NPN SILICON TRANSISTORS, TRIPLE DIFFUSED MESA BD 157 TRANSISTORS SILICIUM NPN, MESA TRIPLE DIFFUSES BD 158 BD 159 PRELIMINARY DATA NOTICE PRELIMINAIRE BD 157 to BD 159 transistors are designed for class A audio output stages in main operated 250 V BD 157 consumer products such as : television, radio, Vceo 300 V BD 158 phonograph and for horizontal deflexion driver. 350 V BD 159 Les transistors de la srie BD 157 4 BD 159 sont Ic 500 mA destins aux tages de sortie basse frquence classe A Prot 20 W des appareils aliments sur secteur : tlviseurs, rcep- teurs radios, lectrophones ainsi quaux tages driver de Rehij-c) 6,25C/W balayages lignes. f 35 MHz Dissipation and Ig/g derating Plastic case TO-126 See outline drawing CB-16 on last pages Boitier plastique Voir dessin cot CB-16 dernires pages Variation de dissipation et de Iy7p 100% Aw 75--+h I | fg) Se 60 YC. fi a % Ce 4 NX. 26 Weight ; 0,7, Collector is connected to case 0 50 100 150 tease o) Masse Le collecteur est reli au boitier ABSOLUTE RATINGS (LIMITING VALUES) t = 25C (Unless otherwise stated) VALEURS LIMITES ABSOLUES DUTILISATION case (Saut indications contraires) BD 157. BD158 + BD 159 Collector-base voltage Vv , Tension collecteur-base cBO 275 326 375 Vv Collector-emitter voltage Vceo 250 300 350 Vv Tension collecteur-metteur Coilector-emitter voltage Rap = 1002 VcerR 270 320 370 v Tension collecteur-metteur Emitter-base voitage Vv Tension metteur-base EBO 5 8 5 y Collector current I Courant collecteur c 0,5 0,5 0,5 A Peak collector current t. = 1ms ! Courant de crte de collecteur p cM 1 1 1 A Base current i Courant base B 0,25 0,25 0,25 A Power dissipation = 25 P Dissipation de puissance tease 25C tot 20 20 20 w Junction temperature t Temprature de jonction max J +180 +150 +150 c Storage temperature min ter 65 65 65 C Temprature de stockage max stg +150 +150 +150 c 74-10 4 THOMSON - CSF DIVISION SEMICONDUCTEUNS 457BD 157, BD 158, BD 159 STATIC CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES STATIQUES Tease = 28C (Unless otherwise stated) ({Sauf indications contraires} Test conditions Conditions de mesure Min. Typ. Max. Veg =275V CB BD 157 100 BA lp =0 V, =325V Collector-base cut-off current cB { Courant rsiduel collecteur-basy le =0 CBO BD 158 100 HA Vee = 375 V ee =0 BD 159 100 BA Emitter-base cut-off current Veg =5V 1 Courant rsiduel metteur-base le = EBO 100 HA BD 157 250 Collector-emitter breakdown voltage Ig =1mA V * Bp 158 | 300 Vv Tension de claquage collecteur-metteur Ip = (BR)CEO 350 BD 159 Static forward current transfer ratio Vac =10V * Valeur statique du rapport de transfert CE hoy E 30 240 =0,05A direct du courant Cc 7 Collector-emitter saturation voltage lo = O3A v, * Tension de saturation collecteur-metteur Ip = 0,03 A CEsat 0,3 v Base-emitter saturation voltage i =0,3A Vv * Tension de saturation base-metteur 5 =0,03A BEsat 0,7 v DYNAMIC CHARACTERISTICS (for small signals} CARACTERISTIQUES DYNAMIQUES (pour petits signaux] Veg = 10V Transition frequency CE Frquence de transition Ie =G,1 A tr 35 MHz f = 10 MHz THERMAL CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES THERMIQUES Junction-case thermal resistance Ra Rsistance thermique (jonction-boitier) th{j-c) 6,25 C/W * Pulsed ty =300uA 5 < 2% impulsions 2/4 458BD 157, BD 158, BD 159 SAFE OPERATING AREA Aire de fonctionnement de scurit Br 0,5 0,2 tease COntinUOUS ere 0,1 Continu Pulsed ee impulsions 0,05 0,02 BD 1 0,01 1 2 5 10 20 50 4100 200 500 Vo,lv) 3/4 459BD 157, BD 158, BD 159 TYPICAL CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES TYPIQUES TRANSIENT THERMAL RESISTANCE DERATING FACTOR UNDER PULSES CONDITIONS Facteur de rduction de la rsistance thermique en rgime aimpulsions K 8 i LZ 6 ety) / ~~ Te \v [f ; a , 4 ft! 4 Ren | 10" LITT | 22 2 2 & 2.5 5 2 10 10% 10% 10 10! tplsee! 4/4 460