I
C, nom
75 A
IC100 A
min. typ. max.
- 1,7 2,1 V
- 2t.b.d. V
I²t
- 400 nA
gate emitter leakage current
Gate Emitter Reststrom VCE= 0V, VGE= 20V, Tvj= 25°C IGES -
0,2 - nF
reverse transfer capacitance
Rückwirkungskapazität f= 1MHz, Tvj= 25°C, VCE= 25V, VGE= 0V Cres -
55,8 6,5 V
A
DC forward current
+/- 20
1,19 kA²s
tp= 1ms IFRM 150 A
Grenzlastintegral
150
Dauergleichstrom IF75
Tc= 25°C
repetitive peak collector current tp= 1ms, Tc= 80°C
Periodischer Kollektor Spitzenstrom ICRM
W
V
gate emitter peak voltage
repetitive peak forward current
VR= 0V, tp= 10ms, Tvj= 125°C
VGE= 15V, Tvj= 125°C, IC= IC,nom
Gate Schwellenspannung VCE= VGE, Tvj= 25°C, IC= 3mA
I²t value
Elektrische Eigenschaften / electrical properties
Höchstzulässige Werte / maximum rated values
Kollektor Emitter Sperrspannung
T
c
= 80°CKollektor Dauergleichstrom Tc= 25°CDC collector current
VCES
collector emitter voltage 1200 V
kV2,5
A
nF
-
vorläufige Daten
preliminary data
Transistor Wechselrichter / transistor inverter
date of publication: 2001-08-16
Kollektor Emitter Sättigungsspannung VGE= 15V, Tvj= 25°C, IC= IC,nom
collector emitter satration voltage
Periodischer Spitzenstrom
Gesamt Verlustleistung
total power dissipation
Gate Emitter Spitzenspannung
VCEsat
Charakteristische Werte / characteristic values
approved: Martin Hierholzer
input capacitance
gate charge
Gateladung VGE= -15V...+15V QG
ICES
Technische Information / technical information
FS75R12KE3 G
IGBT-Module
IGBT-Modules
Isolations Prüfspannung
insulation test voltage RMS, f= 50Hz, t= 1min VISOL
Ptot 350
Kollektor Emitter Reststrom
prepared by: Mark Münzer
gate threshold voltage
Eingangskapazität
VGES
revision: 2
VGE(th)
f= 1MHz, Tvj= 25°C, VCE= 25V, VGE= 0V Cies 5,3
-
- -5mA
collector emitter cut off current VCE= 1200V, VGE= 0V, Tvj= 25°C
- 0,7 - µC
1 (8) Datenblatt_FS75R12KE3G_V2.xls
2001-08-16
vorläufige Daten
preliminary data
Technische Information / technical information
FS75R12KE3 G
IGBT-Module
IGBT-Modules
min. typ. max.
- 260 - ns
- 285 - ns
- 30 - ns
- 45 - ns
- 420 - ns
- 520 - ns
- 65 - ns
- 90 - ns
- 1,65 2,1 V
- 1,65 t.b.d. V
- 90 - A
- 100 - A
- 7 - µC
- 14 - µC
- 3 - mJ
- 6 - mJ
I
F
=I
C,nom
, -di
F
/dt= 2000A/µs Qr
Ausschaltenergie pro Puls
reverse recovery energy Erec
V
R
= 600V, V
GE
= -10V, T
vj
= 125°C
I
F
=I
C,nom
, -di
F
/dt= 2000A/µs
IC= IC, nom, VCC= 600V
V
R
= 600V, V
GE
= -10V, T
vj
= 25°C
Sperrverzögerungsladung
recoverred charge
Eon
IC= IC, nom, VCC= 600V, Lσ= 70nH
VGE= ±15V, RG= 4,7Ω, Tvj= 125°C
Fallzeit (induktive Last)
fall time (inductive load)
SC data
Einschaltverlustenergie pro Puls
Kurzschlussverhalten tP ≤ 10µsec, VGE ≤ 15V, Tvj ≤ 125°C ISC - 300 - A
turn on energy loss per pulse
Abschaltverzögerungszeit (induktive Last)
turn off delay time (inductive load)
IC= IC, nom, VCC= 600V
21 - nH
stray inductance module LσCE
Diode Wechselrichter / diode inverter
V
R
= 600V, V
GE
= -10V, T
vj
= 125°C
VF
forward voltage
Modulinduktivität
Tc= 25°C
VCC= 900V, VCEmax= VCES - LσCE ·di/dt
1,8
Leitungswiderstand, Anschluss-Chip
lead resistance, terminal-chip RCC´/EE´
Ausschaltverlustenergie pro Puls
turn off energy loss per pulse Eoff
IC= IC, nom, VCC= 600V, Lσ= 70nH
VGE= ±15V, RG= 4,7Ω, Tvj= 125°C
mΩ
- 7 - mJ
- mJ - 9,5
-
td,off
VGE= ±15V, RG= 4,7Ω, Tvj= 25°C
VGE= ±15V, RG= 4,7Ω, Tvj= 125°C
IC= IC, nom, VCC= 600V
VGE= ±15V, RG= 4,7Ω, Tvj= 25°C
VGE= ±15V, RG= 4,7Ω, Tvj= 125°C
tf
VGE= ±15V, RG= 4,7Ω, Tvj= 25°C
VGE= ±15V, RG= 4,7Ω, Tvj= 125°C
Charakteristische Werte / characteristic values
I
F
=I
C,nom
, -di
F
/dt= 2000A/µs
Durchlassspannung
Einschaltverzögerungszeit (induktive Last)
turn on delay time (inductive load)
Charakteristische Werte / characteristic values
- -
Rückstromspitze
peak reverse recovery current IRM
IF= IC, nom, VGE= 0V, Tvj= 25°C
IF= IC, nom, VGE= 0V, Tvj= 125°C
V
R
= 600V, V
GE
= -10V, T
vj
= 25°C
V
R
= 600V, V
GE
= -10V, T
vj
= 125°C
Transistor Wechselrichter / transistor inverter
td,on
Anstiegszeit (induktive Last)
rise time (inductive load)
IC= IC, nom, VCC= 600V
tr
VGE= ±15V, RG= 4,7Ω, Tvj= 25°C
VGE= ±15V, RG= 4,7Ω, Tvj= 125°C
V
R
= 600V, V
GE
= -10V, T
vj
= 25°C
2 (8) Datenblatt_FS75R12KE3G_V2.xls
2001-08-16
vorläufige Daten
preliminary data
Technische Information / technical information
FS75R12KE3 G
IGBT-Module
IGBT-Modules
min. typ. max.
- - 0,35 K/W
- - 0,58 K/W
Mechanische Eigenschaften / mechanical properties
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften
zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen.
This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid with
the belonging technical notes.
Innere Isolation
case, see appendix
3
300
225
6
g
weight G
Gewicht
Innerer Wärmewiderstand; DC
thermal resistance, juncton to case; DC Transistor Wechelr. / transistor inverter
Diode Wechselrichter / diode inverter RthJC
comperative tracking index
Anzugsdrehmoment, mech. Befestigung Schraube M5 M
mounting torque screw M5
CTI
internal insulation
°C
150
Gehäuse, siehe Anlage
Tvjop -40 -125
- - °C
maximum junction temperature
power dissipation
B-Wert R2= R1 exp[B(1/T2 - 1/T1)] B25/50
P25
K/W
20 mW
- 3375 - K
-0,009 -
Charakteristische Werte / characteristic values
NTC-Widerstand / NTC-thermistor
Nennwiderstand Tc= 25°C
rated resistance
B-value
%
Tc= 25°C
kΩ
Abweichung von R100
R25 -
Nm
°C
-
Al2O3
Tstg -40 -125
Lagertemperatur
storage temperature
pro Modul / per module
λPaste= 1W/m*K / λgrease= 1W/m*K
operation temperature
Betriebstemperatur
RthCK
thermal resistance, case to heatsink
Höchstzulässige Sperrschichttemp.
Übergangs Wärmewiderstand
Tvjmax
5
- -
deviation of R100
Verlustleistung
Tc= 100°C, R100= 493Ω∆R/R
-5 -
-5
3 (8) Datenblatt_FS75R12KE3G_V2.xls
2001-08-16
vorläufige Daten
preliminary data
Technische Information / technical information
FS75R12KE3 G
IGBT-Module
IGBT-Modules
Ausgangskennlinie (typisch) I
C
= f(V
CE
)
output characteristic (typical) T
vj
= 125°C
output characteristic (typical) V
GE
= 15V
Ausgangskennlinienfeld (typisch) I
C
= f(V
CE
)
0
15
30
45
60
75
90
105
120
135
150
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5
VCE [V]
IC [A]
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
0
15
30
45
60
75
90
105
120
135
150
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0
VCE [V]
IC [A]
VGE=19V
VGE=17V
VGE=15V
VGE=13V
VGE=11V
VGE=9V
4 (8) Datenblatt_FS75R12KE3G_V2.xls
2001-08-16
vorläufige Daten
preliminary data
Technische Information / technical information
FS75R12KE3 G
IGBT-Module
IGBT-Modules
forward caracteristic of inverse diode (typical)
Übertragungscharakteristik (typisch)
transfer characteristic (typical) I
C
= f(V
GE
)
V
CE
= 20V
Durchlasskennlinie der Inversdiode (typisch)
I
F
= f(V
F
)
0
15
30
45
60
75
90
105
120
135
150
5 6 7 8 9 10 11 12 13
VGE [V]
IC [A]
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
0
15
30
45
60
75
90
105
120
135
150
0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 2,2 2,4
VF [V]
IF [A]
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
5 (8) Datenblatt_FS75R12KE3G_V2.xls
2001-08-16
vorläufige Daten
preliminary data
Technische Information / technical information
FS75R12KE3 G
IGBT-Module
IGBT-Modules
Schaltverluste (typisch)
Switching losses (typical)
E
on
= f (I
C
) , E
off
= f (I
C
) , E
rec
= f (I
C
)
V
GE
=15V, R
Gon
=R
Goff
=4,7
Ω
, V
CE
=600V, T
j
=125°C
Schaltverluste (typisch)
Switching losses (typical)
E
on
= f (R
G
) , E
off
= f (R
G
) , E
rec
= f (R
G
)
V
GE
=15V, I
C
=75A, V
CE
=600V, T
j
=125°C
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
0 15 30 45 60 75 90 105 120 135 150
IC [A]
E [mJ]
Eon
Eoff
Erec
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
0 5 10 15 20 25 30 35 40 45
RG [Ω]
E [mJ]
Eon
Eoff
Erec
6 (8) Datenblatt_FS75R12KE3G_V2.xls
2001-08-16
vorläufige Daten
preliminary data
Technische Information / technical information
FS75R12KE3 G
IGBT-Module
IGBT-Modules
Sicherer Arbeitsbereich (RBSOA)
Reverse bias safe operation area (RBSOA) V
GE
=15V, T
j
=125°C
i
r
i
[K/kW] : IGBT
τ
i
[s] : IGBT
r
i
[K/kW] : Diode
τ
i
[s] : Diode
1
32,94
2,601E-02
292,44
2,601E-02
6,499E-02
243,65
6,499E-02 10,97
1,187E-052,364E-03
6,63
1,187E-05
4
Z
thJC
= f (t)
3
2,364E-03
146,98 176,19 20,20
2
Transienter Wärmewiderstand
Transient thermal impedance
0,01
0,1
1
0,001 0,01 0,1 1
t [s]
ZthJC [K/W]
Zth : IGBT
Zth : Diode
IC,Chip
0
25
50
75
100
125
150
175
200
0 200 400 600 800 1000 1200 1400
VCE [V]
IC [A]
IC,Chip
7 (8) Datenblatt_FS75R12KE3G_V2.xls
2001-08-16
vorläufige Daten
preliminary data
Technische Information / technical information
FS75R12KE3 G
IGBT-Module
IGBT-Modules
Gehäusemaße / Schaltbild
Package outline / Circuit diagram
8 (8) Datenblatt_FS75R12KE3G_V2.xls
2001-08-16