Semiconductor Group 1 1997-11-01
GaAs-IR-Lumineszenzdiode
GaAs Infrared Emitter
Wesentliche Merkmale
●Sehr enger Abstrahlwinkel
●GaAs-IR-LED, hergestellt im
Schmelzepitaxieverfahren
●Hohe Zuverlässigkeit
●Hohe Impulsbelastbarkeit
●Gruppiert lieferbar
●Gehäusegleich mit SFH 484
Anwendungen
●IR-Fernsteuerung von Fernseh- und
Rundfunkgeräten, Videorecordern,
Lichtdimmern, Geräten
Features
●Extremely narrow half angle
●GaAs infrared emitting diode, fabricated in a
liquid phase epitaxy process
●High reliability
●High pulse handling capability
●Available in groups
●Same package as SFH 484
Applications
●IR remote control of hi-fi and TV-sets, video
tape recorders, dimmers,
of various equipment
LD 274
Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
5.9
5.5
0.6
0.4
ø5.1
ø4.8
2.54 mm
spacing
7.8
7.5
9.0
8.2
5.7
5.1
29
27
1.8
1.2
0.8
0.4
Area not flat
0.6
0.4
Cathode (Diode) Chip position
GEX06260
Approx. weight 0.5 g
Collector (Transistor)
fex06260
1) Nur auf Anfrage lieferbar.
1) Available only on request.
Typ
Type Bestellnummer
Ordering Code Gehäuse
Package
LD 274 Q62703-Q1031 5-mm-LED-Gehäuse (T 1 3/4), graugetöntes Epoxy-
Gießharz, Anschlüsse im 2.54-mm-Raster (1/10’’),
Kathodenkennzeichnung: Kürzerer Lötspieß, flat
5 mm LED package (T 1 3/4), grey colored epoxy resin
lens, solder tabs lead spacing 2.54 mm (1/10’’), cathode
marking: shorter solder lead, flat
LD 274-21) Q62703-Q1819
LD 274-3 Q62703-Q1820
LD 274
Semiconductor Group 2 1997-11-01
Grenzwerte (TA = 25 °C)
Maximum Ratings
Bezeichnung
Description Symbol
Symbol Wert
Value Einheit
Unit
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range Top;Tstg – 55 ... + 100 °C
Sperrschichttemperatur
Junction temperature Tj100 °C
Sperrspannung
Reverse voltage VR5V
Durchlaßstrom
Forward current IF100 mA
Stoßstrom, tp = 10 µs, D = 0
Surge current IFSM 3A
Verlustleistung
Power dissipation Ptot 165 mW
Wärmewiderstand
Thermal resistance RthJA 450 K/W
Kennwerte (TA = 25 °C)
Characteristics
Bezeichnung
Description Symbol
Symbol Wert
Value Einheit
Unit
Wellenlänge der Strahlung
Wavelength at peak emission
IF = 100 mA, tp = 20 ms
λpeak 950 nm
Spektrale Bandbreite bei 50 % von Imax
Spectral bandwidth at 50 % of Imax
IF = 100 m A, tp = 20 ms
∆λ 55 nm
Abstrahlwinkel
Half angle ϕ±10 Grad
Aktive Chipfläche
Active chip area A0.09 mm2
Abmessungen der aktive Chipfläche
Dimension of the active chip area L×B
L×W0.3 ×0.3 mm
Abstand Chipoberfläche bis Linsenscheitel
Distance chip front to lens top H4.9 ... 5.5 mm
Schaltzeiten, Ie von 10 % auf 90 % und von
90 % auf 10 %, bei IF = 100 mA, RL = 50 Ω
Switching times, Ie from 10 % to 90 % and
from 90 % to 10 %, IF = 100 mA, RL = 50 Ω
tr,tf1µs
Semiconductor Group 3 1997-11-01
LD 274
Gruppierung der Strahlstärke Ie in Achsrichtung
gemessen bei einem Raumwinkel Ω = 0.001 sr
Grouping of radiant intensity Ie in axial direction
at a solid angle of Ω = 0.001 sr
1) Nur auf Anfrage lieferbar.
1) Available only on request.
Kapazität
Capacitance
VR = 0 V, f = 1 MHz
Co25 pF
Durchlaßspannung
Forward voltage
IF = 100 mA, tp = 20 ms
IF = 1 A, tp = 100 µsVF
VF
1.30 (≤ 1.5)
1.90 (≤ 2.5)V
V
Sperrstrom, VR = 5 V
Reverse current IR0.01 (≤ 1)µA
Gesamtstrahlungsfluß
Total radiant flux
IF = 100 mA, tp = 20 ms
Φe15 mW
Temperaturkoeffizient von Ie bzw. Φe,
IF = 100 mA
Temperature coefficient of Ie or Φe,
IF = 100 mA
TCI– 0.55 %/K
Temperaturkoeffizient von VF,IF = 100 mA
Temperature coefficient of VF,IF = 100 mA TCV– 1.5 mV/K
Temperaturkoeffizient von λ,IF = 100 mA
Temperature coefficient of λ,IF = 100 mA TCλ+ 0.3 nm/K
Bezeichnung
Description Symbol
Symbol Wert
Value Einheit
Unit
LD 274 LD 274-21) LD 274-3
Strahlstärke
Radiant intensity
IF = 100 mA, tp = 20 ms
Ie min
Ie max
50
–50
100 80
–mW/sr
mW/sr
Strahlstärke
Radiant intensity
IF = 1 A, tp = 100 µsIe typ. 350 600 800 mW/sr
Kennwerte (TA = 25 °C)
Characteristics
Bezeichnung
Description Symbol
Symbol Wert
Value Einheit
Unit
LD 274
Semiconductor Group 4 1997-11-01
Relative spectral emission
Irel =f(λ)
Forward current
IF=f (VF), single pulse, tp = 20 µs
OHR01938
λ
rel
Ι
0880 920 960 1000
nm
1060
20
40
60
80
%
100
V
OHR01041
F
F
Ι
1
1
10
0
10
-1
10
10
-2
A
1.5 2 2.5 3 3.5 4 V 4.5
max.
typ.
Radiant intensity
Single pulse, tp = 20 µs
Ie
Ie100 mA = f(IF)
Ι
OHR01038
F
-1
10
10
0
1
10
2
10
10
-2 -1
10
0
10 A 10
1
Ι
e
Ι
e
(100 mA)
Max. permissible forward current
IF=f(TA)
OHR00883
0
F
Ι
0
20
40
60
80
100
120
20 40 60 80 100 120
mA
˚C
T
A
= 450 K/W
thjA
R
Permissible pulse handling capability
IF=f(τ), TC≤ 25 °C,
duty cycle D = parameter
t
OHR00860
p
-5
10
10
2
Ι
F
10
3
10
4
5
DC
0.2
0.5
0.1
0.005
0.01
0.02
0.05
t
p
T
Ι
F
t
p
T
D
=
5
mA
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
10s
D
=
Radiation characteristics, Irel =f(ϕ)
OHR01882
02040 60 80 100 1200.40.60.81.0
100
90
80
70
60
50
0
10203040
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
ϕ
