
Elektrische Eigenschaften
Periodische Vorwärts- und Rückwärts-
Spitzensperrspannung
repetitive peak forward off-state and
reverse voltages
tvj = -40°C...tvj max VDRM, VRRM
1400 1600 1800
V
Vorwärts-Stoßspitzensperrspannung non-repetitive peak forward off-state
voltage
tvj = -40°C...tvj max VDSM = VDRM
1400 1600 1800
V
Rückwärts-Stoßspitzensperrspannung non-repetitive peak reverse voltage tvj = +25°C...tvj max VRSM = VRRM
1500 1700 1900
V
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert RMS on-state current ITRMSM 450 A
Dauergrenzstrom average on-state current tc = 85°C ITAVM 221 A
tc = 70°C 285 A
Stoßstrom-Grenzwert surge current tvj = 25°C, tp = 10 ms ITSM 6500 A
tvj = tvj max, tp = 10 ms 5700 A
Grenzlastintegral I2 t-value tvj = 25°C, tp = 10 ms I2 t212000 A2s
tvj = tvj max, tp = 10 ms 163000 A2s
Kritische Stromsteilheit critical rate of rise of on-state current vD ≤ 67%, vDRM, f = 50 Hz (diT/dt)cr 150 A/µs
vL=10 V, iGM= 1 A, diG/dt = 1 A/µs
Kritische Spannungssteilheit critical rate of rise of off-state voltage tvj = tvj max, vD = 67% VDRM (dv/dt)cr 1000 V/µs
Durchlaßspannung on-state voltage tvj = tvj max, iT = 800 A vTmax. 1,62 V
Schleusenspannung threshold voltage tvj = tvj max VT(TO) 1,1 V
Ersatzwiderstand slope resistance tvj = tvj max rT0,75 mΩ
Zündstrom gate trigger current tvj = 25 °C, vD = 6 V IGT max. 200 mA
Zündspannung gate trigger voltage tvj = 25 °C, vD = 6 V VGT max. 2 V
Nicht zündender Steuerstrom gate non-trigger current tvj = tvj max, vD = 6 V IGD max. 10 mA
Nicht zündende Steuerspannung gate non-trigger voltage tvj = tvj max, vD = 0,5 VDRM VGD max. 0,2 V
Haltestrom holding current tvj = 25 °C, vD = 6 V, RA = 5 ΩIHmax. 300 mA
Einraststrom latching current tvj = 25 °C,vD = 6 V, RGK ≥ 10 ΩILmax. 1,2 A
iGM = 1 A, diG /dt = 1 A/µs, tg = 20 µs
Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom forward off-state and reverse currents tvj = tvj max, vD = VDRM, vR = VRRM iD, iRmax. 50 mA
Zündverzug gate controlled delay time tvj=25°C, iGM = 1 A,diG/dt = 1 A/µs tgd max. 4 µs
Freiwerdezeit circuit commutated turn-off time siehe Techn.Erl./see Techn. Inf. tqtyp. 200 µs
Innerer Wärmewiderstand thermal resistance, junction to case Θ =180° el, sin RthJC max. 0,12 °C/W
DC max. 0,116 °C/W
Höchstzul.Sperrschichttemperatur max. junction temperature tvj max 125 °C
Betriebstemperatur operating temperature tc op -40...+125 °C
Lagertemperatur storage temperature tstg -40...+150 °C
Mechanische Eigenschaften
Si-Elemente mit Druckkontakt Si-pellet with pressure contact
Anzugsdrehmoment tightening torque M60 Nm
Anpreßkraft clamping force F5,5 kN
Gewicht, Bauform E weight, case design E Gtyp. 620 g
Kriechstrecke creepage distance 12 mm
Feuchteklasse humidity classification DIN 40040 C
Schwingfestigkeit vibration resistance f = 50 Hz 50 m/s²
Maßbild, anliegend outline, attached DIN 41 894-222A4