Transistors NPN silicium Planar pitaxiaux NPN silicon transistors Epitaxial planar *2N 2218 *2N 2218 A *2N 2219 *2N 2219 A - Amplification BF ou HF petits ou grands signaux LF or HF small or large signal amplification - Commutation a moyen courant Medium current switching Complmentaires des types 2N 2904,A et 2N 2905,A Complementaries of types 2N 2904, A and 2N 2905, A Dissipation de puissance maximale Maximum power dissipation Prot {w) 3 2 N ' \e 1 0g F--L] { t tambiCK) 25 50 100180 175 tease C2) * Dispositif recommand Prefered device Donnes principales Principal features v { 30 V aN 2218 - 2219 CEO \ 40 Vv 2N 2218A - 22198 . 08 A - { 40 - 120 ON 2218, A eae maj 100 - 300 2N 2219, A ty { 250 MHz min 300 MHz min 2N 2219 A VeEsa 1V max 2N 2218 A-2219 A (500 sata) 1,6 V max 2N 2218 - 2219 Boitier TO -39 Case Le collecteur est reli au boitier Collectar is connected to case Absolute ratings (limiting values) Valeurs limites absolues d'utilisation a tamy= 25C (Sautf indications contraites (Untess otherwise specified} Paramitre 2N 2218 2N 2218 A Paremetar 2N 2219 2N 2219-4 Tension collecteur-base v Collector-base voltage CBO 60 78 v Tension collecteur-metteur Vv Collector-emitter voltage CEO 30 40 Vv Tension metteur-base Vv Emitter-base voltage EBO 5 6 Courant collecteur | Collector current c 0.8 08 tamp=25C (1) Dissipation de puissance amb P 0.8 08 w Power dissipation tot Toage 25C (2) 3 3 Temprature de jonction t Junction temperature max, J 175 175 c i ~ 65 = Temprature de stockage min. t 65 c Storage temperature stg max. +200 +200 et. SCSOSernniy 1970-09 1/62N 2218 * 2N 2218 A * 2N 2219 * 2N 2219 A * Caractristiques gnrales a tamh = 25C . General characteristics (Sauf indications contraires } (Unless otherwise specified) Caractristiques statiques Static characteristics Min.) Typ..| Max. Ming: | Typ. | Max. 2N 2218 10 | _Yep=80 V 2N 2219 loo nA I; = 2N 2218 Ai Veg=60 V 10 cp 2N 22194 sei le =0 2N 2218 Courant rsiduel collecteur-base Collector-base cut-off current Vep=50 V 10 tamp= 150C 2N 2219 ; CBO HA ig =0 2N 2218A Vog=60 V |-- -] 10 tamb= 150C ==} 2N 2219A = A Courant rsiduel collecteur-metteur Vpe=-3 V anaes 'CEX 10 nA Collector-emitter cut-off current Vop=60 V 2N 2219A Courant rsiduel de la base Vee=3 2N2218A IBEX ~20 | nA Base cut-off current Vop 760 Vv ON 2219 A Courant rsiduel metteur-base Ig =0 Emitter-base cut-off current Veg=3V lego 10 nA 2N 2218 60 Tension de claquage collecteur-base le =0 2N 2219 |v BR)CBO Collector-base breakdown voltage le =10 uA DN221BA (BR Vv 2N2219A 7 2N 2218 : . tp =0 *| 30 Tension de claquage collecteur-metteur B 2N 2219 Jy Collector-emitter breakdown voltage Io =10mA N {BR}CEO Vv 2N 2218A 2N 2219A 40 2N 2218 Zension ge Claquage metteur-base Io =0 2N 2219 Vv 5 V mitter-base breakdown voltage le =10mA (BR)EBO! E 2N 2218A 2N2219A 6 x*Impulsions t._=300us 65 < 2% Pulsed P 2/62N 2218 * 2N 2218 A* 2N 2219 * 2N 2219 A * Caractristiques gnrales @ tamb = 25C General characteristics Caractristiques dynamiques (pour petits signaux) Dynamic characteristics (for small signals) _ | win Typ. | Max. oe : Min lo Typ. |. Max: f =1kHz 2N 2218A 30 150 Ic =1 mA Vcp=10V 2N2219A 50 300 Rapport de transfert direct du courant Hote Forward current transfer ratio f =1kHz 2N 2218A 50 300 Io =10mA Veg 10 2N 22194 75 375 f =1kHz 2N 2218A 1 3,5 Ic =1mA Voe= 10 V 2N 2219A 2 8 Impdance dentre N1e kQ input impedance f =1 kHz 2N2218A 02 1 I =10mA Vepqi0Vv 2N 2219 Al 0,25 1,25 f =1kHz 2N 2218A 5 \o vou Voce 10 V 2N 2219A 8 Rapport de transfert inverse 1 de Ae ctension "12 10-4 inverse voltage transfer ratio f =1 kHz 2N 22184 2,5 lo =10mA Vog=10V 2N 2219A 4 f =1kHz 2N 2218A 3 15 Io =lmA Vep= tov 2N 2219A 5 35 Admittance de sortie h S Output admittance 22e u f = =1kHz 2N 2218A 10 100 Io =10mA Voe=10 V 2N 22194 25 200 Ic =20ma (2N2218,A 250 Frquence de transition VcE =20V 2N 2219 fy MHz Transition frequency f =100 MHz 2N 22194 300 4/6*2N 2218 *2N 2218 A *2N 2219 *2N 2219 A Caractristiques gnrales a tamb = 25C General characteristics Caractristiques dynamiques (pour petits signaux) Dynamic characteristics (for smattl signats} Vepzlev 2N 2218,A) C Capacit de sortie = Output capacitance le =0 22b 8 pF f =1 MHz 2N 2219,A Vegp=05 V 2N 2218A Capacit dentre = c lone capacitance Ic =0 1b 25 pF f =1 MHz 2N 2219A Io =20mA Partie relle de l'impdance dentre Vog=20V Re(hy4,) 60 2 Real part of input impedance =300 MHz G 4 lo =20mA In | Onstante de temps de raction _ Feedback time constant Voce =20 Vv 128 150 Ps f =31,8 MHz Ig =100 uA Voce =10V Facteur de bruit R. =1kQ 2N 2219A F 4 dB Noise figure f =1 kHz Af =1Hz Caractristiques de commutation Switching characteristics Retard a la croissance Figure 4 lq 150 mA 2N 22184 ty 10 Delay time In, 15 mA 2N 2219A Vge~05 V BE: Temps de croissance Figure 1 Van =30 V 2N 221BA t 25 Rise time cc 2N 22194 r : 2N 2218A Geiard & [2 dcroissance Figure 2 Iq * 150 mA t, 225 Ipy* 15 mA 2N 2219A ns lan 15 mA Temps de dcroissance Figure 2 ve 2N 2218A ty 60 Fall time ec 330 Vv 2N2219 A 5/6*2N 2218 *2N 2218 A *2N 2219 *2N 2219 A 25C (Sauf indications contraires} (Unless otherwise specitied) Caractristiques gnrales a tamb = General characteristics Caractristiques statiques Statice characteristics Paramtie 2N 2218,A 2N 2219,A\ 35 le =1mA 2N 2218,A hoo. 25 Voe=10V an2aigal 7'E Tso lo =10mA 2N 2218,A\ 35 Vog=10V 2N 2219,A 75 Valeur statique du rapport du transfert Irec fu couran Static forward current transfer ratio Ic =150 mA 2N 2218,A\ 20 Voe=tV 2N 2219,A 50 Ic =150mA = [2N2218A} ho * | 40 120 Vog=10V 2N 2219,A 100 300 lo =500 mA 2N 2218,Al 20 Vee=10V 2N 2219,A 30 Valeur statique du rapport du transfert lc =10 mA 2N 2218A h 16 direct du courant ; VoEe=10V 21E Static forward current transfer ratio tamb=55 ec 2N 2219A 35 2N 2218 0,4 Iq =150 mA 2N 2219 'g =15 mA 2N 221BA\ 03 Tension de saturation collecteur-metteur 2N 2219A Vv * Vv Collector-emitter saturation voltage CEsat 2N 2218 16 Iq =500 mA 2N 2219 Ig =50mA 2N 2218A 1 2N 2219A 2N 2218 1 lq =150 mA 2N 2219 3 Ig = 15mA RN 2218A 8 0,6 1,2 Fension de saturation base-metteur 2N 2219A Vee * Vv emi i 1 sat ase-emitter saturation voltage 2N 2218 26 I =500 mA ' c Ig =50 mA 2N 2219 2N 2218A pn 2 2N 2219A * Impulsions ty = 300us Pulsed 5 < 2% 3/62N 2218 * 2N 2218 A * 2N 2219 * 2N 2219 A * Schmas de mesures des temps de commutation Switching times tests circuit Figure 1 Osciltoscope = Oscilloscope O1HF 619.0 Z > 100K2 1 Cc < 12pF Gnrateur <n Generator ka 02 +10,4V Z2 = 500 > t, < 2ns S500 Ly < 200 ns Figure 2 ral FeTOOMS Lal ~~ <5ns +16,2V Gnrateur < Generator 2002s 20 kt Z=502 +_ * ove Oscilloscope ~30 ve 50 2 Oscilloscope Z > 100 k2 < -13,8 V c 12 pF 5 | 500 ys t, < Shs S 6/6