2SK3748
No.8250-1/4
2SK3748
特長
・低オン抵抗、低入力容量、超高速スイッチング。
・高信頼性(HVP プロセス採用)。
・マイカレスパッケージで取り付け作業性が良い。
・アバランシェ耐量保証。
絶対最大定格AbsoluteMaximumRatings/Ta=25℃
項目 記号 条件 定格値 unit
ドレイン・ソース電圧 VDSS 1500 V
ゲート・ソース電圧 VGSS ±20 V
ドレイン電流（DC） ID*4A
ドレイン電流（パルス） IDP PW ≦ 10µs,dutycycle ≦ 1% 8 A
許容損失 PD3.0 W
Tc=25℃ 65 W
チャネル温度 Tch 150 ℃
保存周囲温度 Tstg − 55 〜＋ 150 ℃
アバランシェエネルギー（単発）*1
EAS 170 mJ
アバランシェ電流 *2 IAV 4A
* チップ性能表記
*1. VDD=99V,L=20mH,IAV=4A
*2. L ≦ 20mH,1 パルス
電気的特性ElectricalCharacteristics/Ta=25℃
項目 記号 条件 定格値 unit
min typ max
ドレイン・ソース降伏電圧
V(BR)DSS
ID=1mA,VGS=0 1500 V
ドレイン・ソースしゃ断電流 IDSS VDS=1200V,VGS=0 100 µA
ゲート・ソースもれ電流 IGSS VGS=±16V,VDS=0 ± 10 µA
ゲート・ソースしゃ断電圧 VGS(off) VDS=10V,ID=1mA 2.5 3.5 V
順伝達アドミタンス yfsVDS=20V,ID=2A 1.7 2.8 S
ドレイン・ソース間オン抵抗 RDS(on) ID=2A,VGS=10V 5 7 Ω
入力容量 Ciss VDS=30V,f=1MHz 790 pF
出力容量 Coss VDS=30V,f=1MHz 140 pF
帰還容量 Crss VDS=30V,f=1MHz 70 pF
単体品名表示：K3748 次ページへ続く。
N チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ
高耐圧、高速スイッチング
31005QBTSIM ◎川浦 TB-00001272
〒370-0596群馬県邑楽郡大泉町坂田一丁目1番1号
本書記載の製品は、極めて高度の信頼性を要する用途（生命維持装置、航空機のコントロールシステム等、
多大な人的・物的損害を及ぼす恐れのある用途）に対応する仕様にはなっておりません。そのような場合に
は、あらかじめ三洋電機販売窓口までご相談下さい。
本書記載の規格値(最大定格、動作条件範囲等)を瞬時たりとも越えて使用し、その結果発生した機器の欠陥
について、弊社は責任を負いません。
注文コードNo.N8250
2SK3748
No.8250-2/4
前ページより続く。
項目 記号 条件 定格値 unit
min typ max
ターンオン遅延時間 td(on) 指定回路において 17 ns
立ち上がり時間 tr指定回路において 75 ns
ターンオフ遅延時間 td(off) 指定回路において 360 ns
下降時間 tf指定回路において 116 ns
総ゲート電荷量 Qg VDS=200V,VGS=10V,ID=4A 80 nC
ゲート・ソース電荷量 Qgs VDS=200V,VGS=10V,ID=4A 6.4 nC
ゲート・ドレイン電荷量 Qgd VDS=200V,VGS=10V,ID=4A 36 nC
ダイオード順電圧 VSD IS=4A,VGS=0 0.94 1.2 V
注）ゲート・ソース間に保護ダイオードが入っていますが、取扱いには充分御注意下さい。
外形図
unit:mm
2076B
スイッチングタイム測定回路図 アバランシェ耐量測定回路図
1 : Gate
2 : Drain
3 : Source
SANYO : TO-3PML
16.0
2.0
2.8
1.0
4.0 21.0
5.0
8.0
22.0
20.4
5.6 3.1
2.0
2.0
0.6
5.45
5.45
123
3.5
3.4
PW=10µs
D.C.≦0.5%
P.G RGS
50Ω
G
S
D
ID=2A
RL=100Ω
VDD
200V
VOUT
2SK3748
VIN
10V
0V
VIN
50Ω
RG
≧50Ω
VDD
L
10V
0V
2SK3748
2SK3748
No.8250-3/4
ドレイン・ソース電圧,VDS--V
ID--VDS
ドレイン電流,ID--A
IT09205
ゲート・ソース電圧,VGS--V
ID--VGS
ドレイン電流,ID--A
IT09206
ゲート・ソース電圧,VGS--V
RDS(on)--VGS
ドレイン・ソース間オン抵抗,RDS(on)--Ω
IT09207
ケース温度,Tc--°C
RDS(on)--Tc
ドレイン・ソース間オン抵抗,RDS(on)--Ω
IT09208
--50 --25 0 25 50 75 100 125 15
0
0
0
8
7
6
5
4
3
7050 604010 3020
2
1
0
0
7
2
0
181641221068 14
1
2
3
4
5
6
0
16
10
12
14
4
8
6
2
IT09210
00.30.60.9 1
.5
1.2
0.01
0.1
1.0
10
7
5
3
2
7
5
3
2
7
5
3
2
2
ダイオード順電圧,VSD--V
順電流,IF--A
IF--VSD
ドレイン電流,ID--A
IT09209
順伝達アドミタンス,yfs --S
yfs --ID
0.1 23 57 23 57
1.0
1.0
2
3
5
7
2
3
7
5
0.1
0
0
14
10
12
8
6
20181641221068 14
4
2
ドレイン電流,ID--A
SWTime--ID
スイッチングタイム,SWTime--ns
IT09211
100
1000
10
3
2
3
2
5
5
7
7
0.1 1.0
23 57 320
7
100
10
1000
10000
7
5
5
7
3
2
5
3
2
3
2
5
0
30515202535404510
ドレイン・ソース電圧,VDS--V
Ciss,Coss,Crss--VDS
Ciss,Coss,Crss--pF
IT09212
Tc=25°C
10V
8V
VGS=4V
5V
6V
VDS=20V
Tc=--25°C
25°C
75°C
ID=2A
25°C
Tc=75°C
--25°C
ID=2A
VGS=10V
VDS=20V
25
°
C
Tc=
--
25°C
75
°
C
25
°
C
--25
°
C
Tc=75°C
VGS=0
f=1MHz
Ciss
Coss
Crss
VDD=200V
VGS=10V
td(off)
tf
tr
td(on)
2SK3748
No.8250-4/4
本書記載の製品は、定められた条件下において、記載部品単体の性能・特性・機能などを規定するものであ
り、お客様の製品（機器）での性能・特性・機能などを保証するものではありません。部品単体の評価では
予測できない症状・事態を確認するためにも、お客様の製品で必要とされる評価・試験を必ず行って下さい。
弊社は、高品質・高信頼性の製品を供給することに努めております。しかし、半導体製品はある確率で故障
が生じてしまいます。この故障が原因となり、人命にかかわる事故、発煙・発火事故、他の物品に損害を与
えてしまう事故などを引き起こす可能性があります。機器設計時には、このような事故を起こさないような、
保護回路・誤動作防止回路等の安全設計、冗長設計・機構設計等の安全対策を行って下さい。
本書記載の製品が、外国為替及び外国貿易法に定める規制貨物（役務を含む）に該当する場合、輸出する
際に同法に基づく輸出許可が必要です。
弊社の承諾なしに、本書の一部または全部を、転載または複製することを禁止します。
本書に記載された内容は、製品改善および技術改良等により将来予告なしに変更することがあります。した
がって、ご使用の際には、「納入仕様書」でご確認下さい。
この資料の情報（掲載回路および回路定数を含む）は一例を示すもので、量産セットとしての設計を保証す
るものではありません。また、この資料は正確かつ信頼すべきものであると確信しておりますが、その使用
にあたって第３者の工業所有権その他の権利の実施に対する保証を行うものではありません。
PS
ASO
ドレイン・ソース電圧,VDS--V
ドレイン電流,ID--A
1.0
10
2
3
5
7
2
3
5
7
2
2
3
5
7
0.1
0.01 23 5723 5723 57
1.0 10 100 1000 32
IT09214IT09213
00
20 40
10
20
60
40
30
80 100 120
60
65
70
50
80
140 160 0
020 40
0.5
1.0
60
2.0
1.5
80 100 120
3.0
2.5
3.5
140 16
0
周囲温度,Ta--°C
PD--Ta
許容損失,PD--W
IT09215
ケース温度,Tc--°C
PD--Tc
許容損失,PD--W
IT09216
総ゲート電荷量,Qg--nC
VGS--Qg
ゲート・ソース電圧,VGS--V
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9040 50 60 70 80
10
9
10 20 30
VDS=200V
ID=4A ＜10µs
Operationinthisarea
islimitedbyRDS(on).
100µs
1ms
10ms
100ms
ID=4A
IDP=8A
DCoperation
Tc=25°C
1パルス
取り扱い上の注意：本製品は、MOSFETですので、帯電性の大きな環境での取り扱いはご遠慮下さい。