2N7000 2N7000 ID = 200 mA RDS(on)1 < 5 Tjmax = 150C N-Channel Enhancement Mode FET N-Kanal FET - Anreicherungstyp VDSS = 60 V Ptot = 350 mW Version 2017-08-16 Typical Applications Signal processing, Logic level converter, Drivers Commercial grade 1) Typische Anwendungen Signalverarbeitung, Pegelwandler, Treiberstufen Standardausfuhrung 1) Features Fast switching times Compliant to RoHS, REACH, Conflict Minerals 1) 9 18 2 x 2.54 Dimensions - Mae [mm] Pb EE WE 16 S GD Besonderheiten Schnelle Schaltzeiten Konform zu RoHS, REACH, Konfliktmineralien 1 RoHS EL V TO-92 (10D3) Mechanical Data 1) Mechanische Daten 1) Taped in ammo pack (Raster 2.54) Gegurtet in Ammo-Pack (Raster 2.54) 4000 Weight approx. 0.18 g Gewicht ca. Case material UL 94V-0 Gehausematerial Solder & assembly conditions 260C/10s Lot- und Einbaubedingungen MSL N/A Maximum ratings 2) Grenzwerte 2) Drain-Source-voltage - Drain-Source-Spannung VDSS 60 V Drain-Gate-voltage - Drain-Gate-Spannung RGS 1 M VDGR 60 V Gate-Source-voltage - Gate-Source-Spannung DC tp < 50 s VGSS 20 V 40 V Power dissipation - Verlustleistung Ptot 350 mW 3) Drain current continuos - Drainstrom Peak Drain current - Drain-Spitzenstrom ID IDM 200 mA 500 mA Operating Junction temperature - Sperrschichttemperatur Storage temperature - Lagerungstemperatur Tj TS 150C -55...+150C Characteristics Kennwerte Tj = 25C Min. Typ. Max. Drain-Source breakdown voltage - Drain-Source Durchbruchspannung ID = 10 A V(BR)DSS 60 V Drain-Source leakage current - Drain-Source Leckstrom VDS = 48 V, VGS = 0 V VDS = 48 V, VGS = 0 V, Tj = 125C IDSS 1 A 1 mA IGSS 10 nA Gate-Body leakage current - Gate-Substrat Leckstrom VGS = 15 V 1 2 3 Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches TA = 25C, unless otherwise specified - TA = 25C, wenn nicht anders angegeben Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 2 mm from case Gultig wenn die Anschlussdrahte in 2 mm Abstand vom Gehause auf Umgebungstemperatur gehalten werden (c) Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 2N7000 Characteristics Kennwerte Tj = 25C Min. Typ. Max. VGS(th) 0.8 V - 3V VDS(on) - 2.5 V 0.45 V - RDS(on) - - 5 6 gFS 100 mS - - Ciss - 60 pF - Coss - 25 pF - Crss - 5 pF - ton - 10 ns - toff - 10 ns - Gate-Threshold voltage - Gate-Source Schwellspannung VGS = VDS, ID = 1 mA Drain-Source on-voltage - Drain-Source-Spannung VGS = 10 V, ID = 500 mA VGS = 4.5 V, ID = 75 mA Drain-Source on-state resistance - Drain-Source Einschaltwiderstand VGS = 10 V, ID = 500 mA VGS = 4.5 V, ID = 75 mA Forward Transconductance - Ubertragungssteilheit VDS = 10 V, ID = 200 mA Input Capacitance - Eingangskapazitat VDS = 25 V, f = 1 MHz Output Capacitance - Ausgangskapazitat VDS = 25 V, f = 1 MHz Reverse Transfer Capacitance - Ruckwirkungskapazitat VDS = 25 V, f = 1 MHz Turn-On Delay Time - Einschaltverzogerung VDD= 15 V, RL= 30 , ID= 0.5 A, VGS= 10 V, RG= 25 Turn-Off Delay Time - Ausschaltverzogerung VDD= 15 V, RL= 30 , ID= 0.5 A, VGS= 10 V, RG= 25 Thermal resistance junction to ambient Warmewiderstand Sperrschicht - Umgebung RthA < 357 K/W 1) Disclaimer: See data book page 2 or website Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet 1 2 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 2 mm from case Gultig wenn die Anschlussdrahte in 2 mm Abstand vom Gehause auf Umgebungstemperatur gehalten werden http://www.diotec.com/ (c) Diotec Semiconductor AG