BIPOLAR TRANSISTOR CHIPS NPN Transistors MPS Device Types ELECTRICAL CHARACTERISTICS al T, = 25C lean DC Currest Gein Veena 1; hs Device | Max, ig hia, Nee Te ly Vg lee. Ge, | Alin. td, | GT) nt | MP wee fimay] | | ina | at Max. (mAb OV) | 0) mA} (MH) (mvt | (pe) | fre} | (a6) | Process MPSOSC | 500} 50] 50 | 5.0 |100 18/780 540 2.0 4.6] 03 SO) | ope] om | BBC MPSMI46) 500) 25 | 25) 50 |100 25) 75 225 20 46-09 80) | J} BAG MPS34150) 500) 25) 25 | 6 |100 25) 180 S40 20 45)09 So) ) |}] BEG MPSSai6 | 500} 450] 50] 5.0 |100 25| 75 225 20 45) 09 so) | ||] BBC MPSadi7c | 500] 0 | 50 | 5.0 |100 25|180 40 2.0 45) 09 fo) | || | BBG WPSS56IC| 50} 30] 16] 20 | 60 16] 2 200 6.0 10 = 6.0117) |[] DMA MPSS5G5C | 200) 30 |} 26] 6.0 | $0 25/150 B00 1.0 10 1.0 10}40}/}| BAA MPSa56e0| BO} 40) 30] 5.0 | 50 20/150 mo Ww 10 a0) 2)]| Dat MPSSS67C| BOO} BO | 40] 5.0 | 0 40) 4 120 180 1.0 60} 20) | | GAC MPSa568C | B00} BO | BO | 6.0 1601 ay ||]| OAc mpsassac] aoa] Bo] 40 | 5.0 | 50 407100 300 150 1.0 20 | OAG MPS3642C| 500; BO} 45 | 5.0 | 50? 60) 40 120 160 10 &0}| | BBC MPS3646C| 300} 40 | 15 | 6.0 |500 mm) 30 120 30 O4 5.0} 18 |] BB MPSS653C ) ii) 46] 46 | 40 | 50 Be) 40 1 610) 61D 3.6) | 40 FFB MPSS5G4G | 100| 45 | 45 | 4.0 | 50 85) 100 400 10 10 g.6| [4.0 | FFB MPSS?O4C | 500) 50) 30) 5.0 }100 MO) 100 300 60 20, 068 100) 100 BO) zy | BG MPSaT05] 500) 50) 30) 0 [100 2) 50 150 50 2.0) 0.8 0) 100 SO) 12) |] BaG MPSsTonG | 500) 40) 20) 5.0 |100 20) 30 800 SM 20) 70 Wo) 0 Wy] 2) BAG MPSITOTC | 200} 30] 30] 6.0 }100 20/100 400 O14 SO} 10 to) | | |] 5.0] BAA MPSITOBC | 200] 30 | 30 | 6.0 1100 20) 45 660 10 50) 10 19) | ||| BAA wesarosc| 200) 30) 30] 60 |100 20) 45 165 1.0 50) 10 i) }| ||] BAA MPSSTIOC| 0} 30) 30] 6.0 10 20) 3D 10 60/10 mw - | ||} BAA MPSS711C| 200} 30} 30] 6.0 |100 20) 180 B60 10 6.0/7.0. 1) | ||]]} BAA MPSafeiG} SO) | | |50b ie) 6) BO 20 1) | | |/--] BEL MPSaae6C| 200] BO |] 45 | 4.0 1100 a0] 40 160 10 | j 2m iwias||] BA MPSI827C| 200) BO] 45 | 4.0 1100 9/100 400 10 1) /200 1O}a5,/])/] BAA MPSEIZFC| 100| 2] 12130 | 6b 10) 15 300 20 0) 03 mM) }|||| Fre MPSS131C) 200] 20] 15 | 30 | 50 10] 30 50 10 10) 10 mW) |])/}]] BAA MPSS122) 200} 20] 20/30 | 60 10] 27 im i) 20 iw} mM) }|] BAA MPSS1336 | 200) 20 | 16 | 3.0 | 50 15) 60 000 10 50) ) ]| | | BAA. MPSS1356) 800) 30) 25) 4.0 |300 15) 2 600 i 10/70 10) 40 HB) By) } DAG MPSS1a6C| BOD} 30] 20] 3.0 |100 20] 20 400 190 1.0 )0.25 190) 40 Bo] | || DA MPSS137C | BOO) 30) 20 | 2.0 }100 2b) 20 400 160 1.0 0.25 150) 40 5b) By] |] DAG MPSSTF2C) S00) 2) 26) 5.0 | 2b) OW 0 6] | HY) |] BbG MPS5aI56| 500] 25 | 25 | i? |i 25] 2h 20k 20 SO] 14 200] bo PO} wm] | | TPM MPS5SSIGC| S00) 28 | 25 | 10 |100 25) Tk 70k 2.0 5.0] 14 200) mo BO} WM) | TPM MPSHSt2C) 200) 40) 24.0 | 2) 20 1 2 WW) O58 My) )35))]) BAA MPS6519C| 200} 40] 30} 4.0 | SO W) 9D 1 20 WwW) Os so] }3a5s|/]] BAA NPSES14C| 200} 4) 25 | 4.0 | 50 9/150 300 20 1] O58 50) ]}a5}|] BAA MPS6S15C) 200} 40) 25) 4.0 | 60 30/250 500 2.0 10) 0.5 80) -Jany|] BAA MPSESIG | 200] 40 | 25 | 40 | 50 SB] 0 400 20 10) O05 50) /3s]|30] BAA MCTES: 3) Vigwaces ees: a5 applecabin. 1] Maximurn at typical JEDEC conditions. 4h ma. 2} pA 5} Veajeen BL A 1K, 10 Se ge