62mmC-SerienModulmitgemeinsamenEmitter
62mmC-seriesmodulewithcommonemitter
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テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
FF300R12KT3_E
IGBT-モジュール
IGBT-modules
preparedby:MK
approvedby:WR
dateofpublication:2013-10-03
revision:2.0
暫定データ
PreliminaryDataIGBT- インバータ/IGBT,Inverter
最大定格/MaximumRatedValues
コレクタ・エミッタ間電圧
Collector-emittervoltage Tvj = 25°C VCES 1200 V
連続DCコレクタ電流
ContinuousDCcollectorcurrent TC = 80°C, Tvj max = 150°C
TC = 25°C, Tvj max = 150°C
IC nom
IC300
480 A
A
繰り返しピークコレクタ電流
Repetitivepeakcollectorcurrent tP = 1 ms ICRM 600 A
トータル損失
Totalpowerdissipation TC = 25°C, Tvj max = 150 Ptot 1450 W
ゲート・エミッタ間ピーク電圧
Gate-emitterpeakvoltage VGES +/-20 V
電気的特性/CharacteristicValues min. typ. max.
コレクタ・エミッタ間飽和電圧
Collector-emittersaturationvoltage IC = 300 A, VGE = 15 V
IC = 300 A, VGE = 15 V VCE sat
1,70
1,90
2,15
V
V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
ゲート・エミッタ間しきい値電圧
Gatethresholdvoltage IC = 12,0 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C VGEth 5,0 5,8 6,5 V
ゲート電荷量
Gatecharge VGE = -15 V ... +15 V QG2,80 µC
内蔵ゲート抵抗
Internalgateresistor Tvj = 25°C RGint 2,5 Ω
入力容量
Inputcapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 21,0 nF
帰還容量
Reversetransfercapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 0,85 nF
コレクタ・エミッタ間遮断電流
Collector-emittercut-offcurrent VCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C ICES 5,0 mA
ゲート・エミッタ間漏れ電流
Gate-emitterleakagecurrent VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C IGES 400 nA
ターンオン遅れ時間(誘導負荷)
Turn-ondelaytime,inductiveload IC = 300 A, VCE = 600 V
VGE = ±15 V
RGon = 2,4 Ω
td on
0,16
0,17
µs
µs
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
ターンオン上昇時間(誘導負荷)
Risetime,inductiveload IC = 300 A, VCE = 600 V
VGE = ±15 V
RGon = 2,4 Ω
tr
0,04
0,045
µs
µs
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
ターンオフ遅れ時間(誘導負荷)
Turn-offdelaytime,inductiveload IC = 300 A, VCE = 600 V
VGE = ±15 V
RGoff = 2,4 Ω
td off
0,45
0,52
µs
µs
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
ターンオフ下降時間(誘導負荷)
Falltime,inductiveload IC = 300 A, VCE = 600 V
VGE = ±15 V
RGoff = 2,4 Ω
tf
0,10
0,16
µs
µs
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
ターンオンスイッチング損失
Turn-onenergylossperpulse IC = 300 A, VCE = 600 V, LS = 30 nH
VGE = ±15 V, di/dt = 6000 A/µs
RGon = 2,4 ΩEon
16,5
25,0
mJ
mJ
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
ターンオフスイッチング損失
Turn-offenergylossperpulse IC = 300 A, VCE = 600 V, LS = 30 nH
VGE = ±15 V, du/dt = 4500 V/µs
RGoff = 2,4 ΩEoff
24,5
37,0
mJ
mJ
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
短絡電流
SCdata VGE ≤ 15 V, VCC = 900 V
VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt ISC
1200
A
Tvj = 125°C
tP ≤ 10 µs,
ジャンクション・ケース間熱抵抗
Thermalresistance,junctiontocase IGBT部(1素子当り)/perIGBT RthJC 0,085 K/W
ケース・ヒートシンク間熱抵抗
Thermalresistance,casetoheatsink IGBT部(1素子当り)/perIGBT
λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) RthCH 0,03 K/W
動作温度
Temperatureunderswitchingconditions Tvj op -40 125 °C