1N5820 ... 1N5822
1N5820 ... 1N5822
Schottky Barrier Rectifiers
Schottky-Barrier-Gleichrichter
Version 2010-06-01
Dimensions - Maße [mm]
Nominal current
Nennstrom
3 A
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
20...40 V
Plastic case
Kunststoffgehäuse
~ DO-201
Weight approx.
Gewicht ca.
1 g
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging taped in ammo pack
Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack
Maximum ratings and Characteristics Grenz- und Kennwerte
Type
Typ
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
VRRM [V]
Surge peak reverse voltage
Stoßspitzensperrspannung
VRSM [V]
Forward voltage
Durchlass-Spannung
VF [V] 1)
1N5820 20 20 < 0.85
1N5821 30 30 < 0.90
1N5822 40 40 < 0.95
Max. average forward rectified current, R-load
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last
TA = 75°C IFAV 3 A2)
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
f > 15 Hz IFRM 15 A 2)
Peak forward surge current, 50 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 50 Hz Sinus-Halbwelle
TA = 25°C IFSM 150 A
Rating for fusing, t < 10 ms
Grenzlastintegral, t < 10 ms
TA = 25°C i2t 110 A2s
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
Tj
TS
-50...+150°C
-50...+175°C
1 IF = 9.4 A,Tj = 25°C
2 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
© Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1
Type
Ø 1.2
±0.05
Ø 4.5
62.5
±0.5
7.5
±0.1
+0.1
-
0.3
1N5820 ... 1N5822
Characteristics Kennwerte
Leakage current
Sperrstrom
Tj = 25°C
Tj = 100°C
VR = VRRM
VR = VRRM
IR
IR
< 2 mA
< 20 mA
Thermal resistance junction to ambient air
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
RthA < 25 K/W 1)
Thermal resistance junction to leads
Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschlussdraht
RthL < 8 K/W
1 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
2http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG
120
100
80
60
40
20
0
[%]
I
FAV
Rated forward current versus ambient temperature )
Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp. )
1
1
[°C]
T
A
150100
50
0
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
0.2 V
F
0.6 0.8 [V] 1.2
10
10
1
10
10
2
-1
-2
[A]
I
F
1N5820
1N5822
1N5821
T = 25°C
j
