SIYU
R
特征 Fea
tures
RD_EB S
eries
·最大功率耗散500mW
。
maxim
um power
dissipat
ion of 5
00 mW
·齐纳击穿阻抗
低。
low ze
ner impeda
nce
机械数据
Mech
anical Da
ta
封装: DO-
35 玻璃封装
Case: DO-35 Glass Case
极性: 色环端为负极
Polarity: Col
or band
denotes c
athode end
安装位置: 任意
Mou
nting P
ositi
on:
Any
极限值和温度
特性
TA =
2
5
℃ 除非另有规定。
Maximum Ratings & Thermal Chara
cteristics
Rating
s at 25
℃
ambie
nt temp
erat
ure un
less ot
herw
ise
speci
fied.
电特性
TA =
2
5
℃
除非另有规定。
Electrical Characteristics
Ratings at 25
℃
ambient temperature
unless otherwise
specified.
·高稳定性和可
靠性。
High st
abilit
y and high
reliab
ility
·反向漏电流小
。
Low r
everse l
eak
age
型号
Type
稳压范围
Zener V
oltage
测试条件
T
est condi
tion
反向特性
Reve
rese Curr
ent
动态电阻
Dynamic Res
istance
V
Z
(V)
I
Z
(mA)
最小值
MIN
.
最大值
MAX.
I
R
(µA)
测试条件
T
est condi
tion
V
R
(V)
rd(
Ω
)
最大值
MAX.
最大值
MAX
.
I
Z
(mA)
DO-35 Glass
Unit:mm
CA
THODE
MARK
max.
0.52
3.8 0.2
min.
27.5
min.
27.5
1.8 0.2
测试条件
T
est condi
tion
RD2.2E
B
B1
B2
B
B1
B2
RD2.0E
RD2.4E
RD2.7E
B
B1
B2
B
B1
B2
20
120
0.5
140
20
1.88
1.88
2.02
2.20
2.20
2.10
2.12
2.12
2.22
2.41
2.41
2.30
20
120
0.7
12
0
20
2.33
2.33
2.43
2.63
2.63
2.52
2.54
2.54
2.69
2.91
2.75
2.91
20
120
1.0
100
20
20
100
1.0
100
20
mW
℃
175
T
j
存储温度
单位
Unit
参数
Param
eter
符号
Symbols
数值
Va
l
u
e
功率消耗
工作结温
-50 --- +150
Pd
Ts
℃
500
Power Dissipatio
n
Operating
junction tempera
ture
Storage tempera
ture range
- 375 - 大昌电子
DACHANG ELECTRONICS
SIYU
R
型号
Type
稳压范围
Zener V
oltage
测试条件
T
est condi
tion
反向特性
Reve
rese Curr
ent
动态电阻
Dynamic Res
istance
V
Z
(V)
I
Z
(mA)
最小值
MIN
.
最大值
MAX.
I
R
(µA)
测试条件
T
est condi
tion
V
R
(V)
rd(
Ω
)
最大值
MAX.
最大值
MAX
.
I
Z
(mA)
测试条件
T
est condi
tion
RD3.0E
RD3.3E
RD3.6E
RD3.9E
B
B1
B2
B
B1
B2
B
B1
B2
B
B1
B2
2.85
2.85
3.01
3.16
3.16
3.32
3.47
3.47
3.62
3.77
3.77
3.92
3.22
3.07
3.22
3.53
3.38
3.53
3.83
3.68
3.83
4.14
3.98
4.14
20
20
20
20
50
20
10
5
1.0
1.0
1.0
1.0
80
70
60
50
20
20
20
20
RD4.3E
RD4.7E
RD5.1E
RD5.6E
RD6.2E
RD6.8E
RD7.5E
RD8.2E
B
B1
B2
B3
B
B1
B2
B3
B
B1
B2
B3
B
B1
B2
B3
B
B1
B2
B3
B
B1
B2
B3
B
B1
B2
B3
B
B1
B2
B3
4.05
4.05
4.20
4.34
4.53
4.26
4.40
4.53
4.47
4.47
4.59
4.71
4.91
4.65
4.77
4.91
20
5
1.0
40
20
20
5
1.0
25
20
4.85
4.85
4.97
5.12
5.35
5.03
5.18
5.35
20
5
1.5
20
20
5.29
5.29
5.46
5.64
5.88
5.52
5.70
5.88
20
5
2.5
13
20
5.81
5.81
5.99
6.16
6.40
6.06
6.24
6.40
20
5
3.0
10
20
6.32
6.32
6.52
6.70
6.97
6.59
6.79
6.97
20
23
.
5
8
2
0
6.88
6.88
7.1
1
7.33
7.64
7.19
7.41
7.64
20
0.5
4.0
8
20
7.56
8.41
7.56
7.90
7.82
8.07
8.15
8.41
20
0.5
5.0
8
20
RD9.1E
B
B1
B2
B3
8.33
8.33
8.61
8.89
9.29
8.70
8.99
9.29
20
0.5
6.0
8
20
RD_EB S
eries
大昌电子
DACHANG ELECTRONICS
- 376 -
U
Y
I
S
e
p
y
T
号
型
e
g
a
t
l
o
V
r
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n
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Z
围
范
压
稳
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T
件
条
试
测
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向
反
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阻
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V
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小
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.
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大
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c
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T
件
条
试
测
)
V
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R
V
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Ω
(
d
r
.
X
A
M
值
大
最
.
X
A
M
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大
最
)
A
m
(
Z
I
n
o
i
t
i
d
n
o
c
t
s
e
T
件
条
试
测
1
B
2
B
3
B
3
B
1
B
2
B
9
1
.
9
9
1
.
9
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.
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.
9
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1
.
0
1
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1
.
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1
0
5
.
0
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0
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0
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0
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.
9
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.
9
0
3
.
0
1
6
2
.
1
1
3
6
.
0
1
5
9
.
0
1
6
1
.
1
1
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2
.
0
2
.
0
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.
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R
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3
1
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E
5
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1
D
R
E
8
1
D
R
E
0
2
D
R
E
2
2
D
R
E
4
2
D
R
1
B
2
B
3
B
1
B
2
B
3
B
1
B
2
B
3
B
1
B
2
B
3
B
1
B
2
B
3
B
1
B
2
B
3
B
4
B
1
B
2
B
3
B
4
B
2
B
3
B
3
1
.
1
1
3
1
.
1
1
0
5
.
1
1
0
8
.
1
1
0
3
.
2
1
3
6
.
1
1
2
9
.
1
1
0
3
.
2
1
8
1
.
2
1
8
1
.
2
1
9
5
.
2
1
3
0
.
3
1
2
6
.
3
1
1
7
.
2
1
1
6
.
3
1
2
6
.
3
1
0
12
.
00
.
92
10
1
0
12
.
00
14
10
1
8
4
.
3
1
8
4
.
3
1
5
9
.
3
1
2
4
.
4
1
2
0
.
5
1
9
0
.
4
1
6
5
.
4
1
2
0
.
5
1
0
12
.
01
16
10
1
7
8
.
4
1
7
8
.
4
1
3
3
.
5
1
9
7
.
5
1
0
5
.
6
1
0
5
.
5
1
6
9
.
5
1
0
5
.
6
1
0
12
.
02
18
10
1
4
3
.
6
1
4
3
.
6
1
0
9
.
6
1
1
5
.
7
1
0
3
.
8
1
6
0
.
7
1
7
6
.
7
1
0
3
.
8
1
0
12
.
03
13
20
1
1
1
.
8
1
1
1
.
8
1
3
7
.
8
1
8
3
.
9
1
2
7
.
0
2
2
9
.
8
1
7
5
.
9
1
2
2
.
0
2
0
12
.
0
5
1
8
2
0
1
8
8
.
9
1
3
2
.
0
2
3
2
.
0
2
6
7
.
0
2
2
7
.
0
2
1
6
.
2
2
8
0
.
1
2
5
6
.
1
2
2
.
0
7
1
0
3
2
2
.
1
2
9
0
.
2
2
8
6
.
1
2
1
6
.
2
2
6
2
.
2
2
6
2
.
2
2
1
8
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4
2
2
1
.
3
2
2
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D
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1
D
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B
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B
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3
2
1
8
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3
2
3
7
.
3
2
7
2
.
4
2
1
8
.
4
2
1
B
2
B
3
B
4
B
2
.
01
25
4
E
7
2
D
R
6
2
.
4
2
6
2
.
4
2
7
9
.
4
2
3
6
.
5
2
9
2
.
6
2
4
6
.
7
2
2
5
.
5
2
6
2
.
6
2
5
9
.
6
2
4
6
.
7
2
s
e
i
r
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S
B
E
_
D
R
- 377 - 大昌电子
DACHANG ELECTRONICS
SIYU
R
型号
Type
稳压范围
Zener V
oltage
测试条件
T
est condi
tion
反向特性
Reve
rese Curr
ent
动态电阻
Dynamic Res
istance
V
Z
(V)
I
Z
(mA)
最小值
MIN
.
最大值
MAX.
I
R
(µA)
测试条件
T
est condi
tion
V
R
(V)
rd(
Ω
)
最大值
MAX.
最大值
MAX.
I
Z
(mA)
测试条件
T
est condi
tion
B
B1
5
0.2
23
55
5
5
0.2
25
65
5
5
0.2
27
75
5
5
0.2
30
85
RD30E
RD33E
RD36E
RD39E
B2
B3
B4
B
B1
B2
B3
B4
B
B1
B2
B3
B4
B
B1
B2
B3
B4
B5
B6
B7
26.99
26.99
27.70
28.36
29.02
29.68
29.68
30.32
30.90
31.49
32.14
32.14
32.79
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34.01
34.68
34.68
35.36
36.00
36.63
37.36
38.14
38.94
B
B
B
B
B
B
B
B
B
B
B
B
B
B
B
B
B
RD43E
RD47E
RD51E
RD56E
RD62E
RD68E
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RD82E
RD91E
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RD1
10E
RD120E
RD130E
RD140E
RD150E
RD160E
RD170E
B
B
B
RD180E
RD190E
RD200E
40
44
48
53
58
64
70
77
85
94
104
11
4
120
130
140
150
160
170
180
190
30.51
28.39
29.13
29.82
30.51
33.1
1
31.22
31.88
32.50
33.1
1
35.77
33.79
34.49
35.13
35.77
40.80
36.47
37.19
37.85
38.52
39.29
40.1
1
40.80
45
49
54
60
66
72
79
87
96
106
11
6
126
140
150
160
170
180
190
200
210
5
5
0.2
33
90
5
5
0.2
36
90
5
5
0.2
39
11
0
5
5
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11
0
5
2
0.2
47
200
2
2
0.2
52
200
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2
0.2
57
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2
2
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63
300
2
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0.2
69
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2
2
0.2
76
400
2
1
0.2
84
750
1
1
0.2
91
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1
1
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100
1
100
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1
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11
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.
2
120
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1
10
.
2
130
1700
1
1
0.2
140
1900
1
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140
2200
1
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1
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0.2
150
160
2400
2500
1
1
RD_EB S
eries
大昌电子
DACHANG ELECTRONICS
- 378 -
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