Semiconductor Group 1 1998-04-16
GaAs-IR-Lumineszenzdiode
GaAs Infrared Emitter SFH 400
SFH 401
SFH 402
Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
ø5.6
2.54
spacing
ø4.8
ø4.6
(2.7) 5.5
5.0
5.3
5.0
14.5
12.5
ø0.45
Radiant sensitive area
GET06013
Approx. weight 0.5 g
Chip position
Cathode (SFH 402, BPX 65)
ø5.3
0.9
1.1
1.1
0.9
Anode (SFH 482)
(2.7)
ø0.45
14.5
12.5
5.3
5.0
6.4
5.6
Chip position
2.54 mm
spacing
ø4.8
glass
lens
welded
Approx. weight 0.35 g
ø5.6
ø5.3
Anode
Cathode = SFH 481
= SFH 401
GET06091
(package)
ø4.6
0.9
1.1
1.1
0.9
ø5.6
ø5.3
2.54mm
spacing
ø0.45
Cathode (SFH 480)
(2.7)
14.5
12.5
5.3
5.0
ø4.8
ø4.6
GEO06314
Approx. weight 0.5 g
7.4
6.6
0.9
1.1
1.1
0.9
SFH 400)
Anode Radiant
Sensitive area
Chip position (SFH 216, SFH 231,
fet06090fet06091fet06092
SFH 400,
SFH 401, SFH 402
Semiconductor Group 2 1998-04-16
Typ
Type Bestellnummer
Ordering Code Gehäuse
Package
SFH 400 Q62702-P96 18 A3 DIN 41876 (TO-18), Glaslinse, hermetisch dichtes
Gehäuse, Anschlüsse im 2.54-mm-Raster (1/10’’)
18 A3 DIN 41876 (TO-18) glass lens, hermetically
sealed package, solder tabs lead spacing 2.54 mm
(1/10’’)
SFH 400-3 Q62702-P784
SFH 401-2 Q62702-P786
SFH 401-3 Q62702-P787
SFH 402 Q62702-P98
SFH 402-3 Q62702-P790
SFH 402-2 on request
Wesentliche Merkmale
●Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren
●Kathode galvanisch mit dem
Gehäuseboden verbunden
●Hohe Zuverlässigkeit
●SFH 400: Gehäusegleich mit SFH 216
●SFH 401: Gehäusegleich mit
BPX 43, BPY 62
●SFH 402: Gehäusegleich mit BPX 38,
BPX 65
Anwendungen
●Lichtschranken für Gleich- und
Wechsellichtbetrieb
●IR-Fernsteuerungen
●Industrieelektronik
●“Messen/Steuern/Regeln”
Features
●Fabricated in a liquid phase epitaxy process
●Cathode is electrically connected to the case
●High reliability
●SFH 400: Same package as SFH 216
●SFH 401: Same package as
BPX 43, BPY 62
●SFH 402: Same package as BPX 38,
BPX 65
Applications
●Photointerrupters
●IR remote control
●Industrial electronics
●For drive and control circuits
Semiconductor Group 3 1998-04-16
SFH 400,
SFH 401, SFH 402
Grenzwerte (TC = 25 °C)
Maximum Ratings
Bezeichnung
Description Symbol
Symbol Wert
Value Einheit
Unit
SFH 401:
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
Top;Tstg – 55 ... + 100 °C
SFH 400, SFH 402:
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
Top;Tstg – 55 ... + 125 °C
Sperrschichttemperatur
Junction temperature Tj100 °C
Sperrspannung
Reverse voltage VR5V
Durchlaßstrom
Forward current IF300 mA
Stoßstrom, tp = 10 µs, D = 0
Surge current IFSM 3A
Verlustleistung
Power dissipation Ptot 470 mW
Wärmewiderstand
Thermal resistance RthJA
RthJC
450
160 K/W
K/W
Kennwerte (TA = 25 °C)
Characteristics
Bezeichnung
Description Symbol
Symbol Wert
Value Einheit
Unit
Wellenlänge der Strahlung
Wavelength at peak emission
IF = 100 mA, tp = 20 ms
λpeak 950 nm
Spektrale Bandbreite bei 50 % von Imax
Spectral bandwidth at 50 % of Imax
IF= 100 mA, tp = 20 ms
∆λ 55 nm
Abstrahlwinkel
Half angle
SFH 400
SFH 401
SFH 402
ϕ
ϕ
ϕ
±6
±15
±40 Grad
deg.
Aktive Chipfläche
Active chip area A0.25 mm2
SFH 400,
SFH 401, SFH 402
Semiconductor Group 4 1998-04-16
Abmessungen der aktiven Chipfläche
Dimension of the active chip area L×B
L×W0.5 ×0.5 mm
Abstand Chipoberfläche bis Linsenscheitel
Distance chip front to lens top
SFH 400
SFH 401
SFH 402
H
H
H
4.0 ... 4.8
2.8 ... 3.7
2.1 ... 2.7
mm
mm
mm
Schaltzeiten, Ie von 10 % auf 90 % und von
90 % auf 10 %, bei IF = 100 mA, RL = 50 Ω
Switching times, Ie from 10 % to 90 % and
from 90 % to 10 %, IF = 100 mA, RL = 50 Ω
tr,tf1µs
Kapazität
Capacitance
VR = 0 V, f = 1 MHz
Co40 pF
Durchlaßspannung
Forward voltage
IF = 100 mA, tp = 20 ms
IF = 1 A, tp = 100 µsVF
VF
1.30 (≤ 1.5)
1.90 (≤ 2.5)V
V
Sperrstrom
Reverse current
VR = 5 V
IR0.01 (≤ 1)µA
Gesamtstrahlungsfluß
Total radiant flux
IF = 100 mA, tp = 20 ms
Φe8mW
Temperaturkoeffizient von Ie bzw. Φe,
IF = 100 mA
Temperature coefficient of Ie or Φe,
IF = 100 mA
TCI– 0.55 %/K
Temperaturkoeffizient von VF,IF = 100 mA
Temperature coefficient of VF,IF = 100 mA TCV– 1.5 mV/K
Temperaturkoeffizient von λ,IF = 100 mA
Temperature coefficient of λ,IF = 100 mA TCλ+ 0.3 nm/K
Kennwerte (TA = 25 °C)
Characteristics
Bezeichnung
Description Symbol
Symbol Wert
Value Einheit
Unit
Semiconductor Group 5 1998-04-16
SFH 400,
SFH 401, SFH 402
Gruppierung der Strahlstärke Ie in Achsrichtung
gemessen bei einem Raumwinkel Ω = 0.01 sr
Grouping of radiant intensity Ie in axial direction
at a solid angle of Ω = 0.01 sr
Bezeichnung
Description Symbol
Symbol Wert
Value Einheit
Unit
SFH
400 SFH
400-3 SFH
401-2 SFH
401-3 SFH
402 SFH
402-2 SFH
402-3
Strahlstärke
Radiant intensity
IF = 100 mA, tp = 20 ms Ie min
Ie max
20
–32
–10
20 16
–2.5
–2.5
–4
–mW/sr
mW/sr
Strahlstärke
Radiant intensity
IF = 1 A, tp = 100 µsIe typ. 300 320 120 190 40 40 40 mW/sr
SFH 400,
SFH 401, SFH 402
Semiconductor Group 6 1998-04-16
Radiation characteristics, SFH 400 Irel =f(ϕ)
Radiation characteristics, SFH 401 Irel =f (ϕ)
Radiation characteristics, SFH 402 Irel =f(ϕ)
OHR01883
02040 60 80 100 1200.40.60.81.0
100
90
80
70
60
50
0
10203040
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
ϕ
OHR01884
02040 60 80 100 1200.40.60.81.0
100
90
80
70
60
50
0
10203040
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
ϕ
OHR01885
02040 60 80 100 1200.40.60.81.0
100
90
80
70
60
50
0
10203040
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
φ
Semiconductor Group 7 1998-04-16
SFH 400,
SFH 401, SFH 402
Relative spectral emission
Irel =f(λ)
Forward current, IF=f (VF)
Single pulse, tp = 20 µs
OHRD1938
λ
rel
Ι
0880 920 960 1000
nm
1060
20
40
60
80
%
100
V
OHR01040
F
F
Ι
1
1
10
0
10
-1
10
10
-2
A
1.5 2 2.5 33.544.5
typ. max.
V
Radiant intensity
Single pulse, tp = 20 µs
Permissible pulse handling capability
IF=f(τ), TC = 25 °C,
RthJC = 160 K/W, duty cycleD = parameter
Ie
Ie100 mA = f(IF)
Ι
OHR01037
F
-1
10
10
0
1
10
2
10
10
-2 -1
10
0
10 A 10
1
Ι
e
Ι
e
(100 mA)
τ
OHR01937
10
-5
s
10
2
Ι
F
mA
10
-4
10
-3
10
-2
10
0
10
3
10
4
5
5
DC
0.5
0.05
0.02
0.01
0.005
D =
0.1
F
Ι
T
P
t
=
D
P
t
T
0.2
Max. permissible forward current
SFH 401, IF=f(TA)
T
OHR00486
A
0
F
Ι
0 20 40 60 80 100˚C
50
100
150
200
250
300
mA
350
,
C
T
= 160 K/W
thJC
R
R
thJA
= 450 K/W
Max. permissible forward current
SFH 400, SFH 402, IF=f(TA)
T
OHR00395
A
0
F
Ι
0˚C
50
100
150
200
250
300
mA
350
,
C
T
= 160 K/W
thJC
R
R
thJA
= 450 K/W
20 40 60 80 100 130
