f= 1MHz, Tvj= 25C, VCE= 25V, VGE= 0V Cies - 5,3 - nF Ruckwirkungskapazitat reverse transfer capacitance f= 1MHz, Tvj= 25C, VCE= 25V, VGE= 0V Cres - 0,2 - nF Kollektor Emitter Reststrom collector emitter cut off current VCE= 1200V, VGE= 0V, Tvj= 25C ICES - - 5 mA Gate Emitter Reststrom gate emitter leakage current VCE= 0V, VGE= 20V, Tvj= 25C IGES - - 400 nA prepared by: Mark Munzer date of publication: 2001-08-16 approved: Martin Hierholzer revision: 2 1 (8) Datenblatt_FS75R12KE3G_V2.xls 2001-08-16 Technische Information / technical information IGBT-Module IGBT-Modules FS75R12KE3 G vorlaufige Daten preliminary data Charakteristische Werte / characteristic values Transistor Wechselrichter / transistor inverter min. typ. max. - 260 - ns - 285 - ns - 30 - ns - 45 - ns - 420 - ns - 520 - ns - 65 - ns - 90 - ns Eon - 7 - mJ Eoff - 9,5 - mJ ISC - 300 - A LCE - 21 - nH RCC/EE - 1,8 - m - 1,65 2,1 V - 1,65 t.b.d. V - 90 - A - 100 - A - 7 - C - 14 - C - 3 - mJ - 6 - mJ IC= IC, nom, VCC= 600V Einschaltverzogerungszeit (induktive Last) turn on delay time (inductive load) VGE= 15V, RG= 4,7, Tvj= 25C td,on VGE= 15V, RG= 4,7, Tvj= 125C IC= IC, nom, VCC= 600V Anstiegszeit (induktive Last) rise time (inductive load) VGE= 15V, RG= 4,7, Tvj= 25C tr VGE= 15V, RG= 4,7, Tvj= 125C IC= IC, nom, VCC= 600V Abschaltverzogerungszeit (induktive Last) turn off delay time (inductive load) VGE= 15V, RG= 4,7, Tvj= 25C td,off VGE= 15V, RG= 4,7, Tvj= 125C IC= IC, nom, VCC= 600V Fallzeit (induktive Last) fall time (inductive load) VGE= 15V, RG= 4,7, Tvj= 25C tf VGE= 15V, RG= 4,7, Tvj= 125C Einschaltverlustenergie pro Puls turn on energy loss per pulse Ausschaltverlustenergie pro Puls turn off energy loss per pulse Kurzschlussverhalten SC data IC= IC, nom, VCC= 600V, L= 70nH VGE= 15V, RG= 4,7, Tvj= 125C IC= IC, nom, VCC= 600V, L= 70nH VGE= 15V, RG= 4,7, Tvj= 125C tP 10sec, VGE 15V, Tvj 125C VCC= 900V, VCEmax= VCES - LCE *di/dt Modulinduktivitat stray inductance module Leitungswiderstand, Anschluss-Chip lead resistance, terminal-chip Tc= 25C Charakteristische Werte / characteristic values Diode Wechselrichter / diode inverter Durchlassspannung forward voltage Ruckstromspitze peak reverse recovery current IF= IC, nom, VGE= 0V, Tvj= 25C IF= IC, nom, VGE= 0V, Tvj= 125C VF IF=IC,nom, -diF/dt= 2000A/s VR= 600V, VGE= -10V, Tvj= 25C IRM VR= 600V, VGE= -10V, Tvj= 125C Sperrverzogerungsladung recoverred charge IF=IC,nom, -diF/dt= 2000A/s VR= 600V, VGE= -10V, Tvj= 25C Qr VR= 600V, VGE= -10V, Tvj= 125C Ausschaltenergie pro Puls reverse recovery energy IF=IC,nom, -diF/dt= 2000A/s VR= 600V, VGE= -10V, Tvj= 25C VR= 600V, VGE= -10V, Tvj= 125C 2 (8) Erec Datenblatt_FS75R12KE3G_V2.xls 2001-08-16 Technische Information / technical information IGBT-Module IGBT-Modules FS75R12KE3 G vorlaufige Daten preliminary data Charakteristische Werte / characteristic values NTC-Widerstand / NTC-thermistor min. typ. max. R25 - 5 - k R/R -5 - 5 % P25 - - 20 mW B25/50 - 3375 - K - - 0,35 K/W - - 0,58 K/W RthCK - 0,009 - K/W Hochstzulassige Sperrschichttemp. maximum junction temperature Tvjmax - - 150 C Betriebstemperatur operation temperature Tvjop -40 - 125 C Lagertemperatur storage temperature Tstg -40 - 125 C 6 Nm Nennwiderstand rated resistance Tc= 25C Abweichung von R100 deviation of R100 Tc= 100C, R100= 493 Verlustleistung power dissipation Tc= 25C B-Wert B-value R2= R1 exp[B(1/T2 - 1/T1)] Thermische Eigenschaften / thermal properties Innerer Warmewiderstand; DC thermal resistance, juncton to case; DC Transistor Wechelr. / transistor inverter Ubergangs Warmewiderstand thermal resistance, case to heatsink pro Modul / per module Paste= 1W/m*K / grease= 1W/m*K Diode Wechselrichter / diode inverter RthJC Mechanische Eigenschaften / mechanical properties Gehause, siehe Anlage case, see appendix Innere Isolation internal insulation Al2O3 CTI comperative tracking index Anzugsdrehmoment, mech. Befestigung mounting torque 225 Schraube M5 screw M5 Gewicht weight M G 3 - 300 g Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehorigen technischen Erlauterungen. This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid with the belonging technical notes. 3 (8) Datenblatt_FS75R12KE3G_V2.xls 2001-08-16 Technische Information / technical information IGBT-Module IGBT-Modules FS75R12KE3 G vorlaufige Daten preliminary data Ausgangskennlinie (typisch) output characteristic (typical) IC= f(VCE) VGE= 15V 150 135 Tvj = 25C Tvj = 125C 120 105 IC [A] 90 75 60 45 30 15 0 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 VCE [V] Ausgangskennlinienfeld (typisch) output characteristic (typical) IC= f(VCE) Tvj= 125C 150 135 VGE=19V VGE=17V 120 VGE=15V 105 VGE=13V VGE=11V IC [A] 90 VGE=9V 75 60 45 30 15 0 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0 VCE [V] 4 (8) Datenblatt_FS75R12KE3G_V2.xls 2001-08-16 Technische Information / technical information IGBT-Module IGBT-Modules FS75R12KE3 G vorlaufige Daten preliminary data Ubertragungscharakteristik (typisch) transfer characteristic (typical) IC= f(VGE) VCE= 20V 150 135 Tvj = 25C Tvj = 125C 120 105 IC [A] 90 75 60 45 30 15 0 5 6 7 8 9 10 11 12 13 VGE [V] IF= f(VF) Durchlasskennlinie der Inversdiode (typisch) forward caracteristic of inverse diode (typical) 150 135 Tvj = 25C Tvj = 125C 120 105 IF [A] 90 75 60 45 30 15 0 0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 2,2 2,4 VF [V] 5 (8) Datenblatt_FS75R12KE3G_V2.xls 2001-08-16 Technische Information / technical information IGBT-Module IGBT-Modules FS75R12KE3 G vorlaufige Daten preliminary data Eon = f (IC) , Eoff = f (IC) , Erec = f (IC) Schaltverluste (typisch) Switching losses (typical) VGE=15V, RGon=RGoff=4,7, VCE=600V, Tj=125C 20 18 Eon Eoff 16 Erec E [mJ] 14 12 10 8 6 4 2 0 0 15 30 45 60 75 90 105 120 135 150 IC [A] Eon = f (RG) , Eoff = f (RG) , Erec = f (RG) Schaltverluste (typisch) Switching losses (typical) VGE=15V, IC=75A, VCE=600V, Tj=125C 20 18 Eon Eoff 16 Erec E [mJ] 14 12 10 8 6 4 2 0 0 5 10 15 20 25 30 35 40 45 RG [] 6 (8) Datenblatt_FS75R12KE3G_V2.xls 2001-08-16 Technische Information / technical information IGBT-Module IGBT-Modules FS75R12KE3 G vorlaufige Daten preliminary data Transienter Warmewiderstand Transient thermal impedance ZthJC = f (t) ZthJC [K/W] 1 0,1 Zth : IGBT Zth : Diode 0,01 0,001 0,01 0,1 1 t [s] i ri [K/kW] : IGBT i [s] : IGBT ri [K/kW] : Diode i [s] : Diode 1 146,98 6,499E-02 243,65 6,499E-02 2 176,19 2,601E-02 292,44 2,601E-02 Sicherer Arbeitsbereich (RBSOA) Reverse bias safe operation area (RBSOA) 200 3 20,20 2,364E-03 32,94 2,364E-03 4 6,63 1,187E-05 10,97 1,187E-05 VGE=15V, Tj=125C IC,Chip 175 150 IC [A] 125 100 IC,Chip 75 50 25 0 0 200 400 600 800 1000 1200 1400 VCE [V] 7 (8) Datenblatt_FS75R12KE3G_V2.xls 2001-08-16 Technische Information / technical information IGBT-Module IGBT-Modules FS75R12KE3 G vorlaufige Daten preliminary data Gehausemae / Schaltbild Package outline / Circuit diagram 8 (8) Datenblatt_FS75R12KE3G_V2.xls 2001-08-16