Darlington Complementary
Silicon Power Transistors
. . . designed for general−purpose amplifier and low−frequency
switching applications.
•High DC Current Gain @ IC = 10 Adc —
hFE = 2400 (Typ) — 2N6282, 2N6283, 2N6284
= 4000 (Typ) — 2N6285, 2N6286, 2N6287
•Collector−Emitter Sustaining Voltage —
VCEO(sus) = 60 Vdc (Min) — 2N6282, 2N6285
= 80 Vdc (Min) — 2N6283, 2N6286
= 100 Vdc (Min) — 2N6284, 2N6287
•Monolithic Construction with Built−In Base−Emitter Shunt Resistors
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
*MAXIMUM RATINGS
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Rating
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
Symbol
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
2N6282
2N6285
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
2N6283
2N6286
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
2N6284
2N6287
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
Unit
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector−Emitter Voltage
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
VCEO
ÎÎÎ
ÎÎÎ
60
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
80
ÎÎÎ
ÎÎÎ
100
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector−Base Voltage
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
VCB
ÎÎÎ
ÎÎÎ
60
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
80
ÎÎÎ
ÎÎÎ
100
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Emitter−Base Voltage
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
VEB
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
5.0
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector Current — Continuous
Peak
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
IC
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
20
40
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
Adc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Base Current
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
IB
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
0.5
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Adc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Total Device Dissipation @ TC = 25C
Derate above 25C
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
PD
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
160
0.915
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Watts
W/C
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Operating and Storage Junction
Temperature Range
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
TJ,Tstg
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
−65 to +200
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
C
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
*THERMAL CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Characteristic
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Symbol
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
Max
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Unit
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Thermal Resistance, Junction to Case
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
RθJC
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
1.09
ÎÎÎ
ÎÎÎ
C/W
*Indicates JEDEC Registered Data.
25 50 100 125 200
Figure 1. Power Derating
TC, CASE TEMPERATURE (°C)
PD, POWER DISSIPATION (WATTS)
160
60
40
140
0 75 150
0
20
80
100
120
175
Preferred devices are ON Semiconductor recommended choices for future use and best overall value.
ON Semiconductor
Semiconductor Components Industries, LLC, 2001
March, 2001 − Rev. 2 110 Publication Order Number:
2N6282/D
DARLINGTON
20 AMPERE
COMPLEMENTARY
SILICON
POWER TRANSISTORS
60, 80, 100 VOLTS
160 WATTS
2N6282
thru
2N6284
2N6285
thru
2N6287
*ON Semiconductor Preferred Device
*
*
CASE 1−07
TO−204AA
(TO−3)
NPN
PNP
2N6282 thru 2N6284 2N6285 thru 2N6287
http://onsemi.com
111
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
*ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC = 25C unless otherwise noted)
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Characteristic
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Symbol
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Min
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Max
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Unit
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
OFF CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector−Emitter Sustaining Voltage
(IC = 0.1 Adc, IB = 0) 2N6282, 2N6285
2N6283, 2N6286
2N6284, 2N6287
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
VCEO(sus)
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎ
60
80
100
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
—
—
—
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector Cutoff Current
(VCE = 30 Vdc, IB = 0) 2N6282, 2N6285
(VCE = 40 Vdc, IB = 0) 2N6283, 2N6286
(VCE = 50 Vdc, IB = 0) 2N6284, 2N6287
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
ICEO
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎ
—
—
—
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
1.0
1.0
1.0
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎ
mAdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector Cutoff Current
(VCE = Rated VCB, VBE(off) = 1.5 Vdc)
(VCE = Rated VCB, VBE(off) = 1.5 Vdc, TC = 150C)
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
ICEX
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎ
—
—
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
0.5
5.0
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎ
mAdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Emitter Cutoff Current
(VBE = 5.0 Vdc, IC = 0)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
IEBO
ÎÎÎ
ÎÎÎ
—
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
2.0
ÎÎÎ
ÎÎÎ
mAdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ON CHARACTERISTICS (1)
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
DC Current Gain
(IC = 10 Adc, VCE = 3.0 Vdc)
(IC = 20 Adc, VCE = 3.0 Vdc)
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
hFE
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎ
750
100
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
18,000
—
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎ
—
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector−Emitter Saturation Voltage
(IC = 10 Adc, IB = 40 mAdc)
(IC = 20 Adc, IB = 200 mAdc)
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
VCE(sat)
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
—
—
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
2.0
3.0
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Base−Emitter On Voltage
(IC = 10 Adc, VCE = 3.0 Vdc)
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
VBE(on)
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
—
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
2.8
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Base−Emitter Saturation Voltage
(IC = 20 Adc, IB = 200 mAdc)
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
VBE(sat)
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
—
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
4.0
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
DYNAMIC CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Magnitude of Common Emitter Small−Signal Short−Circuit
Forward Current Transfer Ratio
(IC = 10 Adc, VCE = 3.0 Vdc, f = 1.0 MHz)
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
|hfe|
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎ
4.0
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
—
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎ
MHz
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Output Capacitance
(VCB = 10 Vdc, IE = 0, f = 0.1 MHz) 2N6282,83,84
2N6285,86,87
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
Cob
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
—
—
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
400
600
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
pF
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Small−Signal Current Gain
(IC = 10 Adc, VCE = 3.0 Vdc, f = 1.0 kHz)
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
hfe
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
300
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
—
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
—
*Indicates JEDEC Registered Data.
(1) Pulse test: Pulse Width = 300 µs, Duty Cycle = 2%
2N6282 thru 2N6284 2N6285 thru 2N6287
http://onsemi.com
112
Figure 2. Switching Times Test Circuit
10
0.2
Figure 3. Switching Times
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
t, TIME (s)µ
7.0
2.0
1.0
0.7
0.5
0.1 0.3 0.7 3.0 20
0.2
1.0 5.0
0.3
3.0
5.0
0.5 2.0 7.0
0
VCC
− 30 V
SCOPE
TUT
+ 4.0 V
tr, tf 10 ns
DUTY CYCLE = 1.0%
RC
D1 MUST BE FAST RECOVERY TYPE e.g.,
1N5825 USED ABOVE IB 100 mA
MSD6100 USED BELOW IB 100 mA
25 µs
D1
51
RB & RC VARIED TO OBTAIN DESIRED CURRENT LEVELS
V2
APPROX
+ 8.0 V
V1
APPROX
− 12 V
8.0 k 50
FOR td AND tr, D1 IS DISCONNECTED
AND V2 = 0
FOR NPN TEST CIRCUIT REVERSE ALL POLARITIES
RB
10
td @ VBE(off) = 0 V
tf
ts
tr
2N6282/84 (NPN)
2N6285/87 (PNP)
VCC = 30 Vdc
IC/IB = 250
IB1 = IB2
TJ = 25°C
Figure 4. Thermal Response
t, TIME OR PULSE WIDTH (ms)
1.0
0.01
0.01
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
0.02 0.03
r(t), EFFECTIVE TRANSIENT
THERMAL RESISTANCE (NORMALIZED)
0.05 0.1 0.2 0.5 1.0 2.0 5.0 10 20 50 100 200 1000500
RθJC(t) = r(t) RθJC
RθJC = 1.09°C/W MAX
D CURVES APPLY FOR POWER
PULSE TRAIN SHOWN
READ TIME AT t1
TJ(pk) − TC = P(pk) RθJC(t)
P(pk)
t1t2
DUTY CYCLE, D = t1/t2
D = 0.5
SINGLE PULSE
0.2
0.05
0.1
0.02
0.01
0.3 3.0 30 300
2N6282 thru 2N6284 2N6285 thru 2N6287
http://onsemi.com
113
ACTIVE−REGION SAFE OPERATING AREA
SECOND BREAKDOWN LIMITED
BONDING WIRE LIMITED
THERMAL LIMITATION @ TC = 25°C
SINGLE PULSE
50
Figure 5. 2N6282, 2N6285
20
2.0
0.05 50 100
TJ = 200°C
0.2
5.0
0.5
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
VCE, COLLECTOR−EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
10
1.0
0.1
dc
2.0 5.0 20
5.0 ms
1.0 ms
0.5 ms
10
50
Figure 6. 2N6283, 2N6286
20
2.0
0.05 50 100
0.2
5.0
0.5
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
VCE, COLLECTOR−EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
10
1.0
0.1
2.0 5.0 2010
50
Figure 7. 2N6284, 2N6287
20
2.0
0.05 50 100
0.2
5.0
0.5
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
VCE, COLLECTOR−EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
10
1.0
0.1
2.0 5.0 2010
0.1 ms
0.1 ms
SECOND BREAKDOWN LIMITED
BONDING WIRE LIMITED
THERMAL LIMITATION @ TC = 25°C
SINGLE PULSE
TJ = 200°C
dc
5.0 ms
1.0 ms
0.5 ms
0.1 ms
SECOND BREAKDOWN LIMITED
BONDING WIRE LIMITED
THERMAL LIMITATION @ TC = 25°C
SINGLE PULSE
TJ = 200°C
dc
5.0 ms
1.0 ms
0.5 ms
There are two limitations on the power handling ability of
a transistor: average junction temperature and second
breakdown. Safe operating area curves indicate IC − VCE
limits of the transistor that must be observed for reliable
operation; i.e. the transistor must not be subjected to greater
dissipation than the curves indicate.
The data of Figures 5, 6, and 7 is based on TJ(pk) = 200C;
TC is variable depending on conditions. Second breakdown
pulse limits are valid for duty cycles to 10% provided TJ(pk)
< 200C. TJ(pk) may be calculated from the data in Figure 4.
At high case temperatures, thermal limitations will reduce
the power that can be handled to values less than the
limitations imposed by second breakdown.
10,000
1.0
Figure 8. Small−Signal Current Gain
f, FREQUENCY (kHz)
10 2.0 5.0 10 20 50 100 200 1000
500
100
5000
hFE, SMALL−SIGNAL CURRENT GAIN
20
200
500
2000
1000
50
TJ = 25°C
VCE = 3.0 Vdc
IC = 10 A
1000
0.1
Figure 9. Capacitance
VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
100 1.0 2.0 5.0 20 10010
C, CAPACITANCE (PF)
500
300
200
Cib
Cob
500.2 0.5
2N6282/84 (NPN)
2N6285/87 (PNP)
TJ = 25°C
700
2N6282/84 (NPN)
2N6285/87 (PNP)
2N6282 thru 2N6284 2N6285 thru 2N6287
http://onsemi.com
114
Figure 10. DC Current Gain
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
0.2 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 20
500
300
hFE, DC CURRENT GAIN
TJ = 150°C
25°C
−55°C
VCE = 3.0 V
200 7.0
NPN
2N6282, 2N6283, 2N6284 PNP
2N6285, 2N6286, 2N6287
20,000
5000
10,000
3000
2000
1000
3.0 5.0
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
700
500
hFE, DC CURRENT GAIN
TJ = 150°C
25°C
−55°C
300
30,000
10,000
20,000
5000
3000
1000
7000
700
10
VCE = 3.0 V
0.2 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 207.03.0 5.0 10
7000
2000
Figure 11. Collector Saturation Region
VCE, COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
3.0
IB, BASE CURRENT (mA)
2.6
2.2
1.8
1.4
1.0
VCE, COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
3.0
IB, BASE CURRENT (mA)
0.5 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 50
2.6
2.2
1.8
1.4
IC = 5.0 A 10 A 15 A
1.0 0.7 3020 0.5 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 500.7 3020
IC = 5.0 A 10 A 15 A
10 10
TJ = 25°CTJ = 25°C
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
VBE(sat) @ IC/IB = 250
V, VOLTAGE (VOLTS)
Figure 12. “On” Voltages
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
V, VOLTAGE (VOLTS)
VBE(sat) @ IC/IB = 250
VCE(sat) @ IC/IB = 250
TJ = 25°C
VBE @ VCE = 3.0 V
VCE(sat) @ IC/IB = 250
TJ = 25°C
0.2 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 207.03.0 5.0
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5 10 0.2 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 207.03.0 5.0 10
VBE @ VCE = 3.0 V
2N6282 thru 2N6284 2N6285 thru 2N6287
http://onsemi.com
115
+5.0
Figure 13. Temperature Coefficients
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
0.2 0.3 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 20
V, TEMPERATURE COEFFICIENTS (mV/ C)°θ
+4.0
+3.0
+1.0
0
−4.0
−1.0
−2.0
−3.0
−5.0
θVB for VBE
*θVC for VCE(sat)
−55°C to + 25°C
25°C to 150°C
25°C to + 150°C
0.5 0.7
+5.0
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
V, TEMPERATURE COEFFICIENTS (mV/ C)°θ
+4.0
+3.0
+1.0
0
−4.0
−1.0
−2.0
−3.0
−5.0
θVB for VBE
*θVC for VCE(sat)
NPN
2N6282, 2N6283, 2N6284 PNP
2N6285, 2N6286, 2N6287
*APPLIES FOR IC/IB ≤hFE@VCE 3.0V
250
−55°C to + 25°C
*APPLIES FOR IC/IB ≤hFE@VCE 3.0V
250
−55°C to + 25°C
25°C to 150°C
25°C to + 150°C
−55°C to + 25°C
10 0.2 0.3 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 200.5 0.7 10
+2.0 +2.0
REVERSE FORWARD
105
Figure 14. Collector Cut−Off Region
VBE, BASE−EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
102
101
100
, COLLECTOR CURRENT (A)µIC
10−1
−0.2 −0.40+0.2+0.4+0.6
VCE = 30 V
TJ = 150°C
100°C
25°C
REVERSE FORWARD
103
104
−0.6 −0.8 −1.0 −1.2 −1.4
103
VBE, BASE−EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
100
10−1
10−2
, COLLECTOR CURRENT (A)µIC
10−3
101
102
+0.2 +0.40−0.2−0.4−0.6 +0.6 +0.8 +1.0 +1.2 + 1.4
VCE = 30 V
TJ = 150°C
100°C
25°C
Figure 15. Darlington Schematic
NPN
2N6282
2N6283
2N6284
PNP
2N6285
2N6286
2N6287
BASE
COLLECTOR
EMITTER
8.0 k 60
BASE
COLLECTOR
EMITTER
8.0 k 60
