Technische Information / Technical Information
Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor Module TT 400 N 26 KOF N
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung Tvj = - 40°C...Tvj max V
DRM
, V
RRM
2600 V
repetitive peak forward off-state and reverse voltages V
Vorwärts-Stoßspitzensperrspannung Tvj = - 40°C...Tvj max V
DSM
2600 V
non-repetitive peak forward off-state voltage V
Rückwärts-Stoßspitzensperrspannung Tvj = + 25°C...Tvj max V
RSM
2700 V
non-repetitive peak reverse voltage V
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert I
TRMSM
800 A
RMS on-state current
Dauergrenzstrom TC = 85°C I
TAVM
400 A
average on-state current TC = 71°C 510
Stoßstrom-Grenzwert Tvj = 25°C, tp = 10ms I
TSM
13000 A
surge current Tvj = Tvj max, tp = 10ms 11000 A
Grenzlastintegral Tvj = 25°C, tp = 10ms I²t 845000 A²s
I²t-value Tvj = Tvj max, tp = 10ms 605000 A²s
Kritische Stromsteilheit DIN IEC 747-6 (di
T
/dt)
cr
150 A/µs
critical rate of rise of on-state current f = 50Hz, iGM = 1A, diG/dt = 1A/µs
Kritische Spannungssteilheit Tvj = Tvj max, vD = 0,67 VDRM (dv
/dt)
cr
critical rate of rise of off-state voltage 6. Kennbuchstabe / 6th letter F 1000 V/µs
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaßspannung Tvj = Tvj max, iT = 1500A v
T
max. 1,88 V
on-state voltage
Schleusenspannung Tvj = Tvj max V
(TO)
1,00 V
threshold voltage
Ersatzwiderstand Tvj = Tvj max r
T
0,50 mΩ
slope resistance
Zündstrom Tvj = 25°C, vD = 6V I
GT
max. 250 mA
gate trigger current
Zündspannung Tvj = 25°C, vD = 6V V
GT
max. 2,2 V
gate trigger voltage
Nicht zündender Steuerstrom Tvj = Tvj max, vD = 6V I
GD
max. 10 mA
gate non-trigger current Tvj = Tvj max, vD = 0,5 VDRM max. 5mA
Nicht zündende Steuerspannung Tvj = Tvj max, vD = 0,5 VDRM V
GD
max. 0,25 V
gate non-trigger voltage
Haltestrom Tvj = 25°C, vD = 6V, RA = 5ΩI
max. 300 mA
holding current
Einraststrom Tvj = 25°C, vD = 6V, RGK ≥ 10ΩI
L
max. 1500 mA
latching current iGM = 1A, diG/dt = 1A/µs, tG = 20µs
Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom Tvj = Tvj max i
, i
max. 100 mA
forward off-state and reverse currents vD = VDRM, vR = VRRM
Zündverzug DIN IEC 747-6 tgd max. 4µs
gate controlled delay time Tvj = 25°C, iGM = 1A, diG/dt = 1A/µs
Freiwerdezeit Tvj = Tvj max, iTM = ITAVM tq
circuit commutated turn-off time vRM = 100V, VDM = 0,67 VDRM
dvD/dt = 20V/µs, -diT/dt = 10A/µs
5. Kennbuchstabe / 5th letter O typ. 300 µs
Isolations-Prüfspannung RMS, f = 50Hz, t = 1min VISOL 3kV
insulation test voltage RMS, f = 50Hz, t = 1sec 3,6 kV
SZ M ; K.-A. Rüther
31. Mai 95
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Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor Module TT 400 N 26 KOF N
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand pro Modul / per module,
Θ
= 180°sin RthJC max. 0,0325 °C/W
thermal resistance, junction to case pro Zweig / per arm,
Θ
= 180°sin max. 0,0650 °C/W
pro Modul / per module, DC max. 0,0310 °C/W
pro Zweig / per arm, DC max. 0,0620 °C/W
Übergangs-Wärmewiderstand pro Modul / per module RthCK max. 0,01 °C/W
thermal resistance, case to heatsink pro Zweig / per arm max. 0,02 °C/W
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur Tvj max 125 °C
max. junction temperature
Betriebstemperatur Tc op - 40...+125 °C
operating temperature
Lagertemperatur Tstg - 40...+130 °C
storage temperature
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage Seite 3
case, see appendix page 3
Si-Elemente mit Druckkontakt, Amplifying-Gate
Si-pellets with pressure contact, amplifying-gate
Innere Isolation AlN
internal insulation
Anzugsdrehmoment für mechanische Befestigung Toleranz / tolerance ±15% M1 6Nm
mounting torque
Anzugsdrehmoment für elektrische Anschlüsse Toleranz / tolerance +5% / -10% M2 12 Nm
terminal connection torque
Gewicht G
typ.
1500 g
weight
Kriechstrecke 19 mm
creepage distance
Schwingfestigkeit f = 50Hz 50 m/s²
vibration resistance
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung
mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen. / This technical Information specifies semiconductor devices but promises no characteristics.
It is valid in combination with the belonging technical notes.
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Netz-Thyristor-Modul
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Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z
thJC
für DC
Analytical elements of transient thermal impedance Z
thJC
for DC
Pos. n 1 2 3 4 5 6 7
0,00137 0,00486 0,0114 0,0223 0,0221
0,00076 0,0086 0,101 0,56 3,12
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[
]
R C W
thn
°/
[
]
τ
n
s
AnalytischeFunktion ZRe
thJC thn
t
n
n
n
:
max
=−
−
=
∑1
1
τ