TRANZYSTORY n-p-n . 23-74/2 BFP519, BFP520 i BFP521 SWW 1156-213 Tranzystory krzemowe epiplanarne matej mocy wielkiej Prad zerowy cezestotliwosci. / . kolektor-baza Sa przeznaczone do stosowania w uktadach wzmacniaja- przy Ucs = 20V, cych i generacyjnychw zakresie czestotliwoSci do 100 MHz tomy = 398K oraz w ukladach przelaczajacych Sredniej szybkosci. (125C) Toxo _ 30 pa Napiecie przebicia kolektor-baza przy Icpp=10pA Uvsrycan 70 - Vv Napiecie przebicia kolektor-ermiter eh a przy Ic=10mA, Uvarycz 50 _ Vv Ry Napiecie przebicia fe On emiter-baza ~ 9 Sd przy Tes) =10pA Ucermzso 5 - Vv a Rey Napiecie nasycenia 1 kolektor-emiter przy Ic = 20mA, Ig =2mA Ucereat _ 0,5 Vv Napiecie nasycenia baza-emiter Tranzystor w obudowie metalowej TO18(CE22). Ko- przy Ic = 20mA, lektor jest potaczony elektrycznie z obudowg. T a= 2mA Upssat _ 1 Vv Wspdiczynnik wzmocnienia pra- dowego* przy Ic = 10mA, DANE TECHNICZNE . Ucz =6V- Age KI II 20 35 _ > kl. IT 30 90 _ kl. V 70 1700 = Wartogci dopuszczalne parametrow eksploatacyjnych kL VI 150 3500 Typ Oo BFP319 BFP520 BFP52) TRANZYSTOR BFP520 Napiecie kolektor-baza Ucap 70 50 30 Vv Parametry statyczne Napiecie kolektor- -emiter . Ucm 50 30 15 Vv pr2y tamp == 298 K Napiecie emiter-baza Urso 5 5 5 Vv (25C) min. maks. Prad kolektora Ie 50880 50 mA Prad zerowy Prad szczytowy kolektor-baza . kolektora Tom 200 200 200 mA przy Ucay = 20V *Icpo ~ 100 nA Prad bazy Ip 5 5 5 -mA Prad zerowy Moc kolektora Pc 300 300 300 mA kolektor-baza Temperatura ziqgeza t 423 K (150C) przy Ucao = 20V, Zakres temperatury prZzy tamp = 398 K sktadowania tatg 218...398 K(56...+125C) (125C) Ieee _ 30, pA Napiecie przebicia kolektor-baza TRANZYSTOR BFP519 przy Icoo = 10pA Uysryceo 50 Vv Napiecie przebicia kolektor-emiter Parametry statyczne cme iy Sn przy Ic =10MA Ucarycao 30 _ v przy tamp = 298K Napiatie przebicia o emiter-baza Pred verowy __aa przy Ign =10pA Upsmeno 5 - Vv kolektor-baza * Podziatu na klasy dokonuje sie na zyczenie odbiorey okresiene przy Uese =20V Icpo = 100 nA w zamwieniu. _23-74/2 Napiecie nasycenia kolektor-emiter przy Ic = 20mA, . . Ucrsat _ 0,5 Vv Ip =2mA Napiecie nasycenia baza-emiter przy Ic: = 20mA, Ip =2mA Uarsat _ 1 Vv Wspoltczynnik wzmocnienia pra- dowego* przy Ic = 10mA, Ucz =6V hee kL. II 20 35 _ : kL III 30 90 - kI.V 70 170 kl. VI 150 350 _ TRANZYSTOR BFP521 Parametry statycme przy tam = 298 K (25C) min. maks. Prad zerowy kolektor-baza przy Ucn = 20V_ [cao 100 - nA Prad zerowy kolektor-baza przy Ucao = 20 V; tamp = 398 K (125C) I cng _ 30 pA Napiecie przebicia : kolektor-emiter przyTe=10MA = Uesrycao 15 - ov Napiecie przebicia kolektor-baza . przy Icpp =10pA Urerycap 30 _- v Napiecie przebicia . emiter-baza _ przy Tgp = 10pA Upamene 5 - Vv Napiecie nasycenia _ kolektor-emiter ~ przy Ic = 20mA, Ig =2mA Ucesat _ 0,5 Vv Napiecie nasycenia ~ baza-emiter przy Ic = 20mA, In = 2mA Usssat _ 1 Vv. Wspdiezynnik wzmoctnienia pra- dowego* same noes przy Ic = 10mA, ; . Uce = 6 V, hye KL 200-0 8B , , kl. IIT 30 7. kL V_ 70 . 170 kl. VI 150 , 350.0 TRANZYSTORY BFP519, BFP520 i BFPS521 Parametry dynamiczne przy toms = 298K a (25C) min. typ. maks, Czestotliwos graniczna. przy Ic = 5mA, ~ Uce = 10V, ~ - f. = 100 MHz afr __ 10 _ MHz * .Podziatu.na klasy dokonuje sie na zyczenie odbiorcy okreglone w zamowieniu, : Stala czasu sprzezenia zwrotnego przy Ic = 5mA, Ucze = 16V, f =5 MHz Pojemno kolektora przy Ic =5mA, , Ucz =10V, f =5 MHz Impedancja wejciowa przy Ic = 2mA, Uce =5V, f =1kHz Rite _ 8 _ Wspdiczynnik napie- ciowy sprzezenia zwrotnego przy Ic = 2mA, Uce = 5V,f =1kHz hige _ Wartos matosygnatowa wsplezynnika wzmocnienia prado- wego przy Ic =2mA, Uce = 5V, f =1kHz Admitancja wyjsciowa przy Ic = 2mA, Uce =5 Vv, f = i kHz Czas wiaczania ~ przy Ic = 200 mA, : : Tay = I pe = 40mA ton _ 40 Czas wylaczania przy Ic = 200 mA, Ip, = Ip9 =40mA Tr Co = 500 Cec _ 5 8 0,610-4 hete 75 _ hee _ 10 _ torr _ 300 pF kQ nS ns ns 800 59 P BFP 520 [nw] BFP S2t . 600 500 400 300 200 "700 30 66 9) te 10 Zaleznos temperaturowa mocy strat Pc = f (t)23-74/2 BFP 519 30| BFP520 1 | SFPS c Ind] 20 10 Charakterystyka wyjSciowa Ic =f (Ucz); In pa- rametr BFP 519 I, | BFP 520 fina] |_FP524 tamb = 25 0 02 04 06 Up 1 Charakterystyka wejSciowa In = f (Use); Ucz pa- rametr BFP 519 I, | F520 [ma]|_8FP521_| cop h 0p tamb = 25C 125 115A 22 5 2 201A [p= 101A a 0 10 Ure [V 20 Charakterystyka wyjciowa Ic =f (Ucs); In pa- _ rametr 100 lee loa] 10 . Of 0 25 0 t 100 , Zaleznog temperaturowa pradu zerowego Icpo = = f (tamv) .23-74/2 200 pep 519. hoe | BFP 520 BFP 52 150 Uce = 6 100 50 af 4 IejmA] 00 Zaleznos statycznego wspdiczynnika wzmocnienia pradowego od pradu kolektora has = f (Ic) 20 BFP 519 BFP 520 F | BFP 524 (a6) Ue = 5V le =O2mA Re =2k 82 10 tomb 2 25C af 1 10 Fig] (100 Zaleznos wsplezynnika szumw od czestotliwoci 400 pep 539 & | BFP 520 BFP 52f famb = 25C Uce = 10V f= f00MHz 200 100 8 4 8 = 12 Ie fmAj 20 . Zaleznos czestotliwosci granicznej od pradu koloek- tora fr = f (Ic) 6 F = BP 400 0 fag] BEP 521 Got a / IgfmaA] 10 Zaleznos wsptezynnika szumw od pradu kolek- F=f tora F = f (Ic) PRODUCENT DYSTRYBUTOR UNITRA eI UNITRA ej CEMI EY] UNIZET NAUKOWO-PRODUKCYJNE CENTRUM POLPRZEWODNIKOW ,,TEWA ul. Komarowa 5 02-675 Warszawa Telefon: 431431 Teleks: 813219 BIURO ZBYTU SPRZETU TELERADIOTECHNICZNEGO ul, Nowogrodzka 50 00-695 Warszawa Telefony: 289411, 286471 Teleks: 813435