silicon signal diodes I diodes de signa! au silicium THOMSON-CSF Type Varm| |r In / VRi Ve / IF C/ Val Dynamic parameters Case Io* max max max Paramtres dynamiques (Vv) (mA) WA) (V)E ()) (mA) | (pF) fv) schottky diodes Tamb = 25C diodes schottky BAR 19 0,25 F =6 dB / 1GHz BAT 29 0,05 Q,<3 pC /10mA BAR 35 0,1 tT < 100 ps /20mA BAT 19. 0,1 T < 100 ps /20mA BAR 11 0,1 tT < 100 ps / 5mA BAR 10 0,1 tT < 100 ps / 5mA 1N 6263 0,2 T<100ps / S5mA BAR 28 0,2 T < 100 ps / 5mA BAT 45 0,1 tr < Ins /10mA BAT 47 4 try <10ns /10mMA BAT 42 0,5 tr < 5ns /10mMA CB-127 BAT 43 0,5 N >80% i /45MHz BAT 48 2 try <10ns /10mA BAT 41 0,1 BAT 46 2 2 BYV 10-20 < 1000 BYV 10-30 < 1000 BYV 10-40 < 1000 CB-247 _ Mixer noise figure _ Detection efficiency _ Typical value * Facteur de bruit en mlangeur N + Rendement de dtection * Valeur typique _ Stored charge (B-line} _ Minority carrier life time (Krakauer method) * Charges stockes (B-line} vT: Dure de vie des porteurs minoritaires (mthode Krakauer) Carrier current | Modulator current rT Materiel attenuation attenuation ype jaterta Affaiblissement Affaiblissement du : du courant porteur | courant modulateur Case/Diagram min max min min (MHz) (Np) (Np) ring modulators Tamb = 25C modulateurs en anneau - A502 GE Ge W A 523 Si Si planar SF A 302 Si planar cas A 503 GE Ge W SF A 303 Si planar CB-17 82