NTE100 (PNP) & NTE101 (NPN)
Germanium Complementary Transistors
Oscillator, Mixer for AM Radio,
Medium Speed Switch
Absolute Maximum Ratings: (TA = +25°C unless otherwise specified)
Collector–Base Voltage, VCBO 25V. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Collector–Emitter Voltage (Note 1), VCEO
NTE100 24V. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
NTE101 25V. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Emitter–Base Voltage, VEBO
NTE100 12V. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
NTE101 25V. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Collector Current, IC
NTE100 100mA. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
NTE101 300mA. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Emitter Current (NTE100 Only), IE100mA. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Total Device Dissipation, PD150mW. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Derate Above 25°C 2.5mW/°C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Operating Collector Junction Temperature, TJ+85°C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Storage Temperature Range, Tstg –65° to +100°C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Note 1. Punch–through voltage.
Electrical Characteristics: (TA = +25°C unless otherwise specified)
Parameter Symbol Test Conditions Min Typ Max Unit
Collector–Base Brteakdown Voltage
NTE100 V(BR)CBO IE = 0 IC = 20µA25 – – V
NTE101 IC = 100µA 25 – – V
Emitter–Base Breakdown Voltage
NTE100 V(BR)EBO IC = 0 IE = 20µA12 – – V
NTE101 IE = 100µA 25 – – V
Punch Through Voltage
NTE100 VPT VEBfl = 1V, Note 2 24 – – V
NTE101 25 – – V
Collector Cutoff Current
NTE100 ICBO IE = 0 VCB = 12V – 1 5 µA
VCB = 12V, TA = +80°C – 40 90 µA
NTE101 VCB = 25V – 3 6 µA
Note 2. VPT is determined by measuring the Emitter–Base floating potential VEBfl. The Collector–
Base Voltage, VCB, is increased until VEBfl = 1 V; this value of VCB = (VPT + 1V). Care must
be taken not to exceed maximum Collector–Base Voltage specified under maximum ratings.