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NPN Silicon AF Transistor
NPN Silicon AF Tr ansistor ྯ FHBCX56
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DESCRIPTION & FEATURES 概述及特點 SOT-89
1)For AF driver and output stages
2)High collector current
3)Low Collector-Emitter Saturation Voltage
4)Complement types:FHBCX53(PNP)
PIN ASSIGNMENT 引腳說明
PIN NUMBER 引腳序號
PIN NAME
管腳符號 SOT-89 FUNCTION
功能
B 1 BASE
C 2 COLLECTOR
E 3 EMITTER
MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃) 最大額定值
CHARACTERISTIC 特性參數 Symbol 符號 Rating 額定值 Unit 單位
Collector-Emitter Voltage 集電極-發射極電壓 VCEO 80 Vdc
Collector-Base Voltage 集電極-基極電壓 VCBO 100 Vdc
Emitter-Base Voltage 發射極-基極電壓 VEBO 5 Vdc
Collector Current(DC)集電極電流-直流 IC 1 Adc
Peak Collector Current 集電極峰值電流 ICM 1.5 Adc
Base Current 基極電流 IB 100 mA
Peak Base Current 基極峰值電流 IBM 200 mA
Total Power Dissipation 耗散功率 Ptot 1 W
Junction and Storage Temperature結溫和儲存溫度 TJ
Tstg 150，
-55 ~150 ℃
DEVICE MARKING 打標
FHBCX56=BH(40~250)
ELECTRICAL CHARACTERISTICS 電特性
(TA=25℃ unless otherwise noted 如無特殊說明，溫度為 25℃)
Characteristic 特性參數 Symbol
符號 Test Condition
測試條件 Min
最小值 Type
典型值 Max
最大值 Unit
單位
Collector-Emitter Breakdown Voltage
集電極-發射極擊穿電壓 V(BR)CEO IC=-10mA, 80 — — V
Collector-Base Breakdown Voltage
集電極-基極擊穿電壓 V(BR)CBO IC=-100µA 100
— — V
Emitter-Base Breakdown Voltage
發射極-基極擊穿電壓 V(BR)EBO IE=-10µA 5.0
— — V
Collector Cutoff Current
集電極截止電流 ICBO VCB=30V，IE=0 — — 100 nA
Emitter Cutoff Current
發射極截止電流 IEBO VEB=4V, IC=0 — — 20 nA
DC Current Gain 直流電流增益 hFE2 VCE=2V,IC=150mA 40 — 250
Collector-Emitter Saturation Voltage
集電極-發射極飽和壓降 VCE（sat）IC=500mA,IB=50mA — — 500 mV
Transition Frequency 特徵頻率 fT VCE=10V,Ic=50mA,
f=20MHZ — 130 — MHZ
